硅外延設(shè)備監(jiān)控系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

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1、電子科技大學(xué)UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA碩士學(xué)位論文MASTERDISSERTATION論文題目硅外延設(shè)備監(jiān)控系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)學(xué)科專業(yè)機(jī)械電子工程學(xué)號(hào)201121080234作者姓名黃鑫指導(dǎo)教師朱煜教授分類號(hào)密級(jí)UDC注1學(xué)位論文硅外延設(shè)備監(jiān)控系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)(題名和副題名)黃鑫(作者姓名)指導(dǎo)教師朱煜教授電子科技大學(xué)成都(姓名、職稱、單位名稱)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士學(xué)科專業(yè)機(jī)械電子工程提交論文日期2014.04.23論文答辯日期2014.05.06學(xué)位授予單位和日期電子科技大學(xué)2014年0

2、6月27日答辯委員會(huì)主席評(píng)閱人注1:注明《國(guó)際十進(jìn)分類法UDC》的類號(hào)。SILICONEPITAXIALEQUIPMENT MONITORINGANDCONTROLSYSTEM SOFTWAREDESIGNANDDEVELOPMENTAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:MachineryandElectronicsEngineeringAuthor:HuangXinAdvisor:Prof.ZhuYuSchool:SchoolofMech

3、atronicsEngineering獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知,除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外,論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果,也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。作者簽名:日期:年月日論文使用授權(quán)本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定,有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán),允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可以將學(xué)位

4、論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索,可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。(保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定)作者簽名:導(dǎo)師簽名:日期:年月日摘要摘要IC制造是提升國(guó)民經(jīng)濟(jì)與實(shí)現(xiàn)電子信息現(xiàn)代化的高新產(chǎn)業(yè)之一。IC制造過(guò)程一般需要切片、外延、淀積、光刻、離子注入等多個(gè)工藝制造過(guò)程協(xié)同完成。而硅外延設(shè)備作為IC制造工藝的前端工藝裝備,其設(shè)備生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量直接影響著后續(xù)工藝設(shè)備的產(chǎn)品質(zhì)量,所以對(duì)硅外延工藝過(guò)程進(jìn)行有效監(jiān)控具有著重要的意義。硅外延工藝過(guò)程是一個(gè)需要對(duì)多種氣體(如H2,HCL,SiH4等)進(jìn)行通斷控制,并且在其他輔助設(shè)備的協(xié)同

5、控制下而完成的一個(gè)復(fù)雜的工藝過(guò)程。而在工藝過(guò)程中某一單元設(shè)備的不良參數(shù)處理不及時(shí)將有可能導(dǎo)致硅外延工藝過(guò)程的失敗,影響企業(yè)效益。另一方面,在硅外延工藝過(guò)程中伴隨著易燃、易爆、有毒等危險(xiǎn)氣體的摻雜,如果對(duì)危險(xiǎn)氣體的泄漏不進(jìn)行及時(shí)控制,有可能影響設(shè)備安全與人員的安全,從而造成經(jīng)濟(jì)損失。本文以硅外延設(shè)備為研究對(duì)象,從硅外延設(shè)備的具體需求出發(fā),首先介紹了本文研究的硅外延設(shè)備的功能結(jié)構(gòu)組成,其次分析了硅外延設(shè)備監(jiān)控軟件的整體功能需求與具體的詳細(xì)功能需求。并根據(jù)硅外延設(shè)備監(jiān)控軟件功能的分解,以及從減少模塊間的耦合性、提升軟件的維護(hù)性方面考慮,建立了硅外延設(shè)備監(jiān)控軟件的整

6、體功能模型、模塊間的關(guān)聯(lián)模型、數(shù)據(jù)流模型等,設(shè)計(jì)了組件之間和模塊之間的調(diào)用關(guān)系。最后,從監(jiān)控軟件對(duì)數(shù)據(jù)收集的完整性需求考慮,設(shè)計(jì)了動(dòng)態(tài)的數(shù)據(jù)緩沖隊(duì)列;從硅外延設(shè)備數(shù)據(jù)組織合理性的需求考慮,設(shè)計(jì)了硅外延設(shè)備數(shù)據(jù)的組織結(jié)構(gòu);從硅外延設(shè)備界面信息顯示的實(shí)用性需求考慮,設(shè)計(jì)了基于觀察者模式的界面更新方法,并從軟件的易維護(hù)的考慮出發(fā),對(duì)觀察者模式采用基于事件與委托的方法進(jìn)行優(yōu)化;從硅外延設(shè)備報(bào)警處理需求等方面考慮,對(duì)監(jiān)控軟件模塊中的相關(guān)報(bào)警處理算法進(jìn)行了詳細(xì)的設(shè)計(jì)。在文章的最后,完成了監(jiān)控軟件各組件中的各模塊的具體類的實(shí)現(xiàn),并通過(guò)對(duì)軟件的測(cè)試驗(yàn)證了硅外延設(shè)備監(jiān)控軟件功

7、能的可靠性。關(guān)鍵字:IC制造,硅外延,監(jiān)控軟件,觀察者模式IABSTRACTABSTRACTICmanufacturingisthenationaleconomyandRealizationofelectronicinformationindustryoneofthemodernhigh-techupgrade.ICmanufacturingprocessgenerallyneedtoslice,extension,deposition,lithography,ionimplantation,aprocesscompleted.Whilethesilicon

8、epitaxialequipmentasthefro

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