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1、河南科技大學畢業(yè)設(shè)計（論文）多晶硅鑄錠中的雜質(zhì)分布及其影響因素摘要近年來，太陽電池發(fā)電受到了人們的日益重視。硅是當前用來制造太陽能電池的主要材料，由于低成本、低耗能和少污染的優(yōu)勢，目前鑄造多晶硅已經(jīng)成功取代直拉單晶硅而成為最主要的太陽能電池材料。深入地研究材料中的雜質(zhì)分布利于生產(chǎn)出高成品率的鑄造多晶硅錠，降低鑄造多晶硅太陽能電池的制造成本，同時也是制備高效率鑄造多晶硅太陽能電池的前提。本文對多晶硅中的雜質(zhì)及其分布作了深入的研究。多晶硅中出現(xiàn)的雜質(zhì)是影響其太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一。本文利用微波光電導衰減儀(μ—PCD)
2、，，以及掃描電鏡等測試手段，對鑄造多晶硅中的雜質(zhì)及分布情況以及少子壽命的分布特征進行了系統(tǒng)的研究。主要包括以下三個方面：氧、鐵、碳在鑄造多晶硅中的分布規(guī)律；鑄造多晶硅所測區(qū)域內(nèi)雜質(zhì)的種類及分布情況；鑄造多晶硅中雜質(zhì)濃度的分布與材料少子壽命的關(guān)系。采用μ—PCD測得了沿硅錠生長方向(從底部至頂部)的少壽命分布圖。結(jié)果顯示距離硅錠底部3-4cm，以及頂部3cm的范圍內(nèi)存在一個少子壽命值過低的區(qū)域，而硅錠中間區(qū)域少子壽命值較高且分布均勻。進一步通過理論分析得出多晶硅雜質(zhì)分布的情況以及雜質(zhì)的來源和影響雜質(zhì)分布的因素。關(guān)鍵詞：多晶硅，
3、碳，氧，金屬22河南科技大學畢業(yè)設(shè)計（論文）PolysiliconingotsinthedistributionanddeterminantsofimpuritiesABSTRACTInrecentyears,itwasbecomingmoreendmoreimportanttoutilizesolarenergythroughsolarcells．Becauselow-cost,lowenergyconsumptionandlesspollutionoftheadvantagesofpolysiliconhasbeensu
4、ccessfullyreplacedbythecurrentcastCzochralskisiliconsolarcellsbecomethemainmaterial.In-depthstudyofthedistributionofimpuritiesinmaterialshelptoproducehighyieldsofcastingsiliconingots,castpolycrystallinesiliconsolarcellsreducemanufacturingcosts,butalsohighlyefficien
5、tpreparationofcastpolycrystallinesiliconsolarcellspremise.Inthispaper,anddistributionofimpuritiesinsiliconindepthstudy.Polysiliconimpuritiesappeartoinfluencethesolarcellconversionefficiencyofoneoftheimportantfactors.Byusingmicrowavephotoconductivitydecaymeter(μ-PCD
6、),,andscanningelectronmicroscopetestmeansofcastingsiliconimpuritiesandminoritycarrierlifetimedistributionandthedistributionofcharacteristicsofthesystem.Includethefollowingthreeaspects:oxygen,iron,carboninthecastingoftheDistributionofpolysilicon;castpolycrystallines
7、iliconmeasuredintheregionandthedistributionofthetypesofimpurities;castpolycrystallinesiliconintheimpurityconcentrationdistributionofminoritycarrierlifetimerelationshipwiththematerial.Wonbyμ-PCDmeasurementsalongtheingotgrowthdirection(frombottomtotop)lesslifedistrib
8、ution.Theresultsshowedthatthebottomofsiliconingotsfrom3-4cm,and3cm22河南科技大學畢業(yè)設(shè)計（論文）atthetopoftherangeofmemoryintheminoritycarrierlifetimevalueofal
