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《升級(jí)冶金級(jí)si襯底上ecr-pecvd沉積多晶si薄膜》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫(kù)。
1、技術(shù)專(zhuān)欄TechnologyColumn升級(jí)冶金級(jí)Si襯底上ECRPECVD沉積多晶Si薄膜1a,c1a,c1b,c1a,c1a,c1a,c,2崔洪濤,吳愛(ài)民,秦福文,譚毅,聞立時(shí),姜辛(1大連理工大學(xué),a材料科學(xué)與工程學(xué)院;b物理與光電工程學(xué)院;c三束材料改性國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,遼寧大連116024;2錫根大學(xué)材料工程研究所,德國(guó)錫根57076)摘要:成功地應(yīng)用電子回旋共振微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(ECRPECVD)法在升級(jí)冶金級(jí)Si襯底上175低溫條件下沉積了一層優(yōu)質(zhì)多晶Si薄膜。研究了壓強(qiáng)、流量比對(duì)多晶Si薄膜質(zhì)
2、量的影響,并用Raman、RHEED、SEM、XRD對(duì)薄膜結(jié)晶性、晶粒大小及顯微組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。發(fā)現(xiàn)在恒定氣壓下,結(jié)晶質(zhì)量隨流量比增大先變好后變差,即存在最佳流量比,016Pa對(duì)應(yīng)105,而04Pa對(duì)應(yīng)1068。關(guān)鍵詞:硅襯底;電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積;多晶硅薄膜中圖分類(lèi)號(hào):TN304055文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):1003353X(2008)02011704PreparationofPolySiFilmonUpgradedMetallurgicalSiSubstratebyECRPECVD1a,c
3、1a,c1b,c1a,c1a,c1a,c,2CuiHongtao,WuAimin,QinFuwen,TanYi,WenLishi,JiangXin(1DalianUniversityofTechnology,a.SchoolofMaterialsScience&Engineering;b.SchoolofPhysics&OptoelectronicTechnology;c.StateKeyLab.ofMaterialsModificationofThreeBeams,Dalian116024,China;2.InstituteofM
4、aterialsEngineering,SiegenUniversity,Siegen57076,Germany)Abstract:AlayerofexcellentpolySifilmwassuccessfullydepositedonupgradedmetallurgicalSisubstrateat175byECRPECVD.Effectsofthepressureandtheflowratio(Fr)betweenhydrogenandsilane(dilutedby95%Ar)onthequalityofthefilm
5、wereinvestigated.Thecrystallity,thegrainsizeandthecrystalstructurewerecharacterizedbyRaman,RHEED,SEMandXRD.Resultsshowthatataconstantpressure,first,thecrystalqualitybecomesbetterwiththeFrincreases,andthenoveracriticalvalueitturnsworse.AbestFrexistsatcertainvaluesofpress
6、ure,whichis105at016Pa,and1068at04Pa.Keywords:Sisubstrate;ECRPECVD;polySifilmEEACC:2550B僅需一步Si外延,其余工藝路線可與現(xiàn)在大部分工0引言[34]業(yè)生產(chǎn)電池的設(shè)備技術(shù)兼容,有利于降低成本。2004年,歐盟5個(gè)晶體Si薄膜研究開(kāi)發(fā)項(xiàng)目組Si帶、冶金級(jí)Si、UMGSi(upgradedmetallurgicalgrade[23]提出了一項(xiàng)規(guī)劃,認(rèn)為!外延基片等價(jià)物?是最接silicon),電子工業(yè)廢料等均可作為基片。[57]近于工業(yè)
7、實(shí)際的晶體Si薄膜技術(shù)路線,代表最簡(jiǎn)單國(guó)外研究者已經(jīng)在單晶Si及高質(zhì)量多晶Si的晶體Si薄膜太陽(yáng)電池方法,即外延沉積Si層到低襯底(籽晶層)上用ECRPECVD作了初步嘗試,然成本Si片上[1]。由于其電池結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)體Si電池類(lèi)而迄今為止,未有在低成本Si上用ECRPECVD方[2]法外延沉積Si層的相關(guān)報(bào)道。國(guó)內(nèi)[89]也曾有過(guò)在似,而體Si電池占據(jù)市場(chǎng)95%,因而該技術(shù)路線顆粒Si帶上用射頻PECVD沉積薄膜的嘗試,認(rèn)為顆基金項(xiàng)目:教育部留學(xué)回國(guó)人員科研啟動(dòng)基金粒Si帶用PECVD不易結(jié)晶,PECVD不適合沉積多(20061
8、1AA03);遼寧省原材料特種制備技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基晶Si薄膜。本文通過(guò)改變氣壓和流量比初步探索了金資助項(xiàng)目(2005100A05)用ECRPECVD方法在低品級(jí)Si上外延沉積高質(zhì)量February2008Semicon
