無(wú)源uhf+rfid標(biāo)簽芯片前端模塊電路的研究和設(shè)計(jì)

無(wú)源uhf+rfid標(biāo)簽芯片前端模塊電路的研究和設(shè)計(jì)

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1、碩十學(xué)位論文摘要射頻識(shí)別(RadioFrequencyIdentification,RFID)是利用射頻信號(hào)自動(dòng)、準(zhǔn)確、快捷、方便地獲取相關(guān)信息的技術(shù),射頻識(shí)別技術(shù)的諸多優(yōu)點(diǎn),使得其在自動(dòng)識(shí)別領(lǐng)域中脫穎而出。隨著射頻技術(shù)的快速發(fā)展以及應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大,要求標(biāo)簽的成本不斷下降,需要將整個(gè)電路模塊或者整個(gè)系統(tǒng)集成到單個(gè)芯片上。目前,工作于超高頻電磁波波段,且全集成的無(wú)源超高頻標(biāo)簽的研究和設(shè)計(jì)成為國(guó)內(nèi)外一個(gè)重要的研究熱點(diǎn),無(wú)源超高頻標(biāo)簽的工作性能將直接影響射頻識(shí)別系統(tǒng)的成本及應(yīng)用范圍。在我國(guó),超高頻段遠(yuǎn)距離無(wú)源標(biāo)簽的研發(fā)及應(yīng)用正處于起步階段,因此,對(duì)提高射頻標(biāo)

2、簽前端電路的性能研究具有特別重要的意義。首先,本文詳細(xì)論述了超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)的組成及工作原理;其次,對(duì)無(wú)源超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片的系統(tǒng)架構(gòu)進(jìn)行了分析與設(shè)計(jì),并對(duì)各單元電路功能進(jìn)行了分析;最后針對(duì)無(wú)源標(biāo)簽芯片實(shí)現(xiàn)中的相關(guān)電路進(jìn)行了研究與設(shè)計(jì)。具體工作及創(chuàng)新點(diǎn)如下:從無(wú)源射頻標(biāo)簽的能量供應(yīng)的角度,分析了應(yīng)用于超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)的各類整流電路的性能,確定了NMOS二極管型電荷泵作為標(biāo)簽芯片射頻前端電路中的N級(jí)倍壓整流電路,建立了相應(yīng)的模型并對(duì)其進(jìn)行了分析,為提高整流效率提供理論參考依據(jù);利用低閾值NMOS管設(shè)計(jì)了AC.DC電荷泵電路,解決了傳統(tǒng)肖特基二極管型電

3、荷泵的制備工藝不通用的缺陷。分析了各類穩(wěn)壓限流保護(hù)電路結(jié)構(gòu),提出了一種限流范圍更大適用于無(wú)源超高頻標(biāo)簽的保護(hù)電路結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明:在輸入電壓變化較大時(shí),輸出電壓的波動(dòng)范圍較小,從而驗(yàn)證了其限流性能良好。針對(duì)無(wú)源標(biāo)簽低功耗特點(diǎn),提出了一種適合于標(biāo)簽芯片模擬前端的電壓基準(zhǔn),該電壓基準(zhǔn)基于MOS亞閾值特性,并且是一種全MOS結(jié)構(gòu)。它利用所的正溫度特性來補(bǔ)償蜥H的負(fù)溫度特性,從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)零溫度系數(shù)的輸出電壓。為了實(shí)現(xiàn)較低的功耗,所設(shè)計(jì)電路中大部分MOS工作在亞閾值區(qū)。仿真結(jié)果表明:電路的工作電壓在O.7V到3.6V之間;在O'C~120℃溫度范圍之內(nèi),電壓基準(zhǔn)溫

4、度系數(shù)低至2.97ppm/'C;在1V的電源電壓下,電路的靜態(tài)功耗和輸出電壓值分別為1.48uW和430.6mV,在無(wú)任何濾波電容的情況下,在lKHz頻率時(shí),其輸出電壓的電源抑制比是.61dB?;贑harted0.18.¨m.CMOS工藝,對(duì)所設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了版圖繪制。關(guān)鍵詞:超高頻;射頻識(shí)別;電荷泵;倍壓整流;穩(wěn)壓電路;電壓基準(zhǔn);亞閾值;低功耗IIAbstractMakinguseofradiofrequencysignals,thetechnologyofradiofrequencyidentification(RFID)istoautomatical

5、lycaptureinformationinanaccurateandflexibleway.ItistheadvantagesthatmaketheRFIDtechnologystandoutinthefieldofautomaticidentification.WiththerapiddevelopmentofRFIDtechnologyinapplication,thetagcostiscontinuallyrequiredtofallbymakingthewholecircuitblocksorthewholesystemintegratedint

6、oasinglechip.Currently,thestudyanddesignoffullyintegratedpassiveUHFradiofrequencyidentification(RFID)transponderhasbecomeanimportantresearchsubjectbothathomeandabroad;itsperformancewillimposedirectandgreateffectsontheapplicationscopeandoverallcostofRFIDsystem.InChina,theresearchan

7、dapplicationofUHFlongrangepassivetagsisstillinitsinfancy.Therefore,thestudyforimprovingtheperformanceofthefront.endcircuitofRFtagcruciallyhasaspecialsignificance.Inthispaper,theconstitutionofultrahighfrequencyidentificationsystemanditsoperatingprinciplearefirstlydiscussedindetails

8、.Secondly,thesystematicarchitectu

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