臺積電全面領(lǐng)先7nm工藝 國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備面臨任何的困境？.doc

《臺積電全面領(lǐng)先7nm工藝 國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備面臨任何的困境？.doc》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。

1、臺積電全面領(lǐng)先7nm工藝國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備面臨任何的困境？　　記者消息，3日晚央視大型紀(jì)錄片《大國重器》第二季第六集《贏在互聯(lián)》重磅播出，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司的7納米芯片刻蝕機(jī)榮幸被收錄其中?！　‖F(xiàn)階段半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能量產(chǎn)的最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)是7nm，臺積電全面領(lǐng)先。在7納米制程設(shè)備方面，囊括了5大設(shè)備商包括應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)臺積電全面領(lǐng)先7nm工藝國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備面臨任何的困境？　　記者消息，3日晚央視大型紀(jì)錄片《大國重器》第二季第六集《贏在互聯(lián)》重磅播出，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司的7納米芯片刻蝕機(jī)榮幸被收錄其中?！　‖F(xiàn)階段

2、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能量產(chǎn)的最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)是7nm，臺積電全面領(lǐng)先。在7納米制程設(shè)備方面，囊括了5大設(shè)備商包括應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)臺積電全面領(lǐng)先7nm工藝國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備面臨任何的困境？　　記者消息，3日晚央視大型紀(jì)錄片《大國重器》第二季第六集《贏在互聯(lián)》重磅播出，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司的7納米芯片刻蝕機(jī)榮幸被收錄其中。　　現(xiàn)階段半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能量產(chǎn)的最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)是7nm，臺積電全面領(lǐng)先。在7納米制程設(shè)備方面，囊括了5大設(shè)備商包括應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)臺積電全面領(lǐng)先7nm工藝國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備面臨

3、任何的困境？　　記者消息，3日晚央視大型紀(jì)錄片《大國重器》第二季第六集《贏在互聯(lián)》重磅播出，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司的7納米芯片刻蝕機(jī)榮幸被收錄其中?！　‖F(xiàn)階段半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能量產(chǎn)的最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)是7nm，臺積電全面領(lǐng)先。在7納米制程設(shè)備方面，囊括了5大設(shè)備商包括應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)、東京威力科創(chuàng)(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半導(dǎo)體。中微是唯一打入臺積電7納米制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商?！　〈朔胍暿珍浀?，就是中微，也是中國自主研發(fā)的第一批7納米芯片刻蝕機(jī)，它采用的是等離子體刻蝕技術(shù)。利用有化學(xué)活性的等離子體，在硅

4、片上雕刻出微觀電路?！　?jù)介紹，在ICP芯片刻蝕中，關(guān)鍵尺寸的大小和芯片溫度有著一一對應(yīng)的關(guān)系。如果我們要求刻蝕均勻性達(dá)到1納米，那么整個(gè)芯片的溫度差異就要控制在2度以內(nèi)。中微自主研發(fā)的溫控設(shè)計(jì)，可以讓刻蝕過程的溫控精度保持在0.75度以內(nèi)，優(yōu)于國際水平。　　氣體噴淋盤是刻蝕機(jī)最重要的核心部件之一，也是7納米芯片刻蝕機(jī)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)。它的材料選擇和設(shè)計(jì)對于刻蝕機(jī)性能指標(biāo)的影響至關(guān)重要。中微和國內(nèi)廠家合作，研制和優(yōu)化了一整套采用等離子體增強(qiáng)的物理氣象沉積金屬陶瓷的方法，這種創(chuàng)新的方法極大地改善了材料的性能，其晶粒更為精細(xì)、致密，缺陷幾乎為零。相比國外當(dāng)前采用的噴淋盤，中國的

5、陶瓷鍍膜噴淋盤壽命可以延長一倍，造價(jià)卻不到五分之一?！　　　≈形⒍麻L兼首席執(zhí)行官尹志堯博士表示：“我國正在成為集成電路芯片和微觀器件生產(chǎn)的大國，到2020年，在我國新的芯片生產(chǎn)線上的投資將會超過美國、日本和韓國等地區(qū)的投資，中國會變成一個(gè)最大的芯片生產(chǎn)基地。我們相信到2030年，我國的芯片和微觀器件的加工能力和規(guī)模一定能完全趕上并在不少方面超過國際先進(jìn)水平?！薄　」饪碳夹g(shù)仍落后，中國fab翹首期盼EUV供應(yīng)　　值得注意的是，中微在蝕刻機(jī)領(lǐng)域有了一席之地，但是在先進(jìn)制程中最為關(guān)鍵的光刻機(jī)，尤其是極紫外光刻機(jī)領(lǐng)域，放眼全球僅有ASML能夠量產(chǎn)。　　光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一

6、，按照用途可以分為好幾種：有用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)；有用于封裝的光刻機(jī)；還有用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)是中國在半導(dǎo)體設(shè)備制造上最大的短板，國內(nèi)晶圓廠所需的高端光刻機(jī)完全依賴進(jìn)口。　　極紫外光刻是一種采用波長13.5nm極紫外光為工作波長的投影光刻技術(shù)，它代表了當(dāng)前應(yīng)用光學(xué)發(fā)展最高水平。而作為下一代光刻技術(shù)，被行業(yè)賦予了拯救摩爾定律的使命?！　」饪虣C(jī)被業(yè)界譽(yù)為集成電路產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠，研發(fā)的技術(shù)門檻和資金門檻非常高。也正是因此，能生產(chǎn)高端光刻機(jī)的廠商非常少，到最先進(jìn)的14nm光刻機(jī)就只剩下ASML，日本佳能和尼康已經(jīng)基本放棄第六代EUV光刻機(jī)的研發(fā)?！　?/p>

7、相比之下，國內(nèi)晶圓廠所需的高端光刻機(jī)完全依賴進(jìn)口。這不僅使國內(nèi)晶圓廠要耗費(fèi)巨資購買設(shè)備，對產(chǎn)業(yè)發(fā)展和自主技術(shù)的成長也帶來很大不利影響?！　τ谑袌稣紦?jù)了八成份額的供應(yīng)商ASML，據(jù)其2017第二季財(cái)報(bào)，在2017年第二季度新增8臺EUV系統(tǒng)訂單，讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺，總值高達(dá)28億歐元。公司現(xiàn)在年產(chǎn)12臺，2018年將增加到24臺，2019年達(dá)到年產(chǎn)40臺的產(chǎn)能?！　∵@個(gè)產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足全球晶圓廠的需求，因此，在回應(yīng)“EUV設(shè)備對中國禁售”的傳聞時(shí)，ASML給出的解釋是，ASML對大