無源UHF RFID標(biāo)簽芯片射頻模擬前端設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

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1、摘要摘要無源超高頻射頻識(shí)別唧RFD)技術(shù)具有準(zhǔn)確性高、存儲(chǔ)量大、抗惡劣環(huán)境、安全性高的特點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、物流、交通、防偽等領(lǐng)域中,并將成為未來信息社會(huì)建設(shè)的一項(xiàng)基礎(chǔ)技術(shù)。本文對(duì)無源UHFRFID標(biāo)簽芯片射頻/模擬前端從芯片的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、高效率的倍壓整流電路、低功耗模擬前端電路設(shè)計(jì)和芯片設(shè)計(jì)流程等方面對(duì)RFID芯片的整體設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究,并針對(duì)測(cè)試結(jié)果對(duì)電路進(jìn)行了改進(jìn)設(shè)計(jì)。本文針對(duì)芯片設(shè)計(jì)難點(diǎn)給出相應(yīng)的解決方案。對(duì)低功耗設(shè)計(jì)思路,從電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和具體電路設(shè)計(jì)兩方面給出了解決方案,模擬前端功耗仿真結(jié)果和測(cè)試結(jié)果分別為10.8731.tW和16斗w,達(dá)到了低功耗要求;針對(duì)高效率倍壓整流電路的研究

2、,本文提出了三種設(shè)計(jì)方案。一種方案是基于Chartered0.35阻工藝,將肖特基二極管整流器與低閾值偏置電路相結(jié)合,提高了電路的靈敏度和能量轉(zhuǎn)換效率。在負(fù)載為200KQ,輸入功率為.15dBm時(shí),輸出電壓達(dá)1.47V,其最低輸入電壓為275mV,最高能量轉(zhuǎn)換效率為26.2%。同時(shí)結(jié)合測(cè)試結(jié)果,在TSMC0.18lain1P4MRFMixsignalT藝對(duì)此電路進(jìn)行了改進(jìn)設(shè)計(jì),改進(jìn)后的肖特基倍壓整理電路的最高整流效率達(dá)到了29%。同時(shí)提出了另外兩種基于本征管的倍壓整流電路和自偏置倍壓整流電路。對(duì)基于本征MOS的倍壓整流電路,在輸入.12.8dB,負(fù)載為100Kn時(shí),輸出電壓達(dá)1.642V,此

3、時(shí)倍壓整流效率為51.2%;對(duì)自偏置倍壓整流電路,在輸入.15dB,負(fù)載為100KQ時(shí),輸出電壓達(dá)1.423V,此時(shí)倍壓整流效率為60.35%;對(duì)于模擬前端其它低壓低功耗電路的設(shè)計(jì),包括參考電流源、穩(wěn)壓器、大動(dòng)態(tài)范圍的解調(diào)器電路和調(diào)制反射電路等,本文對(duì)電路的原理進(jìn)行了分析并給出了相應(yīng)的仿真結(jié)果和版圖,并流片驗(yàn)證。在芯片測(cè)試方面,本文詳細(xì)介了紹芯片的測(cè)試數(shù)據(jù),并對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行了分析。在測(cè)試結(jié)果分析的基礎(chǔ)上,在TSMCO.18岬1P4MRFMixsignal工藝下對(duì)電路進(jìn)行了改進(jìn)設(shè)計(jì),給出了改進(jìn)電路原理圖和仿真結(jié)果,并設(shè)計(jì)了版圖。同時(shí)本文提出了一種采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的模擬隨機(jī)數(shù)發(fā)生器,分析了其

4、原理,并給出了仿真數(shù)據(jù)。新設(shè)計(jì)的模擬隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的動(dòng)態(tài)功耗為800nW,靜態(tài)功耗為60nW。改進(jìn)設(shè)計(jì)的射頻/模擬前端版圖在CadenceVirtuoso中進(jìn)行整合得到多個(gè)測(cè)試芯片,并計(jì)劃于2009年1月在TSMC進(jìn)行MPW投片。關(guān)鍵詞:UttFRFID無源低功耗隨機(jī)數(shù)AbstractPassiveUHFRadio丘equencyidentification(I強(qiáng)ID)technologyischaracterisedbyllighaccuracy,hugememerysize,anti—uglysftrroundings,highsaRy,andnOWitiswidelyusedinprod

5、uction,logistics,traffic,anti—fakeandSOon.Itisexpectedtobecomethebasictechnologyofinformationsociety.ThisthesisfocusesonthecoretechnologyoftheRF/Analogfi'ontendofpassiveUHFRFID,includingchiparchitectpxedesign,hi曲efficientrectifier,lowpoweranalogfrontendcircuitdesign,designflow,andtheimprovedcircuit

6、designbasedontestresults.Thesolutionsfortheproblemsabovearedicussedinthisthesis.Forlowpowerdesignmethod,solutionsarediscussedfromboththearchitectureofthechipandthecircuitdesign.Simulationandtestresultsshowthatthepowerconsumptionoftheanalogfromendis10.873pWand16州respectively.Forhighefficientrectifie

7、r,threecircuitsareproposedinthishesis.OneisbasedonChartered0.351maEEPROMprocess.WiththehelpofshottkydiodeandwelldesignedlowthresholdNMOSbiascircuit,thesensitivityisimproved.With200KQ10adandinpmpowerof一15dBm

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