FEMAG晶體生長(zhǎng)數(shù)值模擬軟件介紹(Chinese Version)

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1、FEMAG晶體生長(zhǎng)數(shù)值模擬軟件FEMAG-CZFEMAG-DSSFEMAG-FZFEMAG-VBYOURPROCESSFEMAG-PVTFEMAG-LEC軟件產(chǎn)品FEMAG-CZ適用于Czochralski直拉法生長(zhǎng)工藝和Kyropoulos法生長(zhǎng)工藝FEMAG-DSS適用于鑄錠定向凝固過(guò)程工藝FEMAG-FZ適用于區(qū)熔法生長(zhǎng)工藝FEMAG-VB適用于VB/VGF法生長(zhǎng)工藝FEMAG-PVT適用于物理氣相傳輸法工藝FEMAG-LEC適用于液封和蒸氣直拉法工藝(III-V族化合物)定制軟件根據(jù)您的特殊要求，定制、開(kāi)發(fā)適用

2、軟件，例如應(yīng)用于半導(dǎo)體、氧化物和鹵化物生長(zhǎng)的軟件。CompanyFEMAGSoft軟件股份公司成立于2003年，是比利時(shí)魯汶大學(xué)（法語(yǔ)）的衍生企業(yè)，致力于開(kāi)發(fā)、銷(xiāo)售和支持晶體生長(zhǎng)數(shù)值模擬專(zhuān)用軟件產(chǎn)品。晶體生長(zhǎng)工藝原材料單晶晶片產(chǎn)品與服務(wù)FEMAGSoft擅長(zhǎng)所有類(lèi)型晶體材料生長(zhǎng)方面的工藝模擬專(zhuān)業(yè)技術(shù),例如:直拉法(Czochralski)定向凝固法(DirectionalSolification)區(qū)熔法(FloatingZone)Bridgman法物理氣相傳輸法(PVT)FEMAGSoft致力于通過(guò)提供最實(shí)用、可

3、靠的服務(wù)來(lái)優(yōu)化客戶(hù)在軟件投資方面的回報(bào)率：軟件許可與技術(shù)支持合作與咨詢(xún)應(yīng)用范圍20多年來(lái)，F(xiàn)EMAGSoft公司所開(kāi)發(fā)的軟件產(chǎn)品獲得了國(guó)際上諸多專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)企業(yè)的青睞,在以下類(lèi)型的企業(yè)中得到廣泛應(yīng)用：集成電路用單晶硅生產(chǎn)企業(yè)光伏技術(shù)用晶體硅生產(chǎn)企業(yè)LED光電技術(shù)用氧化物晶體藍(lán)寶石晶體生產(chǎn)企業(yè)模擬軟件晶體生長(zhǎng)模擬軟件能夠提供重現(xiàn)晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)部環(huán)境及晶體生長(zhǎng)過(guò)程，從而為生產(chǎn)商提供必要的信息，以便分析晶體生長(zhǎng)過(guò)程特征及其工藝優(yōu)缺點(diǎn)是否符合市場(chǎng)需求。通過(guò)模擬軟件提供的功能，生產(chǎn)商可以提高工藝改進(jìn)、優(yōu)化時(shí)的目標(biāo)與優(yōu)先次序模擬軟件所

4、提供的虛擬實(shí)驗(yàn)使晶體生長(zhǎng)商在物理實(shí)現(xiàn)之前設(shè)計(jì)、檢驗(yàn)他們的生產(chǎn)工藝。虛擬實(shí)驗(yàn)不但操作方便、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、而且基本上不存在任何技術(shù)限制。設(shè)計(jì)工程ü保溫罩和反射體的形狀、材質(zhì)和位置設(shè)計(jì)ü加熱器的位置ü輔助加熱器/多加熱器設(shè)計(jì)ü保溫層的選擇及其設(shè)計(jì)成本控制工程ü能耗ü氣耗ü原料輔料(成本、使用壽命等等)ü提高晶體生長(zhǎng)速度的同時(shí)防止固-液界面變形過(guò)大和裂紋質(zhì)量控制工程ü熱應(yīng)力ü位錯(cuò)ü氧含量分布與控制ü摻雜物發(fā)布與控制ü缺陷控制(點(diǎn)缺陷和微觀缺陷等)5應(yīng)用范圍FEMAGSoft公司的模擬軟件應(yīng)用于開(kāi)發(fā)、優(yōu)化以下類(lèi)型的晶體生長(zhǎng)工藝：I(xiàn)C級(jí)

5、單晶硅和光伏級(jí)晶體硅I(xiàn)II-V族化合物半導(dǎo)體晶體材料，如GaAs/GaP等鍺單晶藍(lán)寶石、氧化物和鹵化物碳化硅FEMAG-FZIC級(jí)區(qū)熔法單晶硅錠內(nèi)部溫度預(yù)測(cè)結(jié)果。FEMAG-CZ光伏級(jí)單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)溫度場(chǎng)計(jì)算結(jié)果可視化呈現(xiàn)。FEMAG-DSS精確的固液界面計(jì)算是對(duì)晶粒大小控制的基礎(chǔ)與前提FEMAG-VBVB法砷化鎵單晶生長(zhǎng)過(guò)程的精確計(jì)算結(jié)果