用于非晶硅薄膜太陽能電池的AZO薄膜研究

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1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文用于非晶硅薄膜太陽能電池的AZO薄膜研究姓名:楊艷艷中請學(xué)位級別:碩士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:曾祥斌2011-01-18摘要原位濺射的AZO薄膜由于英優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)和壓電特性以及其在薄膜電池和平板顯示器上的應(yīng)用前景引起了廣泛的關(guān)注。另外,類單晶AZO薄膜由于其獨(dú)特的性質(zhì),在光電器件尤其是非晶硅薄膜太陽能電池應(yīng)用領(lǐng)域作用特殊。本文屮利用射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上制備了類單品AZO透明導(dǎo)電薄膜。研究了工藝參數(shù)對原位沉積的類單晶AZO薄膜的影響。XRD衍射圖說明了制備的類單晶AZO導(dǎo)電膜

2、的結(jié)晶性隨著襯底溫度和射頻功率的升高變好。優(yōu)化的條件下的類單晶AZO薄膜具有優(yōu)異的C軸擇優(yōu)取向和兒乎與單晶一樣的尖銳的XRD衍射圖譜。從FESEM可以看岀類單晶AZO薄膜都具有均勻的晶粒,晶粒尺寸隨著襯底溫度和射頻功率的升高增加。在襯底溫度較低時制備的AZO薄膜,可以觀察到不規(guī)則的隕石坑和柱狀的結(jié)構(gòu),而當(dāng)襯底溫度較高時,觀察到的形狀是卵石狀的。類單晶AZO薄膜在400-800nm的可見光區(qū)平均透過率為85%。在優(yōu)化的工藝條件,襯底溫度300°C,射頻功率140W制備的薄膜晶粒尺寸為76.489nm,電阻率為4.176xl

3、O_4Qcmo另一方而,本文屮利用磁控濺射在室溫下不同襯底上制備了AZO薄膜,并對不同襯底上的薄膜進(jìn)行了對比。發(fā)現(xiàn)襯底對薄膜的特性有一定的影響,但是PI和不銹鋼也很適合作為制備高質(zhì)量AZO薄膜的襯底,雖然比玻璃上的AZO薄膜的性能稍并,但是,PI和不銹鋼上的AZO薄膜也都具冇良好的C軸擇優(yōu)取向,較好的結(jié)品性和低的電阻率。沉積在PI和不銹鋼襯底上的AZO薄膜的電阻率分別為6.336x10'4Qcm和1.252xl0'3Qcmo不同襯底上的AZO薄膜在可見光區(qū)的透過率都是85%,襯底對薄膜的透過率幾乎沒冇影響。關(guān)鍵詞:類單晶

4、AZO薄膜,電阻率,透過率,原位沉積,太陽能電池AbstractInsitusputteredAZOthinfilmattractedmuchattentionbecauseofthemanyvarietyapplicationslikeflatpaneldisplaysandthinfilmsolarcellsowingtoitsgoodelectrical,opticalandpiezoelectricproperties.Additionally,quasi-crystalAZOthinfilmprovidinga

5、differentshapeandhighersurfaceareamightexhibitsomeinterestingpropertiesunattainablebyothernanostructures,whichissupposedtobeveryattractiveforoptoelectronicdevicesespeciallyforsolarcellsandflatpaneldisplays.Quasi-crystalaluminum-dopedzincoxide(AZO)filmswereprepare

6、dbyinsituradiofrequency(RF)magnetronsputtering(sputteringwithoutannealing)onglasssubstrates.Theinfluenceofdepositionparametersontheoptoelectronicandstructuralpropertiesoftheinsitudepositedquasi-crystalAZOfilmswasinvestigatedinordertocompareresultingsamples.Thequa

7、si-crystalAZOthinfilmshaveexcellentcrystallizationimprovedwithincreaseoftheRFpowerandsubstratetemperature,withanextremelypreferentialc-axisorientationexhibitsharpandnarrowXRDpatternsimilartothatofsingle-crystal?Fieldemissionscanningelectronmicroscopy(FESEM)images

8、showthatquasi-crystalAZOthinfilmshaveuniformgrainsandthegrainsizeincreasewiththeincreaseofRFpowerandsubstratetemperature.Cratersofirregularsizewiththecolumnars

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