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《電化學(xué)腐蝕多晶硅表面織構(gòu)研究分析》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。
1、...頁眉畢業(yè)設(shè)計(論文)題目：電化學(xué)腐蝕多晶硅表面織構(gòu)的研究系別材料工程系專業(yè)名稱高分子材料與工程班級學(xué)號078102112學(xué)生姓名江龍迎指導(dǎo)教師王應(yīng)民二O一一年五月....頁腳...頁眉學(xué)士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人聲明，所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨立完成的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外，本論文不包含法律意義上已屬于他人的任何形式的研究成果,也不包含本人已用于其他學(xué)位申請的論文或成果。對本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個人和集體，均已在文中以明確方式表明。本人完全意識到本聲明的法律后果由本人承擔(dān)。作者簽名：日期：年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保
2、留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)南昌航空大學(xué)科技學(xué)院可以將本論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。作者簽名：日期：年月日導(dǎo)師簽名：日期：年月日....頁腳...頁眉電化學(xué)腐蝕多晶硅表面織構(gòu)的研究學(xué)生姓名：江龍迎班級：0781021指導(dǎo)老師：王應(yīng)民摘要：多晶硅片表面織構(gòu)化可以極大程度地提高太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率。目前，工業(yè)化多晶硅太陽電池表面織構(gòu)大多采用化學(xué)酸腐蝕技術(shù)，即在HF-HNO3腐蝕體系添加緩蝕劑和助劑，增加可見光的吸收。該工藝過程將排
3、出大量濃酸廢液，給后處理帶來諸多不便。采用電化學(xué)腐蝕多晶硅，不僅可以減少HF酸的使用量，而且腐蝕液還可以循環(huán)使用，較大程度降低了生產(chǎn)成本。本文采用電化學(xué)腐蝕技術(shù)，通過調(diào)節(jié)工作電極的電流密度，在線監(jiān)測多晶硅腐蝕過程E-t變化規(guī)律，使用掃描電鏡觀察多晶硅表面形貌，控制多晶硅氧化-溶解速率，達(dá)到優(yōu)化電化學(xué)腐蝕工藝的目的。具體研究了電化學(xué)腐蝕液配比、電流密度，腐蝕時間等工藝條件對多晶硅片絨面顯微組織結(jié)構(gòu)的影響。實驗表明：在電化學(xué)腐蝕液HF:C2H5OH=1:1，腐蝕電流密度為30mA/cm2，腐蝕時間120s，可以得到較為理想的多晶硅絨面，腐蝕深度達(dá)到1.5~2μm，平均孔徑為2~4μm，
4、達(dá)到良好的光陷阱作用和減反射效果。關(guān)鍵詞：多晶硅；電化學(xué)腐蝕；絨面指導(dǎo)老師簽名：....頁腳...頁眉ElectrochemicalcorrosionpolycrystallinesiliconsurfacetextureofresearchStudentname:JiangLongYingClass:0781021Supervisor:WangYingminAbstract:Polycrystallinesiliconsliceofsurfacetexturecandramaticallyimprovethesolarphotoelectricconversionefficien
5、cy.Atpresent,theindustrializationpolycrystallinesiliconsolarcellsurfacetextureisusedmostlychemicalacidstechnique,namelyHNO3corrosionsysteminHFaddinginhibitorandaccelerants,increasetheabsorptionofvisiblelight.Theprocesswillleachoutlargeconcentratedacidliquid,givepost-processingtobringalotofinco
6、nvenience.Usingelectrochemicalcorrosionpolysilicon,cannotonlyreducetheusageofHFacid,andamordantcanrecycle,alargerdegreehasreducedproductioncost.Thispaperadoptedbyadjustingtheelectrochemicalcorrosiontechnology,thecurrentdensitynanoelectrode,on-linemonitoringpolysiliconcorrosionprocessE-tchanger
7、ule,usingscanningelectronmicroscopy(SEM),surfacemorphologycontrolpolysiliconoxidation-dissolvedrate,optimizethepurposeofelectrochemicalcorrosionprocess.Thispaperstudiestheelectrochemicalcorrosiontoliquidratio,currentdensity,corrosiontim
