mosfet以及mosfet驅(qū)動

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1、MOSFET&IGBT在PDP上的應用MOSFET&IGBT概述MOSFET結(jié)構(gòu)圖在MOSFET中是多子移動，單極性器件開關(guān)時間短MOSFET等效圖IGBT結(jié)構(gòu)圖IGBT等效電路寄生晶閘管引起鎖定效應可能引起誤導通NPT型IGBT特點MOSFET&IGBT輸出特性MOSFET輸出特性IGBT輸出特性IGBT和MOSFET在硬開關(guān)的時候典型特性導通過程的說明MOSFET與IGBT的發(fā)展方向MOSFET幾個用法單向?qū)p向?qū)∕OSFET幾個用法MOSFET幾個用法電容隔離式使用MOSFET幾個用法變壓器隔離式使用MOSFET幾個用法DC-DC式光耦隔離使用MGD2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)IR21

2、10基本應用IR2110自舉原理說明IR2110說明IR2110優(yōu)點：價格便宜，一片IR2110可以驅(qū)動兩路開關(guān)。耐壓比較高，可以達到500伏。電路形式簡單，應用元件較少，電路板面積較小。IR2110說明IR2110驅(qū)動電路的缺點是：浮動驅(qū)動電壓由自舉電容實現(xiàn)，要求電路的輸出要有足夠為零電位的時間，以給自舉電容充電。IR2110要求Vs端不能為負電壓，因此該電路不能用于輸出可能為負電壓的場合。如果要求輸出有較長時間為高，可能要采用電荷泵電路，維持VB和VS間自舉電容長時間保持＋15V壓差，使得開關(guān)管M1在該時間段內(nèi)導通。IR2110說明采用IR2110的浮動通道來實現(xiàn)高壓MOS浮動柵極

3、驅(qū)動電路的適用條件：輸出電壓沒有負電壓。驅(qū)動電壓波形中零電位出現(xiàn)不能相隔太久。零電位維持時間要滿足自舉電容充電的時間。IR2110的典型使用方法光耦驅(qū)動的典型結(jié)構(gòu)光耦的使用方法自舉電壓實現(xiàn)Y驅(qū)動的結(jié)構(gòu)圖