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《鑄造多晶硅晶體生長速率對(duì)雜質(zhì)分布的影響研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）鑄造多晶硅晶體生長速率對(duì)雜質(zhì)分布的影響研究摘要目前，鑄造多晶硅是最主要的光伏材料，其結(jié)晶組織、缺陷、和雜質(zhì)含量顯著影響著太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。雜質(zhì)的濃度和分布是影響光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素。由于多晶硅錠的質(zhì)量好壞主要取決于長晶過程中的固液界面形狀及晶體生長速率大小，固液界面形狀及晶體生長速率大小對(duì)定向凝固的排雜效果起決定作用，一般認(rèn)為微凸的固液界面更有利于多晶硅雜質(zhì)和位錯(cuò)的排除。因此深入研究多晶硅生長速率對(duì)雜質(zhì)分布的影響，分析它對(duì)多晶硅錠結(jié)晶學(xué)及電學(xué)性能的影響，不僅有利于生長出高成品率的鑄造多晶硅錠，而且可以降低鑄造多晶硅硅片的制造成本。本工作利用微波光電導(dǎo)
2、衰減儀（μ-PCD）、二次離子質(zhì)譜儀（SIMS）,以及紅外掃描儀（IR）等方法對(duì)鑄造多晶硅的雜質(zhì)以及少子壽命的分布進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，硅錠中的氧濃度隨硅錠高度的增加而逐漸降低，而碳的分布情況正好相反。研究發(fā)現(xiàn)，在低速凝固條件下雜質(zhì)的排除效果很好，平均少子壽命較高，但多晶硅錠的紅區(qū)較長，鑄錠周期長。而高速凝固雜質(zhì)的排除效果不佳，硅錠紅區(qū)較短，但平均少子壽命較低。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)多晶硅錠晶體生長速率1.5cm/h為工業(yè)生產(chǎn)中較優(yōu)長晶速率。關(guān)鍵詞：鑄造多晶硅，雜質(zhì)，少子壽命，長晶速率23河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）Theinvestigationonthecrystalgrowthrate
3、ofcastingpolycrystallinesiliconinfluencingonthedistributionofimpurityABSTRACTAtpresent,castingpolycrystallinesiliconisthemainPVmateril.Itaffectsaretheimportantfactorsofphotoelectricconversionefficiency.becausequalityofpoolycrystallinesiliconingotsisdeterminedbythepositionofthesolid/liquidinterf
4、aceandgrowthrateofcrystal.Theshapeofsolid/liquidinterfaceandgrowthratedeterminedthequalityofrejectingofimpurity.Generally,smallprotrudingliquid-solidinterfaceismoreadvantageoustotherejectofdislocationandimpuritry.Sofurtherresearchontheinfluenceofpolysilicongrowthrateontheimpuritydistributionand
5、electricalbehaviourofpolycrystallinesiliconingotswillhelpusimprovetheyieldoftheingotsandreducethecostofcastingpolycrystallinesilicon.Inthisthesis,weinvestigatethedistributionofimpurityandminoritycarrierlifetimeoftheingotsbyMicrowavephotoConductiveDecay(μ-PCD),ScanningInfraredMicroscopy(IR),Scan
6、ningInfraredMicroscopy(SIRM).Intheexperiments,oxygencontentincreasesinveticaldirection,Whilecarbondistributionisexactlythepposite.Wefindthatlow-speedsolidificationconditionsisgoodtotherejectofalltherejectofallthemetalinpurity,minoritycarrierlifetimeishigher,butthecastingcycleislonger.WhleHigh-s
7、peedsolidificationtothedisadvantageoftherejectofimpurity.anditsminoritycarrierlifetimeislowerExperimentshavefoundthatpolyingotgrowthratefor1.5cm/hforindustrialproductionisabetterchoice.KEYWORDS:castingpolycrystallinesilicon,impuri
