半導(dǎo)體材料,高純度的硅

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃半導(dǎo)體材料,高純度的硅　　一、半導(dǎo)體硅材料的現(xiàn)狀　　在當(dāng)今全球超過XX億美元的半導(dǎo)體市場中，95％以上的半導(dǎo)體器件和99％以上的集成電路(LSI)都是用高純優(yōu)質(zhì)的硅拋光片和外延片制作的。在未來30-50年內(nèi)，它仍將是LSI工業(yè)最基本和最重要的功能材料。半導(dǎo)體硅材料以豐富的資源、優(yōu)質(zhì)的特性、日臻完善的工藝以及廣泛的用途等綜合優(yōu)勢而成為了當(dāng)代電子工業(yè)中應(yīng)用最多的半導(dǎo)體材料，它還是目前可獲得的純度最高的材料之一，其實(shí)驗(yàn)室純度可達(dá)12個(gè)“9”的本征級，

2、工業(yè)化大生產(chǎn)也能達(dá)到7～11個(gè)“9”的高純度。由于它的優(yōu)良性能，使其在射線探測器、整流器、集成電路(IC)、硅光電池、傳感器等各類電子元件中占有極為重要的地位。同時(shí)，由于它具有識別、存儲(chǔ)、放大、開關(guān)和處理電訊號及能量轉(zhuǎn)換的功能，而使“半導(dǎo)體硅”實(shí)際上成了“微電子”和“現(xiàn)代化電子”的代名詞。目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　半導(dǎo)體硅材料分為多晶硅、單晶

3、硅、硅外延片以及非晶硅、澆注多晶硅、淀積和濺射非晶硅等。自從60年代被廣泛應(yīng)用于各類電子元器件以來，其用量平均大約以每年12-16％的速度增長。目前全世界每年消耗約18,000-25,000噸半導(dǎo)體級多晶硅，消耗6000-7000噸單晶硅。1999年，全世界硅片產(chǎn)量45億平方英寸，XX年其產(chǎn)量更高。目前全世界硅片銷售金額約60-80億美元?！　‖F(xiàn)行多晶硅生產(chǎn)工藝主要有改良西門子法和硅烷熱分解法。主要產(chǎn)品有棒狀和粒狀兩種，主要用途是用作制備單晶硅以及太陽能電池等。生長單晶硅的工藝可分為區(qū)熔(FZ)和直拉(CZ)兩種生長工藝。區(qū)熔單晶硅(FZ-Si)主要用于

4、制作電力電子器件(SR、SCR、GTO等)、射線探測器、高壓大功率晶體管等；直拉單晶硅(CZ-Si)主要用于制作LSI、晶體管、傳感器及硅光電池等。硅外延片(EPl)是在單晶襯底片上，沿單晶的結(jié)晶方向生長一層導(dǎo)電類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新單晶層。硅外延片主要用于制作CMOS電路，各類晶體管以及絕緣柵，雙極晶體管(IGBT)等。非晶硅、澆注多晶硅、淀積和濺射非晶硅主要用作各種硅光電池等?！　《?、現(xiàn)代微電子工業(yè)對半導(dǎo)體硅材料的新要求　　隨著微電子工業(yè)飛速發(fā)展，除了本身對加工技術(shù)和加工設(shè)備的要求之外，同時(shí)對硅材料也提出了更新更高的要求。

5、　　1、對硅片表面附著粒子及微量雜質(zhì)的要求目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　隨著集成電路的集成度不斷提高，其加工線寬也逐步縮小，因此，對硅片的加工、清洗、包裝、儲(chǔ)運(yùn)等工作提出了更高的新要求。對于兆位級器件，μm的微粒都可能造成器件失效。亞微米級器件要求μm的微粒降到10個(gè)／片以下，同時(shí)要求各種金屬雜質(zhì)如Fe、Cu、Cr、Ni、A1、Na等，都要求控制

6、在目前分析技術(shù)的檢測極限以下(約為1×1010原子／cm2)。　　2、對硅片表面平整度、應(yīng)力和機(jī)械強(qiáng)度的要求　　硅片表面的局部平整度(SFQD)一般要求為設(shè)計(jì)線寬的2／3，以64M存儲(chǔ)器的加工線寬μm為例，則要求硅片局部平整度在22mm2范圍內(nèi)為μm，256M電路的SFQD為μm。同時(shí)，器件工藝還要求原始硅片的應(yīng)力不能過分集中，機(jī)械強(qiáng)度要高，使器件的穩(wěn)定性和可靠性得到保證，但現(xiàn)在這方面硅材料尚未取得突破性進(jìn)展，仍是以后研究的一個(gè)課題。　　3、對硅片表面和內(nèi)部結(jié)晶特性及氧含量的要求　　對VLSI和ULSI來說，距硅片表面10μm左右厚度區(qū)域?yàn)槠骷钚詤^(qū)，要

7、求該區(qū)域性質(zhì)均勻且無缺陷。64M和256M電路要求硅片的氧化誘生層錯(cuò)(OSF)≤20／cm2。為達(dá)到此要求，目前比較成熟的工藝是采用硅片吸除技術(shù)，分為內(nèi)吸除和背面損傷吸除(也叫外吸除)。現(xiàn)在器件廠家都根據(jù)器件工藝的需要，對硅片提出了某種含氧量要求。硅材料生產(chǎn)廠應(yīng)根據(jù)用戶要求進(jìn)行控氧生長硅單晶?！　?、對硅片大直徑化的要求目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃

8、　　出于提高生產(chǎn)率、降低成本的目的，器件廠家隨著生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，也逐步要求增大硅