結(jié)構(gòu)專項(xiàng)訓(xùn)練.doc

《結(jié)構(gòu)專項(xiàng)訓(xùn)練.doc》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、1．（15分）【化學(xué)選修——物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（1）短周期元素M原子核外成對電子數(shù)比未成對電子數(shù)多1個(gè)，其氫化物常用作致冷劑，M氫化物易液化的原因是??????????????????????????????????。（2）Q3+離子核外3d能級為半充滿狀態(tài)，Q基態(tài)原子的核外電子排布式是????????，Q3+遇K4[Fe(CN)6]溶液立即產(chǎn)生藍(lán)色沉淀，因此，常用于檢驗(yàn)Q3+。K4[Fe(CN)6]中存在的化學(xué)鍵?????????（填序號）。①離子鍵????????②非極性鍵???????③金屬鍵????????④配位鍵（3）以下是某些短周期元素的電負(fù)性及常見化合價(jià)。元素XYZWRDEFG

2、化合價(jià)+1+2+3－4－2－2+2+3－4電負(fù)性2.11.52.02.53.52.51.21.51.8請根據(jù)表中提供的信息，填寫下列空白：①Y、Z、W第一電離能從大到小順序是????????????????（填元素符號）。②WR2分子中W原子的雜化方式是??????，分子的空間構(gòu)型是????????????。③1molW2X2分子中含有??????????個(gè)π鍵。2．（化學(xué)－物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）（15分）wC和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式　　　　。從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)椤　　　?。?）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體

3、硅的相似，其中C原子的雜化方式為　　　　，微粒間存在的作用力是　　　　。（3）1mol氧化物MO的電子總數(shù)與1molSiC的相等，則M為　　　?。ㄌ钤胤枺?。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是　　　　。（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵　　　　。3．[化學(xué)——選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素

4、，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E＜F。其中A原子核外有三個(gè)未成對電子；化合物B2E的晶體為離子晶體，E原子核外的M層中只有兩對成對電子；C元素是地殼中含量最高的金屬元素；D單質(zhì)的晶體類型在同周期的單質(zhì)中沒有相同的；F原子核外最外層電子數(shù)與B相同，其余各層電子均充滿。請根據(jù)以上信息，回答下列問題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E、F用所對應(yīng)的元素符號表示）（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)椤?用元素符號表示)（2）B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)（填高或低），理由是。（3）A的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物分子中其中心原子采取雜化，E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是。（4）F的核外電子

5、排布式是，F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為.（5）A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示（其中A顯-3價(jià)），3則其化學(xué)式為；（每個(gè)球均表示1個(gè)原子）（6）A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度，是一種新型無機(jī)非金屬材料，則其化學(xué)式為，其晶體中所含的化學(xué)鍵類型為。4．【化學(xué)——選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）現(xiàn)有七種元素，其中A、B、C、D、E為短周期主族元素，F(xiàn)、G為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大。請根據(jù)下列相關(guān)信息，回答問題。A元素的核外電子數(shù)和電子層數(shù)相等，也是宇宙中最豐富的元素B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1C原子的第一至第四電離能分別是:I1=738kJ

6、/molI2=1451kJ/molI3=7733kJ/molI4=10540kJ/molD原子核外所有p軌道全滿或半滿E元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4F是前四周期中電負(fù)性最小的元素G在周期表的第七列（1）已知BA5為離子化合物，寫出其電子式．（2）B基態(tài)原子中能量最高的電子，其電子云在空間有個(gè)方向，原子軌道呈形．（3）某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷C基態(tài)原子的核外電子排布為，該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了．（4）G位于族區(qū)，價(jià)電子排布式為．（5）DE3中心原子的雜化方式為，用價(jià)層電子對互斥理論推測其空間構(gòu)型為．（6）F元素的晶胞如右圖所示，若設(shè)該晶胞的密度為ag/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，F(xiàn)原

7、子的摩爾質(zhì)量為M，則F原子的半徑為cm5．【化學(xué)——選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會生活和高科技領(lǐng)域。⑴A和B的單質(zhì)單位質(zhì)量的燃燒熱大，可用作燃料。已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：電離能（kJ/mol）I1I2I3I4A93218211539021771B7381451773310540①請根據(jù)上述信息，寫出B原子的核外電子排布式。C60