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1、三極管及場效應管原理講解大綱:一三極管與場效應管的簡介二三極管與場效應管的工作原理三三極管與場效應管的區(qū)別四三極管與場效應管的實際應用一三極管與場效應管的簡介1.三機管的簡介半導體三極管又稱晶體三極管,簡稱晶體管.它是由三塊半導體組成,構(gòu)成兩個PN結(jié),即集電結(jié)和發(fā)射結(jié),基結(jié)3個電極,分別是集電極,基極,發(fā)射極,如下圖所示:CCBBEEB為基極,C為集電極,E為發(fā)射極半導體三極管TRANSISTORTest#Description1hFEForward-currenttransferratio2VBEBaseemittervoltage(seeal
2、soAppendixF)3IEBOEmittertobasecutoffcurrent4VCESATSaturationvoltage5ICBOCollectortobasecutoffcurrent6ICEOCollectortoemitercutoffcurrentICER,withbasetoemiterloadICEX,reversebias,orICESshort(seealsoAppendixF)7BVCEOBreakdownvoltage,collectortoemitter,BVCERwithbasetoemiterload,BV
3、CEXreversebias,orBVCESshort(seealsoAppendixF)8BVCBOBreakdownvoltage,collectortobase9BVEBOBreakdownvoltage,emittertobase10VBESATBaseemittersaturationvoltage2.場效應管簡介場效應管又稱金屬-氧化物-半導體場效應管,也就是我們通常所說MOS(MetalOxideSemiconductor)管.場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導體場效應管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高.場效應管
4、分為:結(jié)型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(IGFET)兩大類.結(jié)型場效應管JEFTTest#Description1VGSOFFGatetosourcecutoffvoltage.2lDssZerogatevoltagedraincurrent.3BVDGODraintogatebreakdownvoltage.4IGSSGatereversecurrent.5IDGODraintogateleakage.6IDOFFDraincut-offcurrent.7BVGSSGatetosourcebreakdownvoltage.8VDSON
5、Draintosourceon-statevoltage.結(jié)型場效應管有N型和P型溝道兩種,電路符號如下dd結(jié)型場效應管有三極:珊極gg源極N型sP型s漏極結(jié)型場效應管有兩個PN結(jié),在柵源極上加一定電壓,在場效應管內(nèi)部會形成一個導電溝道,當d,s極間加上一定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過源電壓來改變導電溝道電阻,實現(xiàn)對漏極電流的控制.結(jié)型場效應管的主要參數(shù)1.夾斷電壓UDS(off),當UDS等于某一個定值(10v),使Id等于某一個微小電流(如50uA)時,柵源極間所加的UGS即為夾斷電壓.UDS(off)一般為1~10V.2.飽和漏極
6、電流IDS:當UGS=0時,場效應管發(fā)生預夾斷時的漏極電流.3.直流輸入電阻RGS.4.低頻跨導GM5.漏源擊穿電壓U(BR)DS6.柵源擊穿電壓U(BR)GS7.最大耗散功率PDM絕緣柵型場效應管是由金屬氧化物和半導體組成,故稱為MOSFET,簡稱MOS管,其工作原理類似於結(jié)型場效應管絕緣柵場效應管MOSFETTest#Description1VGSTHThresholdvoltag2IDssZerogatevoltagedraincurrent.lDSxwithgatetoSourcereversebias.3BVDssDraintoSour
7、cebreakdownvoltage.4VDSONDraintoSourceon-statevoltage.5IGSSFGatetoSourceleakagecurrentforward.6IGSSRGatetoSourceleakagecurrentreverse.7VFDiodeforwardvoltage.8VGSFGatetoSourcevoltage(forward)requiredforspecifiedInatspecifiedVos.(seeSISQAppendixF)9VGSRGatetoSourcevoltage(revers
8、e)requiredforspecifiedIDatspecifiedVDS.(seealsoAppendixF)10VDSONOn-s
