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《摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜的制備與性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、中南大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要本文在討論攙雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜優(yōu)異性能的基礎(chǔ)上，對氧化鋅薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、攙雜、制備方法和用途進行了綜合分析。采用直流磁控濺射法，在玻璃基底上制備了摻燦氧化鋅(zao)薄膜和在聚酯(PErI')柔性基底上制備了摻Ga氧化鋅(zGo)薄膜。采用臺階儀、原子力顯微鏡(ARM)、X射線衍射儀儀RD)、分光光度計和方塊電阻測量儀等分析測量手段，對薄膜的厚度、表面形貌、結(jié)構(gòu)和光電性能進行了測試和分析。研究了不同工藝參數(shù)(濺射功率、基底溫度、沉積壓強、沉積時間和氧分壓)對薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌和光電性能的影響，得到了以下的結(jié)論：(
2、1)在沉積壓強為0．5Pa、濺射功率為150W、襯底溫度為250"12、氧分壓為1％和沉積時間為15分鐘的條件下，ZAO薄膜的電阻率和平均可見光透過率分別達(dá)到了8．35x10-4Qocm和85．2％。(萄在氧分壓為1％的條件下，ZAO薄膜電阻率隨溫度變化的幅度非常小，最大電阻率為1．44x10-3Qocm，最小電阻率為8．35x10-4Q*cm，這對工業(yè)生產(chǎn)極為有利，這使得制備ZAO薄膜的工藝窗口大大拓寬。(3)ZGO薄膜的方塊電阻，隨濺射功率和沉積時間的增大，先迅速降低，而后其下降趨勢趨于平緩，但都有閥值存在，薄膜的方塊電阻只有在濺射
3、功率高于100W，沉積時間大于1小時的條件下才迅速降低至300(f2／n)以內(nèi)，薄膜的方塊電阻隨著沉積壓強的升高而升高。(4)基底溫度和沉積壓強對薄膜的可見光透過率影響不大，可見光透過率隨氧分壓的增加而增大，隨沉積時間的增加而降低。關(guān)鍵詞透明導(dǎo)電薄膜，磁控濺射，電阻率，可見光透過率中南大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTAtfirst，theexcellentperformanceofthedopped-ZnOthinfilmshasbeendiscussedinthispaper．Then，thecrystalstructure，dopi
4、ng,preparm-entandusageofthefilmshasbeensyntheticallyanalysed．D．Cmagnetro-nsputteringhasbeenuesdtoprepareAIdopedZnO(ZAO)filmson西aSSsubstratesandGadopedZnO(ZGO)filmsonPETflake．Manytypesofequipment，suchasAFM，XRD，spectrometerandsheetresistanceprobehavebeenusedtomeasuereandan
5、alysethestructure，morphologyandoptoelectricperformanceofthefilms．Theinfluenceonthefilmswithchangingthesputteringpower,tempretureofsubstrates，presuure，deposi—tiontimeandoxygenpartialpressurehasbeenresearched．Finally,wegetseveralconclusionsasfollowing：(1)Theoptimalsputteri
6、ngparametersforZAOfilmsareasfollows：sputeringpower150W,sputeringpressure0．5Pa，oxygenpartialpressure1％，spuReringtime15rain，andsubstratetemperature250"C．TheoptimalproperitiyofZAOfilmsarethat：resisitivtyattains8．35x104Q·cmandtransmittancearrives85．2％．(2)Thereisverylittlecha
7、ngeofresistivityofZAOfilmfollowingvariationoftemperaturewhenoxygenpartialpressureatl％．Themaxresistivityis1．44x10-3Q·cm．a(chǎn)ndminresistivityis8．35x10qf2·cm．11lisisverygoodforindurstrialproduction，andwildentheprocessingwidowofZAOfilmpreparation．(3)FirstthesheetresistivityofZG
8、Ofilmdecreasessharplyasincreasingsputteringpowerandtime，thendecreasingbecomesflatlyatlast，andtheyallhav
