《矽和化合物半導體》PPT課件

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1、矽和化合物半導體ElectronicMaterials電子材料1圖1.1　絕緣體、半導體、和導體與電阻係數(shù)的範圍234圖1.2　三種立方結(jié)晶單元(a)簡單立方，(b)體心立方，(c)面心立方5圖1.3　(a)矽(鑽石晶格)，(b)砷化鎵(閃鋅晶格)的結(jié)晶結(jié)構(gòu)6圖1.4　立方晶體中的一些重要平面的米勒指標7圖1.5　矽的蝕刻圖案(a)<111>和(b)<100>長晶方向，以(110)平邊以及適當?shù)那懈罘较驗閰⒖?圖1.6　矽{111}表面，具鋁合金區(qū)域，顯示鑽石晶格的對稱9圖1.7　概略的能帶圖表示法：(

2、a)絕緣體，(b)半導體，(c)導體10圖1.8　矽和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)。圓圈(。)表示在價電帶的電洞，點(?)表示在導電帶的電子，(a)間接能隙，矽；(b)直接能隙，砷化鎵11圖1.9　磷砷化鎵的能隙對磷化鎵的莫爾分數(shù)變化圖12圖1.10　各種可見光和紅外光發(fā)光二極體的發(fā)光相對強度對波長的關係圖13圖1.11　(a)布氏法，(b)柴氏法，(c)浮區(qū)法長晶14(續(xù))圖1.11　(a)布氏法，(b)柴氏法，(c)浮區(qū)法長晶15圖1.12　砷化鎵和磷化鎵的長晶爐161718圖1.13　磨晶棒製程19圖1.14

3、　將矽晶棒標示平邊20圖1.15　以內(nèi)直徑切片製程的概略圖21圖1.16　拋光製程的概略圖22圖1.17　四點針測法的概略圖23圖1.18　電阻值的測量2425262728