資源描述：
《用于非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的AZO薄膜研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫(kù)。
1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文用于非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的AZO薄膜研究姓名:楊艷艷中請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：曾祥斌2011-01-18摘要原位濺射的AZO薄膜由于英優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)和壓電特性以及其在薄膜電池和平板顯示器上的應(yīng)用前景引起了廣泛的關(guān)注。另外，類(lèi)單晶AZO薄膜由于其獨(dú)特的性質(zhì)，在光電器件尤其是非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池應(yīng)用領(lǐng)域作用特殊。本文屮利用射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上制備了類(lèi)單品AZO透明導(dǎo)電薄膜。研究了工藝參數(shù)對(duì)原位沉積的類(lèi)單晶AZO薄膜的影響。XRD衍射圖說(shuō)明了制備的類(lèi)單晶AZO導(dǎo)電膜
2、的結(jié)晶性隨著襯底溫度和射頻功率的升高變好。優(yōu)化的條件下的類(lèi)單晶AZO薄膜具有優(yōu)異的C軸擇優(yōu)取向和兒乎與單晶一樣的尖銳的XRD衍射圖譜。從FESEM可以看岀類(lèi)單晶AZO薄膜都具有均勻的晶粒，晶粒尺寸隨著襯底溫度和射頻功率的升高增加。在襯底溫度較低時(shí)制備的AZO薄膜，可以觀察到不規(guī)則的隕石坑和柱狀的結(jié)構(gòu)，而當(dāng)襯底溫度較高時(shí)，觀察到的形狀是卵石狀的。類(lèi)單晶AZO薄膜在400-800nm的可見(jiàn)光區(qū)平均透過(guò)率為85%。在優(yōu)化的工藝條件，襯底溫度300°C,射頻功率140W制備的薄膜晶粒尺寸為76.489nm,電阻率為4.176xl
3、O_4Qcmo另一方而，本文屮利用磁控濺射在室溫下不同襯底上制備了AZO薄膜，并對(duì)不同襯底上的薄膜進(jìn)行了對(duì)比。發(fā)現(xiàn)襯底對(duì)薄膜的特性有一定的影響，但是PI和不銹鋼也很適合作為制備高質(zhì)量AZO薄膜的襯底，雖然比玻璃上的AZO薄膜的性能稍并,但是，PI和不銹鋼上的AZO薄膜也都具冇良好的C軸擇優(yōu)取向，較好的結(jié)品性和低的電阻率。沉積在PI和不銹鋼襯底上的AZO薄膜的電阻率分別為6.336x10'4Qcm和1.252xl0'3Qcmo不同襯底上的AZO薄膜在可見(jiàn)光區(qū)的透過(guò)率都是85%,襯底對(duì)薄膜的透過(guò)率幾乎沒(méi)冇影響。關(guān)鍵詞：類(lèi)單晶
4、AZO薄膜，電阻率，透過(guò)率，原位沉積，太陽(yáng)能電池AbstractInsitusputteredAZOthinfilmattractedmuchattentionbecauseofthemanyvarietyapplicationslikeflatpaneldisplaysandthinfilmsolarcellsowingtoitsgoodelectrical,opticalandpiezoelectricproperties.Additionally,quasi-crystalAZOthinfilmprovidinga
5、differentshapeandhighersurfaceareamightexhibitsomeinterestingpropertiesunattainablebyothernanostructures,whichissupposedtobeveryattractiveforoptoelectronicdevicesespeciallyforsolarcellsandflatpaneldisplays.Quasi-crystalaluminum-dopedzincoxide(AZO)filmswereprepare
6、dbyinsituradiofrequency(RF)magnetronsputtering(sputteringwithoutannealing)onglasssubstrates.Theinfluenceofdepositionparametersontheoptoelectronicandstructuralpropertiesoftheinsitudepositedquasi-crystalAZOfilmswasinvestigatedinordertocompareresultingsamples.Thequa
7、si-crystalAZOthinfilmshaveexcellentcrystallizationimprovedwithincreaseoftheRFpowerandsubstratetemperature,withanextremelypreferentialc-axisorientationexhibitsharpandnarrowXRDpatternsimilartothatofsingle-crystal?Fieldemissionscanningelectronmicroscopy(FESEM)images
8、showthatquasi-crystalAZOthinfilmshaveuniformgrainsandthegrainsizeincreasewiththeincreaseofRFpowerandsubstratetemperature.Cratersofirregularsizewiththecolumnars
