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《硅微結(jié)構(gòu)金屬輔助化學(xué)刻蝕技術(shù)研究》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、學(xué)號：S13010104碩士學(xué)位論文硅微結(jié)構(gòu)金屬輔助化學(xué)刻蝕技術(shù)研究研究生姓名：于航學(xué)科、專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)二○一六年三月分類號：密級：可公開UDC：編號：硅微結(jié)構(gòu)金屬輔助化學(xué)刻蝕技術(shù)研究RESEARCHONMETAL-ASSISTEDCHEMICALETCHINGPROCESSOFSILICONMICROSTRUCTURE學(xué)位授予單位及代碼：長春理工大學(xué)（10186）學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：微電子學(xué)與固體電子學(xué)（077403）研究方向：電子薄膜與MEMS技術(shù)申請學(xué)位級別：碩士指導(dǎo)教師：端木慶鐸研究生：于航論文起止時(shí)間：2014.9—2015.12長春理工大學(xué)
2、碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的碩士學(xué)位論文《硅微結(jié)構(gòu)金屬輔助化學(xué)刻蝕技術(shù)研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：年月日長春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定”，同意長春理工大學(xué)保留并向中國科學(xué)信息研究所、中國優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫和CNKI系列數(shù)據(jù)庫及其
3、它國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，也可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。作者簽名：年月日導(dǎo)師簽名：年月日摘要硅微結(jié)構(gòu)在太陽能電池，光電探測器件以及傳感器等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用，制備硅微結(jié)構(gòu)的方法有很多，但是金屬粒子輔助化學(xué)刻蝕法被認(rèn)為是最簡單，最有效，最經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的制備方法。本文主要利用金屬輔助化學(xué)刻蝕原理，在硅襯底上分別制備多孔硅和硅納米線。通過改變刻蝕時(shí)間和氧化劑濃度來觀察多孔硅和硅納米線結(jié)構(gòu)變化，同時(shí)也對制備硅納米線的工藝進(jìn)行了優(yōu)化
4、，并分析了硅納米線頂端團(tuán)簇形成的原因。隨著刻蝕時(shí)間和氧化劑濃度的增加，多孔硅孔徑變大，孔壁變薄，孔洞不均勻；當(dāng)氧化劑濃度為0.5mol/L，刻蝕時(shí)間為15min時(shí)，制備出多孔硅的孔洞尺寸均勻且表面形貌較好；孔隙率隨著刻蝕時(shí)間增加而先增大后減??；反射率的變化與刻蝕時(shí)間近似成反比的關(guān)系；硅納米線長度隨著刻蝕時(shí)間和氧化劑濃度的增加而增加；對硅納米線工藝流程進(jìn)行優(yōu)化后，在硅襯底上制備出來的納米線沒有發(fā)現(xiàn)大面積的倒塌現(xiàn)象；在范德華力、表面張力和彈性變形力三種力的相互作用下硅納米線產(chǎn)生了頂端團(tuán)簇。關(guān)鍵詞：金屬輔助化學(xué)刻蝕多孔硅硅納米線頂端團(tuán)簇IABSTRACTSiliconm
5、icro-structureiswidelyusedinsolarcell,photoelectricdeviceandsensor.Althoughtherearemanymethodsforpreparingsiliconmicro-structure,themetalparticlesassistedchemicaletchingisconsideredtothesimplest,mosteffectiveandmosteconomicalmethod.Inthispaper,poroussiliconandsiliconnanowireswereprepa
6、redbymetal-assistedchemicaletchingonasiliconsubstrate.Thestructureofporoussiliconandsiliconnanowiresofchangingtheetchingtimeandoxidantconcentrationwasobserved.Processofsiliconnanowireswasoptimized,andweanalyzedthereasonsforthetopclustersofsiliconnanowires.Poresofporoussiliconbecomelar
7、geandunevenwiththeetchingtimeincreases,whentheoxidantconcentrationis0.5mol/Landtheetchingtimeis15min,theporesizebecomeuniformandbettermorphology.Theporositywithetchingtimeisfirstincrease,thenthechangetrendofdecreases.Thereflectivityisinverselyproportionaltoetchingtime.Thelengthofsilic
8、onnan
