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《基于閃存陣列的高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、中北大學(xué)學(xué)位論文分類號(hào)：TM938.8單位代碼：10110學(xué)號(hào)：s20090369中北大學(xué)碩士學(xué)位論文基于閃存陣列的高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)研究碩士研究生蒲南江指導(dǎo)教師張丕狀學(xué)科專業(yè)信號(hào)與信息處理中北大學(xué)學(xué)位論文2012年4月20日?qǐng)D書分類號(hào)TM938.8密級(jí)非密注1UDC碩士學(xué)位論文基于閃存陣列的高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)研究指導(dǎo)教師張丕狀申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別工學(xué)碩士專業(yè)名稱信號(hào)與信息處理論文提交日期2012年5月15日論文答辯日期2012年6月3日學(xué)位授予日期________年______月______日論文評(píng)閱人____________________________
2、____________________________答辯委員會(huì)主席_______________________2012年4月20日中北大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過(guò)的科研成果。對(duì)本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。論文作者簽名：日期：關(guān)于學(xué)位論文使用權(quán)的說(shuō)明本人完全了解中北大學(xué)有關(guān)保管、使用學(xué)位論文的規(guī)定，其中包括：①學(xué)校有權(quán)保管、并向有關(guān)部門送
3、交學(xué)位論文的原件與復(fù)印件；②學(xué)?？梢圆捎糜坝?、縮印或其它復(fù)制手段復(fù)制并保存學(xué)位論文；③學(xué)校可允許學(xué)位論文被查閱或借閱；④學(xué)校可以學(xué)術(shù)交流為目的，復(fù)制贈(zèng)送和交換學(xué)位論文；⑤學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容（保密學(xué)位論文在解密后遵守此規(guī)定）。簽名：日期：導(dǎo)師簽名：日期：中北大學(xué)學(xué)位論文基于閃存陣列的高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)研究摘要課題針對(duì)單片NAND型閃速存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量較小和存儲(chǔ)速度較慢的特點(diǎn)，通過(guò)構(gòu)建閃存陣列的方式來(lái)增大存儲(chǔ)容量、提高存儲(chǔ)速度實(shí)現(xiàn)了大容量高速存儲(chǔ)。利用位擴(kuò)展技術(shù)完成了以單片NANDFLASH為基本存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)陣列的橫向擴(kuò)展，利用分時(shí)加載
4、技術(shù)實(shí)現(xiàn)了縱向的擴(kuò)展，構(gòu)建了m×n的通用陣列。然后提出了對(duì)存儲(chǔ)陣列中無(wú)效塊的處理方法，根據(jù)陣列的行列m、n的取值不同分別提出了全相關(guān)、全獨(dú)立、行相關(guān)、列相關(guān)四種管理機(jī)制。在進(jìn)一步研究陣列的工作原理之后，為存儲(chǔ)陣列設(shè)計(jì)了專用的DMA邏輯控制電路。最后，討論了存儲(chǔ)陣列的數(shù)據(jù)管理方法，在各個(gè)相關(guān)模塊的存儲(chǔ)陣列中建立系統(tǒng)信息區(qū)、狀態(tài)標(biāo)識(shí)區(qū)、文件信息區(qū)、參數(shù)配置區(qū)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，這樣能方便有效的存儲(chǔ)和管理測(cè)試數(shù)據(jù)。在提出存儲(chǔ)陣列的構(gòu)建、存儲(chǔ)陣列工作原理、無(wú)效塊處理機(jī)制和數(shù)據(jù)管理方法之后，本文還通過(guò)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)為例，介紹了存儲(chǔ)陣列在測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用。測(cè)
5、試系統(tǒng)包括FPGA主控系統(tǒng)、模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊、FLASH存儲(chǔ)陣列、USB接口電路等。主控系統(tǒng)采用的是以FPGA為載體的SOPC系統(tǒng)，SOPC內(nèi)部集成了Microblaze軟核處理器及用戶自行設(shè)計(jì)的IP核，用戶IP是完成采集存儲(chǔ)的核心電路；模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊支持2、4、8、16四種可選通道的同步數(shù)據(jù)采集，在16通道同步采集的狀態(tài)下，采樣速率能達(dá)到400ksps；FLASH存儲(chǔ)陣列系統(tǒng)采用1×4的陣列，無(wú)效塊處理機(jī)制采用行相關(guān)方式；USB接口電路主要作用是為處理器和上位機(jī)提供數(shù)據(jù)通道，方便測(cè)試系統(tǒng)接收來(lái)至上位機(jī)的各種操作命令，以及保證測(cè)試數(shù)據(jù)的順利回傳。最后通過(guò)
6、測(cè)試實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了存儲(chǔ)陣列的存儲(chǔ)速度能達(dá)到16.6MB/s，也保證了測(cè)試系統(tǒng)的可靠性。關(guān)鍵詞：閃速存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)陣列,無(wú)效塊,數(shù)據(jù)管理方法中北大學(xué)學(xué)位論文ResearchonHigh-speedDataStorageTechnologyBasedonFlashMemoryArrayABSTRACTInordertosolvethedisadvantageofasinglechipflashmemory’slimitedstoragecapacityandspeed.Thisarticledescribestheachievementofhighspeed
7、andlargecapacitystoragememory,byconstructingaflashmemoryarraytoincreasethestoragecapacity,improvethestoragespeed.Theuseofbitextensiontechnologyandtime-sharingloadtechnologytocompletehorizontalandverticalexpansionofmonolithicNANDFLASHmemorycell,andbuildagenericm×narray.Theninva
8、lidblocksonthestoragearrayisproposedapproach,accordingtothear
