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《金屬摻雜氧化銅薄膜的制備與表征》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、0萬方數(shù)據(jù)理學(xué)碩士學(xué)位論文學(xué)校代碼：10184分類號(hào)：04金屬摻雜氧化銅薄膜的制備與表征PREPARATIONANDCHARACTERIZATIONOFMETAL—DOPEDCOPPEROXIDEFILMS傘志鵬物理學(xué)延邊大學(xué)萬方數(shù)據(jù)分類號(hào)04UDC530㈣Y3哪0刪60刪s刪ut，密級(jí)學(xué)號(hào)2013010383延邊大學(xué)碩士學(xué)位論文研究生姓名培養(yǎng)單位指導(dǎo)教師姓名、職稱學(xué)科專業(yè)研究方,rh-i論文提交日期傘志鵬理學(xué)院物理系顧廣瑞教授物理學(xué)功能材料物理2016年5月25日萬方數(shù)據(jù)本論文已達(dá)到理學(xué)碩士學(xué)位論文要求答辯委員會(huì)主席答辯委員會(huì)委員’攜}韭趣印)I『’i一7．延邊大學(xué)2016年5
2、月25日萬方數(shù)據(jù)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文系本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下獨(dú)立完成的研究成果．盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)記和致謝的部分外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含本人為獲得任何教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或?qū)W歷而使用過的材料．與我一同工作的同事對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意．本人如違反上述聲明，愿意承擔(dān)由此引發(fā)的一切責(zé)任和后果．研究生簽名：本碰日期：絲垃￡月絲旦本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下所完成的學(xué)位論文，學(xué)校有權(quán)保存其電子和紙制文檔，可以借閱或上網(wǎng)公布本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容，可以向有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交并授權(quán)其保存、借閱或上網(wǎng)公布本學(xué)位
3、論文的全部或部分內(nèi)容．對(duì)于保密論文，按保密的有關(guān)規(guī)定和程序處理．本學(xué)位論文屬于：／1．保密口，在年解密后適用于本聲明；2．不保密呸研究生簽名：姚師簽名：萬方數(shù)據(jù)摘要銅有兩種主要的氧化相，分別是氧化銅(CuO)禾I氧化亞銅(Cu20)．銅的氧化物具有光學(xué)和電學(xué)特性良好，地球上含量豐富，無毒及成本較低等優(yōu)點(diǎn)．跟Cu20相比，CuO更加穩(wěn)定而且制備更容易，其帶隙與太陽光譜結(jié)構(gòu)更相匹配，因此它能夠吸收更多的太陽光，有望獲得更高的光電轉(zhuǎn)換效率，因而CuO更適合用作太陽能電池材料．金屬摻雜的CuO(CuMO)薄膜的性質(zhì)鮮有報(bào)道，因而研究CuMO薄膜對(duì)其在光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等方面具有良好的應(yīng)用前
4、景．本論文采用射頻直流磁控共濺射法分別在Si(100)矛[JITO玻璃襯底上制備了氧化銅及金屬摻雜氧化銅薄膜，分析了氧化銅薄膜及金屬摻雜氧化銅薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、成分組成、電學(xué)性能、光學(xué)性能和磁學(xué)性能．采用射頻磁控濺射在Si(100)和ITO玻璃襯底上制備氧化銅薄膜，得到結(jié)晶性良好且具有(002)擇優(yōu)取向的氧化銅薄膜．從X射線衍射(XRD)圖譜上看出制備的氧化銅薄膜(002)方向的衍射峰尖銳，表明薄膜的結(jié)晶性較好；掃描電子顯微鏡(SEM)圖像表明薄膜表面光滑致密，平均顆粒尺寸約為32．70nm；能量色散x射線光譜(EDX)分析顯示未退火的薄膜中Cu和O的比值約為1．1—1．
5、3，接近化學(xué)計(jì)量的CuO；X射線光電子能譜(XPS)N試顯示未退火的薄膜Cu元素的存在形式為Cu2+；四探針法測(cè)得薄膜電阻率約為0．05．3．702Q·cm；紫外可見近紅外分光光度計(jì)測(cè)量顯示在1030．53nin處薄膜具有最大透射率為46．6％，光學(xué)帶隙為2．84eV．利用射頻直流共濺射的方法制備金屬摻雜的氧化銅薄膜(CuO．Mn：A1，CuO．Co：A1)，并且對(duì)薄膜進(jìn)行退火處理．利用XRD對(duì)所得到的薄膜進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析，采用SEM、EDX、XPS分析薄膜的表面形貌、成分組成，利用四探針法電阻測(cè)量?jī)x、紫外可見分光光度計(jì)、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)i貝U量，分析了金屬摻雜的氧化銅薄膜的
6、電阻率、光學(xué)帶隙、磁性的變化情況．結(jié)合計(jì)算得到晶格常數(shù)以及萬方數(shù)據(jù)摘要EDX、XPS的測(cè)量結(jié)果表明，Mn：AI和Co：AI成功摻雜進(jìn)入晶胞中，且摻雜使得電阻率降低，光學(xué)帶隙寬度變大，由非磁性材料變?yōu)殍F磁性的材料．摻雜Co：Al氧化銅薄膜的矯頑力(401Oe)大于摻雜Mn：A1薄膜的矯頑力(270Oe)．關(guān)鍵詞：磁控濺射；金屬摻雜的氧化銅薄膜；結(jié)構(gòu)特性；光學(xué)性質(zhì)；磁性萬方數(shù)據(jù)AbstractCopperoxidemainlyconsistsofcopperoxide(CuO)andcuprousoxide(Cu20)．Ithasmanyadvantages，suchasexcell
7、entopticalandelectricalproperties，richnessinearthcontent，non-toxicandlowcost，andSOon．ComparedtoCu20，CuOismorestableandeasilyprepared，anditsbandgapismorematchedwiththesolarspectrumstructureenablingittoabsorbmoresunlightandreachhigherphotoelect
