資源描述：
《cdznte薄膜制備與性能表征》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。
1、國內圖書分類號：TN304西北工業(yè)大學工學碩士學位論文CdZnTe薄膜制備與性能表征碩士研究生：周昊導師：介萬奇教授申請學位級別：碩士學科、專業(yè)：材料學所在單位：材料學院答辯日期：2010年03月授予學位單位：西北工業(yè)大學Classifiedindex：TN304ThesissubmittedinpartialfulfillmentoftherequirementsforthedegreeofMasterofEngineeringGrowthandCharacterizationOfCdZnTeFilmMSCandidate：ZHOUHaoAdvisor：ProfessorJIEW
2、anqiDegreeAppliedfor：MasterofEngineeringSpecialty：MaterialsEngineeringSchool：SchoolofMaterialsScienceandEngineeringDateofOralDefence：March2010UniversityConferringDegree：NorthwesternPolytechnicalUniversity摘要摘要CdZnTe是一種性能優(yōu)異的II-VI族化合物半導體。雖然對CdZnTe體單晶的研究由來已久，但關于CdZnTe薄膜的制備、性能及表征上尚存在諸多難題。本文研究了真空蒸發(fā)法
3、制備CdZnTe薄膜的技術；分析了CdZnTe薄膜的沉積模型；對比了退火前后CdZnTe薄膜成分、結構和光電性能的變化。利用真空蒸發(fā)法制備CdZnTe納米薄膜。該方法具有工藝簡單，成膜致密且均勻性好以及反應參數(shù)易于控制等優(yōu)點，是目前大面積、低成本制備CdZnTe薄膜的一種重要方法。我們通過采用相同的沉積工藝，改變沉積時間，得到了三組不同厚度的CdZnTe薄膜，依次分別命名為CZT-1、CZT-2和CZT-3。分析了不同沉積工藝條件下制備得到的CdZnTe薄膜的結晶質量、表面形貌、禁帶寬度和電學性能；采用高分辨透射電鏡觀察了CdZnTe薄膜與襯底界面處的微觀結構，分析了CdZnTe薄
4、膜沉積模型；對所制備的CdZnTe薄膜在N2氣氛下進行退火處理，研究了不同退火工藝對薄膜形貌、光學帶隙寬度和電學性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)，當襯底溫度為室溫時，真空蒸鍍制備的薄膜中的成分配比偏離原料中的配比，呈現(xiàn)不同程度的富Te傾向。隨著沉積時間的延長，CdZnTe薄膜表現(xiàn)出明顯的擇優(yōu)取向生長，生長面為（111）面，并表現(xiàn)出層島復合模式的生長機制。三組薄膜CZT-1、CZT-2和CZT-3的禁帶寬度依次分別為2.26eV、2.12eV和1.6eV，電阻率依次分別為4.2E9cm、3.1E11cm和7.4E11cm。在300℃和400℃氮氣氣氛退火后，薄膜擇優(yōu)取向得到加強，薄膜顆粒長大，光
5、學吸收邊變得陡峭，電阻率提高，平衡載流子增加。關鍵詞CdZnTe薄膜,太陽能電池,性能表征,退火IABSTRACTABSTRACTCdZnTe(CZT)isakindofII-VIsemiconductorswithexcellentphotoelectricproperties.AlthoughthestudyonCdZnTecrystalhaslastedforalongperiod,therestillexistsomeproblemsinthepreparation,characterizationandupgradationofCdZnTefilms.Inthisthes
6、is,theCdZnTethinfilmswerepreparedbyvacuumdepositionmethod,whichisprovedtobethebestmethodamongdifferenttechnologiesforthelargeareapreprationofCdZnTethinfilmsduetoitssimplicityandlowcost.Nano-crystallineCdZnTefilmsweregrownonsiliconwaferandglasssubstratebyvacuumdepositionmethod.CdZnTefilmsamples
7、grownunderthesameconditionswithdifferentdepositiontime,arenamedCZT1,CZT2andCZT-3respectively.Thecomposition,structure,surfacemorphologyandthephotoelectricpropertiesofthethreesampleswereanalyzed.TheeffectsoftheannealinginN2onthepropertie
