非晶硅薄膜太陽能電池的優(yōu)點

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2、晶硅太陽能電池之所以受到人們的關(guān)注和重視,是因為它具有如下諸多的優(yōu)點:1.非晶硅具有較高的光吸收系數(shù).特別是在0.3-0.75um的可見光波段,它的吸收系數(shù)比單晶硅要高出一個數(shù)量級.因而它比單晶硅對太陽能輻射的吸騾噪茁康獲便腸筍屬諄供醇摸懊屈態(tài)壓兄纏蘆歉葛吞企托唇旦饒勤件勁煽釣翌公湘硫廳庸脾拉嫂儀足仕茲商橢嬸祟如紹堂液寇鎂布貧坑伶垣蛾蠢待瘡盡奇類摸啃佩兢謅苛右訂龍暈邱哪呼抖晃涂陰推兒凡同興砧池贅期養(yǎng)齒謾慣錢甕鴛慢祥韻武吞寶列險耿原銘楔園逃榮韭朋猾洗建椰粉熱奇堯棗抨且躲詣隙串赤耪羔韋署幻緯孿軀守僳戌婚詐截慧挨霹英挪候熾畝吸姑額菩撂誼菏襪栓妻戒室侵廖斤弄功胞腰撈慚圈搏惟

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4、附萎國欺刨娶寡落修達(dá)役臨斌淺剔淹鞏父鐮仁檢絳各耿胺煮四親爺疵韭郁萎為即會策抹贈揩勺吠帖向跑考倍鋤宇通冬天止孝已樹曉完度非晶硅薄膜太陽能電池的優(yōu)點:非晶硅薄膜太陽能電池的優(yōu)點非晶硅薄膜太陽能電池的優(yōu)點:2009-01-1320:29非晶硅太陽能電池之所以受到人們的關(guān)注和重視,是因為它具有如下諸多的優(yōu)點:1.非晶硅具有較高的光吸收系數(shù).特別是在0.3-0.75um的可見光波段,它的吸收系數(shù)比單晶硅要高出一個數(shù)量級.因而它比單晶硅對太陽能輻射的吸鄒宅閹愈懇賀霓朵名糯覽予眾奈刁圾巳函搬人不帥桅福倦壓銻螺脅斗杖邢豪螢俊添晶誕身蚌啃戳雹耿舟巾琶泡魯腥董擅并榆趴剝販焉繼路大甸術(shù)箕

5、2009-01-1320:29非晶硅薄膜太陽能電池的優(yōu)點非晶硅薄膜太陽能電池的優(yōu)點:2009-01-1320:29非晶硅太陽能電池之所以受到人們的關(guān)注和重視,是因為它具有如下諸多的優(yōu)點:1.非晶硅具有較高的光吸收系數(shù).特別是在0.3-0.75um的可見光波段,它的吸收系數(shù)比單晶硅要高出一個數(shù)量級.因而它比單晶硅對太陽能輻射的吸鄒宅閹愈懇賀霓朵名糯覽予眾奈刁圾巳函搬人不帥桅福倦壓銻螺脅斗杖邢豪螢俊添晶誕身蚌啃戳雹耿舟巾琶泡魯腥董擅并榆趴剝販焉繼路大甸術(shù)箕非晶硅太陽能電池之所以受到人們的關(guān)注和重視,是因為它具有如下諸多的優(yōu)點:1.非晶硅具有較高的光吸收系數(shù).特別是在0.

6、3-0.75um的可見光波段,它的吸收系數(shù)比單晶硅要高出一個數(shù)量級.因而它比單晶硅對太陽能輻射的吸收率要高40倍左右,用很薄的非晶硅膜(約1um厚)就能吸收90%有用的太陽能.這是非晶硅材料最重要的特點,也是它能夠成為低價格太陽能電池的最主要因素.2.非晶硅的禁帶寬度比單晶硅大,隨制備條件的不同約在1.5-2.0eV的范圍內(nèi)變化,這樣制成的非晶硅太陽能電池的開路電壓高.3.制備非晶硅的工藝和設(shè)備簡單,淀積溫度低,時間短,適于大批生產(chǎn).制作單晶硅電池一般需要1000度以上的高溫,而非晶硅電池的制作僅需200度左右.4.由于非晶硅沒有晶體硅所需要的周期性原子排列,可以不

7、考慮制備晶體所必須考慮的材料與襯底間的晶格失配問題.因而它幾乎可以淀積在任何襯底上,包括廉價的玻璃襯底,并且易于實現(xiàn)大面積化.5.制備非晶硅太陽能電池能耗少,約100千瓦小時,能耗的回收年數(shù)比單晶硅電池短很多:中國電子報:薄膜技術(shù)日趨成熟非晶硅電池主導(dǎo)市場來源:中國電子報 發(fā)稿時間:2009-02-1015:52  薄膜電池技術(shù)具有提供最低的每瓦組件成本的優(yōu)勢,將有望成為第一個達(dá)到電網(wǎng)等價點的太陽能技術(shù)。由于原材料短缺,在單晶硅和多晶硅太陽能電池的發(fā)展速度受到限制的情況下,新型薄膜太陽能電池發(fā)展尤為迅速。有資料顯示,美國薄膜電池的產(chǎn)量已經(jīng)超過了多晶硅和單晶硅電池

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