mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)

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1、MOSFET&IGBT在PDP上的應(yīng)用MOSFET&IGBT概述MOSFET結(jié)構(gòu)圖在MOSFET中是多子移動(dòng)，單極性器件開關(guān)時(shí)間短MOSFET等效圖IGBT結(jié)構(gòu)圖IGBT等效電路寄生晶閘管引起鎖定效應(yīng)可能引起誤導(dǎo)通NPT型IGBT特點(diǎn)MOSFET&IGBT輸出特性MOSFET輸出特性IGBT輸出特性IGBT和MOSFET在硬開關(guān)的時(shí)候典型特性導(dǎo)通過程的說明MOSFET與IGBT的發(fā)展方向MOSFET幾個(gè)用法單向?qū)p向?qū)∕OSFET幾個(gè)用法MOSFET幾個(gè)用法電容隔離式使用MOSFET幾個(gè)用法變壓器隔離式使用MOSFET幾個(gè)用法DC-DC式光耦隔離使用MGD2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)IR21

2、10基本應(yīng)用IR2110自舉原理說明IR2110說明IR2110優(yōu)點(diǎn)：價(jià)格便宜，一片IR2110可以驅(qū)動(dòng)兩路開關(guān)。耐壓比較高，可以達(dá)到500伏。電路形式簡單，應(yīng)用元件較少，電路板面積較小。IR2110說明IR2110驅(qū)動(dòng)電路的缺點(diǎn)是：浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓由自舉電容實(shí)現(xiàn)，要求電路的輸出要有足夠?yàn)榱汶娢坏臅r(shí)間，以給自舉電容充電。IR2110要求Vs端不能為負(fù)電壓，因此該電路不能用于輸出可能為負(fù)電壓的場(chǎng)合。如果要求輸出有較長時(shí)間為高，可能要采用電荷泵電路，維持VB和VS間自舉電容長時(shí)間保持＋15V壓差，使得開關(guān)管M1在該時(shí)間段內(nèi)導(dǎo)通。IR2110說明采用IR2110的浮動(dòng)通道來實(shí)現(xiàn)高壓MOS浮動(dòng)?xùn)艠O

3、驅(qū)動(dòng)電路的適用條件：輸出電壓沒有負(fù)電壓。驅(qū)動(dòng)電壓波形中零電位出現(xiàn)不能相隔太久。零電位維持時(shí)間要滿足自舉電容充電的時(shí)間。IR2110的典型使用方法光耦驅(qū)動(dòng)的典型結(jié)構(gòu)光耦的使用方法自舉電壓實(shí)現(xiàn)Y驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)圖