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《基于.um工藝cmos帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì) 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、成都信息工程學(xué)院學(xué)位論文基于0.18um工藝CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)論文作者姓名:申請(qǐng)學(xué)位專業(yè):微電子學(xué)申請(qǐng)學(xué)位類別:工學(xué)學(xué)士指導(dǎo)教師姓名(職稱):論文提交日期:2012年06月04日基于0.18um工藝CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)摘要本文首先介紹了基準(zhǔn)源的發(fā)展,引出帶隙基準(zhǔn)源,并介紹了它的基本工作原理、溫度補(bǔ)償原理;然后指出了限制其性能的主要因素,并針對(duì)這些限制因素給出了改進(jìn)電路,分析了低電源電壓、低功耗、高精度和高PSRR四種類型的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。接著對(duì)BANBA結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真,并介紹了其版圖布局要點(diǎn)??紤]到實(shí)際電路影響因素,對(duì)電路進(jìn)行了修改
2、,加入了自啟動(dòng)電路、PSRR增強(qiáng)電路和可修調(diào)電阻陣列。設(shè)計(jì)出了具有很好溫度特性和較高電源抑制比的低壓帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。仿真結(jié)果,0℃~140℃溫度范圍內(nèi),基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)為0.62ppm/℃,在低頻時(shí)電源抑制比為-66.9dB,最低電源電壓為1.1V。啟動(dòng)時(shí)間為500。功耗為453.9uW。通過高階溫度補(bǔ)償技術(shù),目前國內(nèi)帶隙基準(zhǔn)溫度系數(shù)最低可達(dá)0.3ppm/℃。一階補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)的溫度系數(shù)一般大于10ppm/℃,高階補(bǔ)償后的溫度系數(shù)也很難小于1ppm/℃且電路都很復(fù)雜。因此本文中溫度系數(shù)的指標(biāo)達(dá)到了國內(nèi)先進(jìn)水平。最后,通過數(shù)學(xué)建模的方法,對(duì)BAN
3、BA結(jié)構(gòu)仿真結(jié)果進(jìn)行了分析,并得出啟示:在實(shí)際電路中,電阻和電流的大小都是關(guān)于溫度T的多項(xiàng)式之和,這就給一階溫度補(bǔ)償電路進(jìn)行高階溫度補(bǔ)償提供了條件和可能。本文最后引申出了一種新的溫度補(bǔ)償思想,并給出了一些實(shí)際電路中的調(diào)參思路。目前許多高階溫度補(bǔ)償電路都是很復(fù)雜的,因此該思想具有很大的利用和發(fā)展空間。關(guān)鍵詞:帶隙基準(zhǔn)源;溫度補(bǔ)償;可修調(diào)電阻陣列;數(shù)學(xué)建模;TheDesignofBandgapReferenceVoltageSourceBasedon0.18umProcessAbstractInthefirstpartofthisarticle,wer
4、esearchthebandgapreferencesourceanditsdevelopments,thenintroduceitsbasicprincipleandtemperaturecompensationprinciple.Inthesecondpart,wepointoutthemainfactorsrestrictingitsperformanceandgiveimprovedcircuitaccordingtotheselimitingfactors,andanalyzethelowpowersupplyvoltage,thelow
5、powerconsumption,thehighprecisionandthehighPSRR,fourtypesofCMOSbandgapreferencesources.Inthethirdpart,wesimulateBANBAstructureofthebandgapreference,andintroducethelayoutpoints.Consideringtheactualfactorsinfluencingcircuit,wemodifythecircuit,andaddthestart-upcircuit,PSRRenhance
6、circuitandrepairableresistorarray.Asaresult,wedesignalowpowersupplyvoltageandquiethighprecisionCMOSbandgapvoltagereference.Thesimulationresultsshowthat,atthetemperaturerangeof0℃to140℃,thetemperaturecoefficient(TC)isabout0.62ppm/℃.Inthelowfrequency,theaveragepowersupplyrejectio
7、nratioismorethan-66.9dB.Theminimumofpowersupplyvoltageis1.1V,Powerconsumptionis453.9uWandithasaturn-ontimelessthan500ns.Throughthehighordertechniqueoftemperaturecompensation,thelowesttemperaturecoefficientisabout0.3ppm/℃atpresentinourcountry.thetemperaturecoefficientisusuallyh
8、igherthan10ppm/℃inthefirstordercompensationcircuit,andit'sver