臺積電未必能在7nm工藝上領(lǐng)先三星.doc

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時間:2018-12-06

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1、臺積電未必能在7nm工藝上領(lǐng)先三星  臺媒指臺積電已開始試產(chǎn)7nm工藝,最快將在明年一季度正式投產(chǎn),并傳言高通將可能回歸采用7nm工藝生產(chǎn)其高端芯片,筆者對這一消息有一定的疑問?! ≡?6nm和10nm工藝上,臺媒也曾聲言其進展良好,也曾傳言指高通將會回歸臺積電采用10nm工藝生產(chǎn)驍龍835芯片,不過事實卻與這些傳言有出入。    早在2014年的時候臺積電就說16nm工藝進展良好,不過事實上當時投產(chǎn)的16nm工藝能效不佳,甚至不如20nm工藝,原因就是由于當時未能成功引入FinFET技術(shù),而業(yè)界普遍認為在20nm工藝以下由于閘極長度更小需要引入FinFET技術(shù)

2、才能更好的控制電流、漏電等以獲得更好的性能、性能等特性?! ∫虼水敃r量產(chǎn)的16nm工藝并沒獲得各方的認可,只有華為海思等兩個客戶采用該工藝,而華為海思也僅是用該工藝生產(chǎn)對功耗要求不高的網(wǎng)通處理器等芯片。臺積電與華為海思合作繼續(xù)改進該工藝,直到2015年三季度開發(fā)出16nmFinFET工藝,能效表現(xiàn)甚佳,獲得了蘋果A9、華為海思麒麟950等眾多客戶的采用?! ∪桥c臺積電16nmFinFET同檔次的14nmFinFET工藝則在2015年初成功投產(chǎn),這是多年來兩家激烈競爭中三星首次取得領(lǐng)先優(yōu)勢,那一年采用該工藝生產(chǎn)的三星Exynos7420芯片由于能效表現(xiàn)卓越,而高

3、通當時采用臺積電20nm生產(chǎn)的驍龍810則出現(xiàn)發(fā)熱問題,由此Exynos7420獨領(lǐng)Android市場風騷?! ∨_積電的10nm工藝也一度被臺媒大力吹捧,甚至說會趕在三星之前投產(chǎn),不過事實是去年10月份三星首先量產(chǎn)該工藝,而臺積電雖然說去年底投產(chǎn)但是采用該工藝的蘋果A10X和聯(lián)發(fā)科helioX30都未確定發(fā)布,而采用三星10nm工藝的高通驍龍835已發(fā)布,所以在實際上三星已領(lǐng)先臺積電?! ?6nmFinFET和10nm工藝均可以看出,臺媒方面事前均宣傳臺積電進展迅速,然而事實卻是實際投產(chǎn)時間要落后于預期,7nm工藝是否能領(lǐng)先三星當然讓人懷疑?! ≈劣谡f到高通會

4、回歸臺積電采用其7nm工藝這更是存有非常大的疑問。當初高通出走的原因正是由于它多年來一直幫助臺積電開發(fā)最先進的工藝,但是到了20nm工藝的時候臺積電卻優(yōu)先將該工藝提供給蘋果生產(chǎn)A8處理器,導致驍龍810量產(chǎn)時間太遲沒有足夠時間進行優(yōu)化,這是驍龍810出現(xiàn)發(fā)熱問題的因素之一。  因此高通一怒之下出走改采三星半導體的14nmFinFET工藝生產(chǎn)其高端芯片驍龍820,其實之后的華為海思也享受了同樣的遭遇。華為海思幫助臺積電開發(fā)了16nmFinFET工藝,不過臺積電卻優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能提供給蘋果生產(chǎn)A9/A9X處理器,導致華為海思的麒麟950量產(chǎn)時間晚了兩三個月?! ∈艽?/p>

5、教訓,華為海思去年同時開發(fā)了麒麟960和麒麟970兩款高端芯片,這兩款芯片架構(gòu)基本相同,只不過前者采用臺積電的16nmFinFET而后者采用10nm工藝。聯(lián)發(fā)科寄望其最新款高端芯片helioX30采用臺積電的10nm工藝以與高通競爭,目前就面臨著由于要與蘋果的A10X爭奪10nm工藝產(chǎn)能而未知何時能正式量產(chǎn)上市的尷尬?! ≡谶@樣的情況下,高通今年底或明年會轉(zhuǎn)回臺積電采用它的7nm工藝就存有很大的疑問,假如到時候臺積電的7nm工藝按時量產(chǎn),其也可能因為優(yōu)先照顧蘋果的關(guān)系導致難以提供足夠的產(chǎn)能給高通,要知道高通是全球手機芯片老大其對產(chǎn)能的需求非常大,臺積電的7nm工

6、藝初期由于良率和產(chǎn)能的關(guān)系很難同時滿足蘋果和高通兩家大客戶的需求。

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