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時間:2019-06-23
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1、矽和化合物半導體ElectronicMaterials電子材料1圖1.1 絕緣體、半導體、和導體與電阻係數的範圍234圖1.2 三種立方結晶單元(a)簡單立方,(b)體心立方,(c)面心立方5圖1.3 (a)矽(鑽石晶格),(b)砷化鎵(閃鋅晶格)的結晶結構6圖1.4 立方晶體中的一些重要平面的米勒指標7圖1.5 矽的蝕刻圖案(a)<111>和(b)<100>長晶方向,以(110)平邊以及適當的切割方向為參考8圖1.6 矽{111}表面,具鋁合金區(qū)域,顯示鑽石晶格的對稱9圖1.7 概略的能帶圖表示法:(
2、a)絕緣體,(b)半導體,(c)導體10圖1.8 矽和砷化鎵的能帶結構。圓圈(。)表示在價電帶的電洞,點(?)表示在導電帶的電子,(a)間接能隙,矽;(b)直接能隙,砷化鎵11圖1.9 磷砷化鎵的能隙對磷化鎵的莫爾分數變化圖12圖1.10 各種可見光和紅外光發(fā)光二極體的發(fā)光相對強度對波長的關係圖13圖1.11 (a)布氏法,(b)柴氏法,(c)浮區(qū)法長晶14(續(xù))圖1.11 (a)布氏法,(b)柴氏法,(c)浮區(qū)法長晶15圖1.12 砷化鎵和磷化鎵的長晶爐161718圖1.13 磨晶棒製程19圖1.14
3、 將矽晶棒標示平邊20圖1.15 以內直徑切片製程的概略圖21圖1.16 拋光製程的概略圖22圖1.17 四點針測法的概略圖23圖1.18 電阻值的測量2425262728
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