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《適用于rfid標(biāo)簽芯片的eeprom的優(yōu)化設(shè)計與實現(xiàn)論文》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、摘要RFID(RadioFrequencyIdentification)射頻識別是一種非接觸式自動識別技術(shù),它廣泛應(yīng)用于運輸、倉儲、包裝、門禁、金融、圖書管理、文件管理等領(lǐng)域。本論文所闡述的RFID標(biāo)簽芯片遵循ISO15693標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)簽芯片按功能可以分為模擬前端、數(shù)字控制和嵌入式EEPROM(電可擦除只讀存儲器)三個部分。其中EEPROM記錄了標(biāo)簽芯片中的所有信息,對芯片的每個操作都是對EEPROM的操作。同時EEPROM的功耗在整個芯片中占了很大的比例,因此整個標(biāo)簽芯片的性能就直接體現(xiàn)在該嵌入式EEPROM的性能上。隨著市場對低功耗和低成本無源標(biāo)簽芯片的迫切需求,如何設(shè)計出適用
2、于RFID標(biāo)簽芯片的高性能,低功耗的嵌入式EEPROM便成為設(shè)計者不斷追求的目標(biāo)。本文設(shè)計和實現(xiàn)了一款適用于RFID的2KBit超低功耗嵌入式EEPROMIP,成功流片。本文首先介紹了RFID技術(shù)的特點和應(yīng)用,闡述了基于這一技術(shù)的電子標(biāo)簽芯片的設(shè)計,給出了整個電子標(biāo)簽系統(tǒng)的工作原理和總體結(jié)構(gòu),從中指出了存儲器所占的關(guān)鍵地位和所要達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)。本文以大量文獻(xiàn)為基礎(chǔ),通過對傳統(tǒng)的EEPROM設(shè)計方案進(jìn)行詳細(xì)的分析,從供電方案,尋址方式到高壓產(chǎn)生電路和靈敏放大器都提出了新的低功耗解決方案和具體的電路實現(xiàn),并隨文給出了仿真波形。整個嵌入式EEPROMIP的設(shè)計采用了SMIC公司的0.35
3、μm2P3M嵌入式EEPROM工藝,設(shè)計流程中使用Cadence和Synopsys公司的EDA軟件進(jìn)行模擬電路性能仿真,數(shù)字電路功能仿真、綜合及布局布線,以及最后的版圖設(shè)計與驗證,最后通過流片驗證,整個嵌入式EEPROM芯片滿足既定的工作要求。關(guān)鍵詞:射頻識別,標(biāo)簽芯片,電可擦除只讀存儲器,低功耗設(shè)計IAbstractRFID(RadioFrequencyIdentification)isatechnologyofcontact-lessautomaticidentification,andmainlyusedintransportation,storage,package,gat
4、e-prohibition,finance,books-management,filesmanagementandsuchlikethat.TheRFIDtagICtobediscussedinthispaperisbasedonthestandardofISO15693.ItisdividedintoAFE,digitalblockandEEPROMaccordingtofunction.EEPROMinthissystemstoresalltheinformationofthechip,eachoperationonthechipistheoperationontheEEPRO
5、M.Atthesametime,theperformanceofEEPROMdecidestheperformanceofthewholechipbecauseofitsdominatingpowerdissipated.A2KBitUltra-lowpowerembeddedEEPROMIPhasbeendesignedandrealizedforpassiveRFIDtagICinthisthesis,andtapedoutsuccessfully.Firstofall,demonstratingRFIDtechnologymeritanditsapplicationarede
6、scribed,thentagICdesignprocedureandthewholeRFIDsystemworktheoremareexplained.Basedonplentifulpaperresources,thisthesisdescribesthelow-powersolutionandtherealisticcircuitforpowerstrategy,addressfinding,highvoltagegenerationandsenseamplifieraccordingtotheanalysesonthetraditionalsolutionofEEPROMw
7、ithsimulationwavesafterthat.ThewholedesignprocessisbasedontheSMIC0.35μm2P3MembeddedEEPROMprocessandtheCadenceandSynopsysEDAdesignenvironment,withwhichalltheanaloganddigitalsimulation,layoutandverificationaredone.Thetestshowsthatthechipa