光伏電池制造工藝及應(yīng)用參考答案

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------光伏電池制造工藝及應(yīng)用參考答案復(fù)習(xí)資料一、填空題(28)1、我們公司主要使用的太陽能電池材料是_單晶硅_。2、化學(xué)清洗中HCL的作用_去除金屬離子_。3、我們公司生產(chǎn)的單晶硅片是N型還是P型硅_P型_。4、制絨的目的是:去除表面污垢和金屬雜質(zhì)、去除硅片表面的損傷層、增加PN結(jié)的表面積、形成絨面減少反射增強陽光的吸收。5、制絨工藝化學(xué)反應(yīng)方程式

2、__SI+NAOH→NA2SIO3+H2__。6、去PSG工藝化學(xué)總方程式__SIO2+HF→H2SIF6+H2O__。7、硅片在切割的過程中所造成的損傷層約__10um左右。8、制絨工藝主要控制點__減薄量__、__反射率___、_外觀__、_絨面成活率__。9、單晶制絨是利用晶體硅的___100__、___111___不同晶向在__堿溶液___中進(jìn)行__各向異性____腐蝕的特性。10、擴散過程中應(yīng)用氣體、、。11、擴散在電池片上主要目的是形成一層。12、進(jìn)入擴散間必須經(jīng)過,穿戴好、、13、擴散方塊電阻不均勻度,同一硅片擴散方

3、塊電阻不均勻度。14、檢測方塊電阻用到儀器,測試時擴散面向。——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------15、清洗石英器件所需要的化學(xué)品、,清洗時應(yīng)戴好積服,戴好乳膠手套、防酸長手套。16、POCl3在高溫下(>600℃)分解的反應(yīng)式為__,其中生成的P2O5在擴散溫度下與硅反應(yīng)式為,在有氧氣的存在時,P

4、OCl3熱分解的反應(yīng)式為(POCL3+O2=2P205+6CL2)。17、PECVD的中文名稱:18、PECVD鍍膜方式、兩種。19、鍍減反射膜需要用到四種氣體。20、鍍膜是以兩個參數(shù)為工藝依據(jù),影響鍍膜質(zhì)量的有:管內(nèi)特氣流量比、功率、時間(或傳輸速度)、溫度。21、PECVD用儀器來檢測其質(zhì)量的好壞。22、絲網(wǎng)印刷機的壓縮空氣壓強要求,真空壓強要求24、絲網(wǎng)印刷有大要素組成,分別是25、絲網(wǎng)印刷添加漿料必須遵守26、燒結(jié)爐的作用是其具有電阻特性;通過高溫?zé)Y(jié),使上下電極形成良好的歐姆接觸;提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。27、燒結(jié)爐的流程

5、有、、、、28、燒結(jié)爐的關(guān)機步驟需要注意的是,才可以停止傳送帶。29、測試條件要求光強、溫度、光譜分布二、選擇題(12)1、清洗間所涉及的化學(xué)品有(ABCD)。A氫氧化鈉B氫氟酸C鹽酸——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------D硝酸2、磷硅玻璃是有(BC)組成。ACF4BSiO2C磷DSiF43、刻蝕工藝會影

6、響電池片的哪項電性能?(A)A并聯(lián)電阻B開路電壓C短路電流D串聯(lián)電阻4、下列方程式中屬于刻蝕工藝的是(C)ASiF4+2HF→H2[SiF6]BCF4+SiO2——→SiF4+CO2↑1復(fù)習(xí)資料CCF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑DSiO2+4HF——→SiF4+2H2O5、單晶絨面呈(B)形。A三角形B金字塔形C圓形D正方形6、擴散潔凈度要求是___C___。A10萬級B100萬級C1萬級D1000萬級7、電阻測試___C___個點。A4B3C5D68、硅片擴散工藝結(jié)束后應(yīng)抽取__A____片來檢測。————————

7、——————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------A5B6C3D49、POCl3是一種__D___液體。A白色B紅色C浮白色D無色10、減反射膜的化學(xué)式是。(A)A、3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2B、CF4+Si+O2=SiF4+CO2C.Si+NaOH=Na2SiO3+H2D.H2+O2=H2O11、電池片鍍膜的厚度是

8、利用光學(xué)中的____原理來減少反射。(C)A、光程差。B、相長干涉C、相消干涉D、光的衍射12、電池片SiNx:H薄膜鍍膜厚度和折射率一般控制在(B)A、65nm,1.8—1.9B.2.0—2.12.2---2.3D.50—60nm,2.5---2

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