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《taoltxgt快離子導(dǎo)體薄膜的制備與摻雜性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文中文摘要摘要快離子導(dǎo)體（有時又稱固體電解質(zhì)）是指離子電導(dǎo)率接近有時甚至超過鹽溶液和電解質(zhì)溶液的一類固態(tài)材料。用作電致變色器件的快離子導(dǎo)體，除要求室溫下具有高的離子電導(dǎo)率外，還要求具有非常低的電子電導(dǎo)率，在所要求的光譜區(qū)域內(nèi)具有高的透射率和反射率、易成膜、好的機械穩(wěn)定性及可動離子在變色層中具有足夠的遷移率。研究表明，TaOx除滿足上述要求外還具有特殊層狀分子結(jié)構(gòu)。在眾多被研究的離子導(dǎo)體材料中，它具有自恢復(fù)性能好、響應(yīng)速度快、壽命長、成本低等優(yōu)點，是最具有發(fā)展前景的離子導(dǎo)體材料之一。但是目前它離實際應(yīng)用還是有一定的距離，使其真正進入實際應(yīng)用是
2、當(dāng)前眾多研究者努力研究的方向。通過多種途徑可以提高薄膜的離子導(dǎo)電性能，優(yōu)化工藝參數(shù)和對薄膜進行摻雜是其中兩種有效的方法。到目前為止，制備離子導(dǎo)體薄膜最常用的方法有溶膠-凝膠法、真空蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法和濺射沉積法等，其中磁控濺射以沉積速率高、基片溫升低、膜層均勻性及附著力好、工藝參數(shù)易控制等優(yōu)點而日益成為制備離子導(dǎo)體薄膜尤其是TaOx薄膜最理想的工藝方法。但是，目前用磁控濺射方法制備TaOx薄膜并不多，鮮有關(guān)于用該方法制備的TaOx薄膜性能研究報道。本研究課題以純鉭靶及純鋯靶為靶材，采用反應(yīng)磁控濺射工藝在WO3/ITO玻璃上沉積TaOx和TaOx:Zr薄膜
3、，通過紫外-可見分光分度計、V/A曲線分析法、X射線衍射儀及掃描隧道顯微鏡測試分析，研究制備工藝參數(shù)以及Zr摻雜對TaOx薄膜離子導(dǎo)電性能和結(jié)構(gòu)的影響。研究表明：用射頻反應(yīng)磁控濺射制備的TaOx和TaOx:Zr薄膜為非晶態(tài)，在離子傳導(dǎo)過程中表現(xiàn)出良好的離子導(dǎo)電性能；適中的氧分量制備的TaOx薄膜有助于提高WO3薄膜的電致變色能力，較低的濺射功率和濺射溫度有助于提高薄膜的離子導(dǎo)電特性；而TaOx薄膜摻雜Zr之后，非晶態(tài)的趨勢強于未摻雜的TaOx薄膜，結(jié)構(gòu)的變化導(dǎo)致了TaOx:Zr薄膜具有更好的離子導(dǎo)電性能；摻雜工藝對TaOx薄膜的離子導(dǎo)電性能影響較為復(fù)雜，主要
4、與摻雜靶的濺射功率、摻雜方式和相對摻雜量幾個方面有關(guān)，當(dāng)相對摻雜量處于有效摻雜范圍和最佳值附近時，均勻的分層摻雜有利于提高TaOx薄膜的離子導(dǎo)電性能。關(guān)鍵詞：離子導(dǎo)體，射頻反應(yīng)磁控濺射，氧化鉭，鋯摻雜，非晶態(tài)薄膜I重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文英文摘要ABSTRACTFastionconductors(sometimesarenamedsolidelectrolyte)areakindofsolidmaterialwhichionconductivitycannearorexceedliquidelectrolyte.Thismaterialisrequiredtoh
5、aveverylowelectron,besideshighionconductivity.Alsoitwillhavehighpermeationrate,beeasyformingfilmsandhavegoodmachinestability.What’smoreitmusthavehighiontransplantrate.Accordingdatum,TaOXfilmshaveespecialsamdwichbesidesabovetraits.Amongmanyionconductormaterials,TaOXisregardedasoneof
6、themostpotentialmaterialsbecauseofitsgoodself-resumecapability,shorttransmissionresponsetime,longcyclelifeandlowercost.Itisapitythattheyarefarfrompracticaluse,anditisimportantworkthatthematerialisputintopractice.Therearesomewaystoimprovethefilms’ionconductorperformances,forinstance
7、,optimizingprocessparametersanddopingmethodaretwoeffectiveways.Usually,thereareseveralpreparationprocessesforionconductorfilmssuchassol-gel,vacuum-evaporation,chemicalvapordepositionandsputteringdeposition,inwhichthemagnetronsputteringisthemostoptimalpreparationprocess,foritsmerits
8、ofquickdepositionvelocity,
