igbt安裝工藝規(guī)范

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1、IGBT安裝工藝規(guī)范1?目的本規(guī)范用于指導(dǎo)IGBT的整機裝配工藝，以保障其性能，提高產(chǎn)品可靠性。2.適用范圍適用于模塊封裝型IGBT。3.規(guī)范性引用文件螺紋緊固丄藝規(guī)范硅脂涂覆工藝規(guī)范TGBT器件廠家資料4.定義和術(shù)語IGBT：InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型扁體管，是由BJT（雙極型三極管）和M0S（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有M0SEET的高輸入阻抗和GTK的低導(dǎo)通壓降兩方而的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流

2、較大；M0SFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合放用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、幵關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。5.技術(shù)要求5.1IGBT對儲存和生產(chǎn)環(huán)境的要求5.1.1生產(chǎn)環(huán)境溫度25±5°C,相對濕度S75%RH。5.1.2儲存環(huán)境溫度3-35°C,相對濕度45-75%RHo5.1.3倉儲、生產(chǎn)必須按IGBT的原包裝存放和運輸，質(zhì)檢部門檢測完畢沿應(yīng)恢復(fù)原包裝，在焊接、檢驗之外的任何環(huán)節(jié)不得

3、拔棹TGBT門極和發(fā)射極上的短路環(huán)。5.1.4使用部門暫時保存的IGBT,必須嚴格執(zhí)行防靜電要求和措施，使用防靜電容器盛放，并確保TGBT門極和發(fā)射極被短路環(huán)吋靠短路。5.1.5IGBT屬貴重器件，任何儲存或使用等部門均必須嚴格控制和妥善保存(必要吋加鎖)，嚴禁隨意擺放、防止丟失和人為損壞。更換下來的TGBT不得丟棄，存放方法同良品，并及吋通過品質(zhì)管理部收集進行失效分析。5.2IGBT的焊接5.2.1接觸IGBT的人員必須穿防靜電鞋、戴干凈手套。操作臺、電烙鐵、防靜電手腕必須嚴格接地。否則，不允許對1GBT進行

4、操作。操作過程屮的嚴格執(zhí)行靜電防護要求。5.2.2焊接前檢查：焊接前要對IGBT來料進行檢查，IGBT外觀應(yīng)無損傷，螺紋良好。5.2.3焊接：按照操作指導(dǎo)書文件的操作耍求和焊接溫度進行手工焊接。5.2.4焊接完畢，內(nèi)檢操作無誤后，將1GBT放于原包裝盒內(nèi)或?qū)Ｓ梦锪舷溴?，待下道工序取用?.3IGBT的裝配5.3.1裝配前散熱器的檢查：必須使用檢驗合格的散熱器，散熱器安裝表面必須清潔，沒有灰塵、雜質(zhì)、微粒物等。5.3.2對導(dǎo)熱硅脂的要求：要求導(dǎo)熱硅脂純凈、未受污染、不含任何雜質(zhì)。同時，在生產(chǎn)、操作過程屮要嚴格加強

5、對導(dǎo)熱硅脂使用的管理，屮途不使用吋必須將導(dǎo)熱硅脂密封后放入冰柜屮，不得隨意擺放。操作過程屮不得濺入任何雜質(zhì)如錫渣、金屬物等。5.3.3取待裝配的IGBT,利用絲網(wǎng)工裝或滾輪在IGBT散熱面基板上均勻涂導(dǎo)熱硅脂，一般要求導(dǎo)熱硅脂的厚度為0.08-0.12mm(80um—120um)。硅脂涂覆參考《硅脂涂覆及絲網(wǎng)定位工裝使用工藝規(guī)范》。5.3.4按照如下圖示順序手動安裝預(yù)緊螺釘，預(yù)緊力矩為操作指導(dǎo)書屮對應(yīng)IGBT緊固力矩的20%;按圖示順序和操作指導(dǎo)書屮對應(yīng)的IGBT緊固力矩緊固螺釘，緊固力矩數(shù)據(jù)也可從器件資料巾直

6、接獲得.1432螺釘安裝預(yù)緊順序：1>2?3?4螺釘安裝緊固順序：4―>3―>2―>15.3.51GBT上有需要插接線纜時，在線纜插接過程中不能使用工具，要用手插接，且在插拔時要豎直插拔，不可用手搖擺、晃動插拔，不可用力過猛造成器件插接端子損傷。5.3.6同一臺機器上并聯(lián)使用的IGBT必須使用同一廠家、同一批次的IGBT器件。5.4周轉(zhuǎn)運輸在運輸、擺放過程中，必須嚴格執(zhí)行防靜電要求和措施，使用防靜電容器盛放，避免器件因碰摘、擠壓而受到機械損傷。5.5崗位技能要求5.5.1經(jīng)過技能培訓(xùn)，取得相應(yīng)的上崗合格證。5.

7、5.2熟悉相關(guān)現(xiàn)場作業(yè)、操作工藝規(guī)范、規(guī)程和通用標準，并能嚴格按此執(zhí)行。