JBT9495.5-1999光學(xué)晶體散射顆粒度測(cè)量方法.pdf

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1、ICS17.180;31.030N05JB中華人民共和國(guó)機(jī)械行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JB/T9495.5-1999光學(xué)晶體散射顆粒度測(cè)量方法Measuringmethodforscatergraininessofopticalcrystal1999一08一06發(fā)布2000一0，一01實(shí)施國(guó)家機(jī)械工業(yè)局發(fā)布JB/T9495.5-1999前言本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)ZBN05001.5-86(光學(xué)晶體徽順粒度測(cè)t方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)GB/T1.1-1993和GB/P1.22-1993的要求對(duì)原標(biāo)準(zhǔn)作了編輯、文字上的修改，主要技術(shù)內(nèi)容沒有變

2、化。本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起，代替ZBN05001.5-860本標(biāo)準(zhǔn)由儀表功能材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由北京玻璃研究所負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:于長(zhǎng)江，楊學(xué)志。本標(biāo)準(zhǔn)1986年6月首次發(fā)布。中華人民共和國(guó)機(jī)械行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)晶體散射顆粒度測(cè)量方法JB/T9495.5--1999代替z3NOS0015一一SFMeasuringmedwdfarscattergrahdnessofopticalcrystal范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于光學(xué)晶體散射顆粒的定性測(cè)ica2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成

3、為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí).所示版不均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性JB/1'9495.1-1999光學(xué)晶體3原理光線沿晶體生長(zhǎng)方向照射被測(cè)晶體，借助晶體內(nèi)雜質(zhì)顆位、氣泡等對(duì)光的全反射作月引起的散射.從1':面可以清晰地觀察到晶體內(nèi)散射穎位的請(qǐng)況。JB/19495.1-1999的5.2規(guī)定對(duì)被測(cè)晶Ilk分級(jí)定類。4儀器側(cè)晶體教豺穎粒度的儀器如圖1所示。t一激光電源;2一光謀l籠東激光器);3-晶體徉品;4-毅物臺(tái)圖1國(guó)家機(jī)械工業(yè)局1999一08一06抵雁200

4、0一01一01實(shí)施JB/T9495.5-19995光源及樣品5，光源為2mW氮氛激光器和IOOW白熾燈泡兩種‘5.2樣品:被測(cè)小塊光學(xué)晶體各面均須拋光。粗糙度為R.6.3pm。大塊光學(xué)晶體各面均須細(xì)磨，然后用浸液Nit,浸液折射率應(yīng)與被側(cè)樣品折射率相近‘差值么。=土1x10"',6測(cè)且6.1側(cè)t應(yīng)在暗室中進(jìn)行。6.2將被測(cè)晶體放在載物臺(tái)上(未拋光的晶體放在液槽內(nèi).然后倒人配好的浸液，將晶體全部浸沒為止)。6.3接通電源，點(diǎn)嫩激光光源(?1nW氦氖激光管)。6.4用2m'W氦氮激光照明，觀察晶體內(nèi)散射顆粒，按J

5、B/T9495.1-1999中5.2.4.2的規(guī)定對(duì)被測(cè)晶體分類6.5將晶體it于100W白熾燈光照射下計(jì)數(shù)晶體內(nèi)散射顆粒(直徑d>0.05mm)的總截面積，按JB/T94951-1999中5.2.4.1的規(guī)定對(duì)被測(cè)晶體分級(jí)。7測(cè)試報(bào)告將MR結(jié)果填人表1的測(cè)盆報(bào)告。表1光學(xué)晶體散射順粒度測(cè)f報(bào)告單散射順拉度品種爐號(hào)級(jí)別類別