資源描述：
《用脈沖激光沉積法在硅襯底上生長irolt2gt薄膜的研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學術(shù)論文-天天文庫。
1、武漢理工大學碩士學位論文摘要lr02薄膜因具有良好的抗氧化性能、很強的催化活性以及很好的抗腐蝕性等，可廣泛應(yīng)用于電極材料、微電子、固態(tài)燃料電池和氣敏元件等許多領(lǐng)域。論文基于脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)，在si(如o)襯底上制備了It02薄膜。重點研究了氧分壓、襯底溫度、激光輸出能量、靶間距等PLD工藝參數(shù)和后續(xù)退火對其結(jié)構(gòu)和性能的影響，以得到高質(zhì)量的lr02薄膜。結(jié)果表明：各種工藝參數(shù)對于薄膜的物相和結(jié)構(gòu)影響很大，較低的氧分壓得不到純的多晶Ir02薄膜，而襯底溫度、激光能量、襯底和靶之間的距離、退火溫度影響薄膜的取向和微觀形貌。通
2、過對Ir02薄膜生長條件的探索，找到了生長高質(zhì)量1r02薄膜的優(yōu)化條件：氧分壓20Pa，襯底溫度500。C，激光能量14(hnJ，襯底和靶的距離50mm，退火溫度700～750"C。XRD、SEM和AFM等測試分析表明：在此條件下沉積的Ir02薄膜沿001)取向生長，厚度均勻，界面清晰，與硅襯底表面結(jié)合良好，其表面粗糙度為3．9nm。利用四探針測試技術(shù)測得b02薄膜的室溫電阻率達到37±1．跏O-12111，已極接近塊體單晶Ir02薄膜的電阻率，適于作電極材料。關(guān)鍵詞：脈沖激光沉積(PLD)；lr02薄膜；電阻率斌鍛理工大學碩士
3、攀缸論文Abstractl醴thinfilms封edepositedbypulsedlaserdeposition佃LD)Oilsilicon(100)'substrate鯫thispaper．Byiwcestigatlngtheeffectsofdeposithmparatlleterssuch．∞the02pressureothesubstratetemperature，thelaseroutputenergy,thedistanceofthesubstrateto氌。targetmadtheannealingtcmpemP
4、arc∞thes姆uclLtreandtheperformance耐k02thinfilms。highqualityhavebeenobtained．Theresultshowsthat：alldepositionparametershavegrcmleffeCt讎theorientationandthestr#ctmeofthe赫ms．Low02pressurewillresultinimpurepolycrystadlineIre2thinfilms,AndthesnbsLtatctempemtttre,棰eiase*onl
5、ptitenergy,thedistanceofthesttbstratetothetargetandtheannealingtemperaturewillinfluencetheorientationandthemorphologyofthefilms。珊exploringthegrowingconditionsnftheIt02thinfilms,optilmmlparametershaV。beenidentified：02p㈣ur。20Pa，aubstratetemperature500℃，I魂sefoutput《nerg
6、y140mJ，distanceofthesubstratetothetarget50ram，annealingtemperature7(Kw750℃．Thefilms螂analyzedwith)(RlXSEMandAFMw赫c盤showthatthefirmdeposited至玨嘟矗nⅡm群哦Ime拖姆growswithapmmiEant嵇00orientation}tmiformthickness，clearinttafface,goodadherencetothesubstrateand3．9mesurfacerou曲hes
7、s．Usingfourprobesmethodshowsthatitselectricalrasistivity髓n黼拍鑫lowvalne蠛37查1。5#0“蕊，w醯也apD-oaches
8、；。協(xié)ebulksiIIDecrystMlr02thinfilm．It∞nbeusedaselectrodematerial。Keyword：pulsedlaserdeposition妒LD囂IrOzthinfilms；electricalreedstivityⅡ武漢埋工大學碩士學位論文1．1弓
9、言第一鼙緒論近幾霉，王f嘞薄膜越寒越受到人們的
10、重視。h02薄貘具青嶷好的抗氧化性蘸、高的魄導(dǎo)率、粳強的灌純活性戳毆很好嬲杭腐蝕鐫鐮。這魑性能使得耵02薄膜可廣泛應(yīng)用于電極材料、微電子、固態(tài)燃料電池和氣敏元件等許多領(lǐng)域i“】。舀翳懟矗氌薄貘攜訝究趁勢較旱，其中鞋姜鞫、餓羅新、疊率麴研究娃子領(lǐng)先水平。在我國h魄
