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《電化學腐蝕多晶硅表面織構的研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、畢業(yè)設計(論文)題目：電化學腐蝕多晶硅表面織構的研究系別材料工程系專業(yè)名稱高分子材料與工程班級學號078102112學生姓名江龍迎指導教師王應民二O一一年五月學士學位論文原創(chuàng)性聲明本人聲明，所呈交的論文是本人在導師的指導下獨立完成的研究成果。除了文中特別加以標注引用的內容外，本論文不包含法律意義上已屬于他人的任何形式的研究成果,也不包含本人已用于其他學位申請的論文或成果。對本文的研究作出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式表明。本人完全意識到本聲明的法律后果由本人承擔。作者簽名：日期：年月日學位論文版權使
2、用授權書本學位論文作者完全了解學校有關保留、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向國家有關部門或機構送交論文的復印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權南昌航空大學科技學院可以將本論文的全部或部分內容編入有關數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存和匯編本學位論文。作者簽名：日期：年月日導師簽名：日期：年月日電化學腐蝕多晶硅表面織構的研究學生姓名：江龍迎班級：0781021指導老師：王應民摘要：多晶硅片表面織構化可以極大程度地提高太陽電池光電轉換效率。目前，工業(yè)化多晶硅太陽電池表面織構大多采用化
3、學酸腐蝕技術，即在HF-HNO3腐蝕體系添加緩蝕劑和助劑，增加可見光的吸收。該工藝過程將排出大量濃酸廢液，給后處理帶來諸多不便。采用電化學腐蝕多晶硅，不僅可以減少HF酸的使用量，而且腐蝕液還可以循環(huán)使用，較大程度降低了生產成本。本文采用電化學腐蝕技術，通過調節(jié)工作電極的電流密度，在線監(jiān)測多晶硅腐蝕過程E-t變化規(guī)律，使用掃描電鏡觀察多晶硅表面形貌，控制多晶硅氧化-溶解速率，達到優(yōu)化電化學腐蝕工藝的目的。具體研究了電化學腐蝕液配比、電流密度，腐蝕時間等工藝條件對多晶硅片絨面顯微組織結構的影響。實驗表明：在電化學腐
4、蝕液HF:C2H5OH=1:1，腐蝕電流密度為30mA/cm2，腐蝕時間120s，可以得到較為理想的多晶硅絨面，腐蝕深度達到1.5~2μm，平均孔徑為2~4μm，達到良好的光陷阱作用和減反射效果。關鍵詞：多晶硅；電化學腐蝕；絨面指導老師簽名：ElectrochemicalcorrosionpolycrystallinesiliconsurfacetextureofresearchStudentname:JiangLongYingClass:0781021Supervisor:WangYingminAbstrac
5、t:Polycrystallinesiliconsliceofsurfacetexturecandramaticallyimprovethesolarphotoelectricconversionefficiency.Atpresent,theindustrializationpolycrystallinesiliconsolarcellsurfacetextureisusedmostlychemicalacidstechnique,namelyHNO3corrosionsysteminHFaddinginhi
6、bitorandaccelerants,increasetheabsorptionofvisiblelight.Theprocesswillleachoutlargeconcentratedacidliquid,givepost-processingtobringalotofinconvenience.Usingelectrochemicalcorrosionpolysilicon,cannotonlyreducetheusageofHFacid,andamordantcanrecycle,alargerdeg
7、reehasreducedproductioncost.Thispaperadoptedbyadjustingtheelectrochemicalcorrosiontechnology,thecurrentdensitynanoelectrode,on-linemonitoringpolysiliconcorrosionprocessE-tchangerule,usingscanningelectronmicroscopy(SEM),surfacemorphologycontrolpolysiliconoxid
8、ation-dissolvedrate,optimizethepurposeofelectrochemicalcorrosionprocess.Thispaperstudiestheelectrochemicalcorrosiontoliquidratio,currentdensity,corrosiontimewaitingfortechnologicalconditionsofpo
