應(yīng)變速率對強(qiáng)塑性變形晶粒細(xì)化的影響

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1、I,●t太原理二[:大學(xué)碩十研究生學(xué)位論文應(yīng)變速率對強(qiáng)塑性變形晶粒細(xì)化的影響摘要采用強(qiáng)烈塑性變形(SPD)方法尤其是等通道轉(zhuǎn)角擠E,(Equal-ChannelAngularPressing簡稱ECAP)N備塊體超細(xì)晶/納米晶材料具有清潔致密等優(yōu)點(diǎn)而受到越來越多的關(guān)注。本文在常溫下以不同應(yīng)變速率經(jīng)Bc路徑進(jìn)行ECAP擠壓成功地制備出純鋁及純銅的超細(xì)晶材料。并發(fā)現(xiàn)隨著應(yīng)變速率增大,純鋁及純銅的晶粒細(xì)化更加明顯。將經(jīng)ECAP擠壓后獲得的純鋁飽和晶粒與相應(yīng)等效應(yīng)變速率下常規(guī)壓縮變形~6%后產(chǎn)生的位錯胞狀組織比較發(fā)現(xiàn),相同應(yīng)變速率下兩種組織的尺寸呈一定正比關(guān)系。由于純鋁層錯能較高,晶粒細(xì)化以位錯滑移機(jī)

2、制為主。即首先在應(yīng)力作用下發(fā)生位錯增殖、纏結(jié)形成位錯胞,隨著位錯在胞壁纏繞,位錯胞壁逐步轉(zhuǎn)化為亞晶界,進(jìn)一步擠壓使亞晶粒轉(zhuǎn)化為大角品粒,最終導(dǎo)致晶粒細(xì)化。另外位錯胞的形成是運(yùn)動位錯相互纏結(jié)阻塞的結(jié)果,如果運(yùn)動位錯在某運(yùn)動距離范圍內(nèi)不遇到別的位錯或其它障礙,則可自由運(yùn)動,我們認(rèn)為可以將各個位錯在遇到其它位錯之前自由運(yùn)動的平均距離稱為位錯運(yùn)動自由程。因此位錯運(yùn)動自由程決定了位錯胞的尺寸而最終決定晶粒細(xì)化的程度,并且該結(jié)論在本實(shí)驗中也得到進(jìn)一步證明。Ch夕l-實(shí)驗結(jié)果表明,位錯運(yùn)動自由程與應(yīng)變速率有關(guān),太原理工大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文即應(yīng)變速率越大位錯運(yùn)動自由程越小,形成的位錯胞越小,最終經(jīng)ECAP擠

3、壓獲得的最小晶粒尺寸越小。而以純銅作類似比較發(fā)現(xiàn),純銅的飽和晶粒尺寸遠(yuǎn)小于相應(yīng)等效應(yīng)變速率下常規(guī)壓縮變形~6%后產(chǎn)生的位錯胞尺寸。由于純銅層錯能較低,存在位錯運(yùn)動與機(jī)械孿生兩種晶粒細(xì)化機(jī)制。經(jīng)ECAP實(shí)驗表明,純銅在晶粒細(xì)化過程中首先發(fā)生位錯纏結(jié)形成位錯胞,位錯運(yùn)動受阻產(chǎn)生一定的戍力集,一h發(fā)生機(jī)械孿生,同時改變晶粒取向以適應(yīng)滑移要求,從而使晶粒細(xì)化機(jī)制再一次轉(zhuǎn)變?yōu)橐晕诲e運(yùn)動為主。此時孿晶已在橫軸方向顯著細(xì)化,使位錯運(yùn)動自由程的作用更加明顯。最終仍導(dǎo)致應(yīng)變速率越高的飽和晶粒尺寸越小。此外由于純鐵強(qiáng)度較高,受實(shí)驗條件所限,本文僅對純鐵進(jìn)行了常規(guī)壓縮變形~6%的分析,結(jié)果表明層錯能較高的純鐵,形成

4、的位錯胞尺寸同樣也與應(yīng)變速率有關(guān),且位錯胞尺寸隨應(yīng)變速率的增大而減小。關(guān)鍵詞:等通道轉(zhuǎn)角擠壓,應(yīng)變速率,位錯胞,超細(xì)晶粒太原理:l大學(xué)碩十研究生學(xué)位論文INFLUENCEOFSTRAINRATEONGRAINItEFINEⅣ匝NTBYPLASTICDEFORMINGABSTRACTSevereplasticdeformation(SPD)processing,especiallyEqual-ChannelAngularPressing(ECAP),hasattractedincreasinginterestrecentlywithitsprominentadvantages,suchascle

5、annessanddensification,inobtainingmaterialsofultrafinegrains/nanocrystallinesEqual—ChannelAngularPressingofpureA1andpureCuwassuccessfullycarriedoutatroomtemperaturewithrouteBcatdifferentstrainrates.TheresultsshowthatthefinergrainsbothforAIandforCuobtainedatthehigherstrainrateInthisstudy,dislocationc

6、ellsbyconventionalcompressionwithstrainof6%aswellassaturatedgrainsbyECA—pressingwereobtainedatthesameequivalentstrainrate.Itwasfoundthatthesizesofthesetwokindsofstructuresshowaproportionalrelationship.DislocationSlippingistheprincipalmechanismforgrainrefinementinaluminumbecauseofitshighIII太原理:[大學(xué)碩士研

7、究生學(xué)位論文stackfaultenergy.Itmeansthatdislocationswithfirstlypropagation,tangleintodislocationcells,andthendislocationwallsturntobesub—boundarywithdisappearanceofdislocationsincellwalls.Afterthat,subgrain

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