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《高熔點(diǎn)單晶生長用銥坩堝制備技術(shù)及應(yīng)用》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、第34卷第3期PreciousMetalsVol.34,No.3高熔點(diǎn)單晶生長用銥坩堝制備技術(shù)及應(yīng)用唐會毅，李國綱，吳保安，汪建勝，陳德茂，劉慶賓(國家儀表功能材料工程技術(shù)研究中心，重慶材料研究院有限公司，重慶400707)摘要：銥坩堝作為高熔點(diǎn)單晶生長容器具備高溫性能優(yōu)異、耐持久性、溫度場均勻、抗氧化中毒、良好的抗熱震性等性能。采用高頻熔煉熱澆鑄和熱加工制備了大直徑銥坩堝，具有材料純度高、晶粒細(xì)小、組織均勻、致密度高、加工性能優(yōu)異等特點(diǎn)，其高溫力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性和服役壽命等均有明顯提高。在不同溫度進(jìn)行退火處理，并進(jìn)行了顯微組織分析和顯微硬度測試。結(jié)果表明，適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟?/p>
2、和加工率可以降低銥板材的硬度，改善材料的塑性變形及加工能力。獲得了適合大直徑銥坩堝熱加工制度為：退火溫度在1300~1500℃，道次加工率為10%~15%。關(guān)鍵詞：金屬材料；銥坩堝；單晶；大直徑；熱澆鑄；熱加工中圖分類號：TG146.3+4文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A文章編號：1004-0676(2013)03-0046-04ThePreparationTechnologyandApplicationofIridiumCrucibleUsedintheGrowthofHighMeltingPointSingleCrystalsTANGHuiyi,LIGuogang,WUBaoan,WA
3、NGJiansheng,CHENDemao,LIUQingbin(NationalInstrumentFunctionalMaterialsEngineeringTechnologyResearchCenters,ChongqingMaterialsResearchInstituteCo.Ltd.,Chongqing400707,China)Abstract:Iridiumcruciblehasexcellentproperties,suchasexcellenthightemperaturemechanicalproperty,durability,temperatur
4、efielduniformity,aswellasoxidationresistance,thermalshockresistance,andsoon.Thelargediameteriridiumcruciblewassuccessfullyfabricatedbyhighfrequencysmelting,hotcastingandhotprocessing.Theiridiumpreparedcruciblehasexcellentproperties,suchasfinecrystalgrain,homogeneityofstructureanddense,goo
5、dprocessingperformance.Anditsignificantlyimprovedhightemperatureproperties,thermalstabilityandlonglifetimes.ThemicrostructureandVickershardnessofiridiumsamplestreatedatdifferenttemperaturewereanalyzed.Theresultsshowthattheappropriateannealingtemperaturecouldreducethehardnessandimproveplas
6、ticdeformationandprocessingperformance.Thesuitabletemperatureparametertofabricatethelargediameteriridiumcrucibleis1300~1500℃,andthepassdeformationis10%~15%.Keywords:metalmaterial;iridiumcrucible;singlecrystal;largediameter;hotcasting;hotprocessing光學(xué)及光電子學(xué)用高熔點(diǎn)單晶如釔鋁石榴石(YAG)、鍺鎵石榴石(GGG)、紅寶石、以及
7、鎢酸鹽、鈦酸鹽、氟磷酸鈣、氟釩酸鈣等的生長正趨向于大尺寸、集成化，技術(shù)指標(biāo)更高。單晶直拉法是目前生產(chǎn)單晶的主流方法，其主要原理為：建立相應(yīng)的溫度場，在固-液界面形成一定過冷度，在籽晶上進(jìn)行結(jié)晶。高熔點(diǎn)單晶生長的容器需具備耐高溫(工作溫度為1900~2200℃)、耐持久性、溫度場均勻、同時具備高的強(qiáng)度和硬度、良好的抗熱震性、良好的耐磨性、抗腐蝕性，且有在高溫下具有抗氧化中毒以及長的服役壽命等性能[1]。貴金屬銥作為一種高熔點(diǎn)(熔點(diǎn)為2443℃)的面心立方晶體材料，具有很高的強(qiáng)度和硬度、很好的耐磨性、抗腐蝕性，高溫抗氧化等性能。但
