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《納米晶硒化鉛薄膜的制備及表征研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、北京化工大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均己在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。關(guān)于論文使用授權(quán)的說(shuō)明學(xué)位論文作者完全了解北京化工大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校玫讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬北京化工大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許學(xué)位論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分
2、內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文?？谡撐臅翰还_(kāi)(或保密)注釋?zhuān)罕緦W(xué)位論文屬于暫不公開(kāi)(或保密)范圍，在一年解密后適用本授權(quán)書(shū)。囪非暫不公開(kāi)(或保密)論文注釋?zhuān)罕緦W(xué)位論文不屬于暫不公開(kāi)(或保密)范圍，適用本授權(quán)書(shū)。日期：型f生：．．6：三．Et期：竺!幺蔓：．2．～——學(xué)位論文數(shù)據(jù)集中圖分類(lèi)號(hào)TN304．2學(xué)科分類(lèi)號(hào)430．4520論文編號(hào)1001020141301密級(jí)學(xué)位授予單位代碼100lO學(xué)位授予單位名稱(chēng)北京化工大學(xué)作者姓名王曉陽(yáng)學(xué)號(hào)201120130I獲學(xué)位專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)材料科學(xué)與工程獲學(xué)位專(zhuān)業(yè)代碼080500課題來(lái)源北京市自然基金
3、研究方向半導(dǎo)體薄膜論文題目納米晶硒化鉛薄膜的制備及表征研究關(guān)鍵詞PbSe薄膜，磁控濺射，真空蒸發(fā)，光學(xué)性能，太陽(yáng)能電池論文答辯日期2014年5月24El幸論文類(lèi)型基礎(chǔ)研究學(xué)位論文評(píng)閱及答辯委員會(huì)情況、姓名職稱(chēng)工作單位學(xué)科專(zhuān)長(zhǎng)指導(dǎo)教師周海教授北京石油ff,m學(xué)院評(píng)閱人1陳曉農(nóng)教授北京ff,m大學(xué)評(píng)閱人2盧一民教授北京石油化工學(xué)院評(píng)閱人3評(píng)閱人4評(píng)閱人5答辯委員會(huì)主席陳曉農(nóng)教授北京'fl匕T大學(xué)答辯委員1武光明教授北京石油,fE,-r學(xué)院答辯委員2崔秀國(guó)教授北京石油,／l：-r學(xué)院答辯委員3劉太奇教授北京石油(1二-r學(xué)院答辯委員4盧一民教授北京石油ff,m學(xué)院答辯
4、委員5征：一．四．論文類(lèi)型：1．基礎(chǔ)研究2．應(yīng)用研究3．開(kāi)發(fā)研究4．其它中圖分類(lèi)號(hào)在《中國(guó)圖書(shū)資料分類(lèi)法》查詢(xún)。學(xué)科分類(lèi)號(hào)在中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB／T13745-9)《學(xué)科分類(lèi)與代碼》中查詢(xún)。論文編號(hào)由單位代碼和年份及學(xué)號(hào)的后四位組成。摘要納米晶硒化鉛薄膜的制備及表征研究rJlllrlllPll／llllllPilllllllllllPirllllrljllY2629050本文分別利用射頻磁控濺射法和真空蒸發(fā)法制備了硒化鉛(PbSe)薄膜，研究了主要工藝參數(shù)對(duì)薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及光學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明：PbSe薄膜多表現(xiàn)出(200)晶面的擇優(yōu)取向，薄
5、膜的結(jié)晶質(zhì)量較好。當(dāng)襯底溫度超過(guò)250oC后，薄膜的擇優(yōu)取向變?yōu)?220)晶面，主要是由于襯底溫度升高，微觀應(yīng)力增大，晶粒趨向于在能顯著降低微觀應(yīng)力的面上生長(zhǎng)，從而沿具有最小微觀應(yīng)變能的(220)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng)。PbSe薄膜的表面形貌以球形顆粒為主，但當(dāng)襯底溫度超過(guò)250oC后轉(zhuǎn)變?yōu)槿切徒Y(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)于擇優(yōu)取向的變化；濺射氣壓增大至2．0Pa后呈現(xiàn)出無(wú)規(guī)片狀結(jié)構(gòu)；而真空蒸發(fā)PbSe薄膜厚度達(dá)到93am和127am后則團(tuán)聚成蠕蟲(chóng)狀結(jié)構(gòu)。PbSe薄膜的光學(xué)帶隙寬度可調(diào)，利用磁控濺射法制備的薄膜的帶隙寬度主要集中1．3．1．6eV之間，明顯小于真空蒸發(fā)法所得樣品的帶隙寬度
6、(2．05．2．30eV)。影響薄膜帶隙寬度的主要因素有晶粒尺寸和晶粒邊界處的電荷和勢(shì)壘形成的電場(chǎng)。晶粒尺寸增大，帶隙寬度減??；上述電場(chǎng)越大，帶隙越寬?？傮w而言，利用磁控濺射法制備PbSe薄膜的最佳工藝條件為：濺射功率100W、濺射時(shí)間60min、襯底溫度為200oC((200)晶面擇優(yōu)取向)、濺射氣壓1．0．2．0Pa、濺射靶間距為6．5cm、不退火。真北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文空蒸發(fā)法最佳蒸發(fā)時(shí)間為20min，最佳退火溫度為300oC。磁控濺射法更適于用來(lái)制備太陽(yáng)能電池中的PbSe吸收層。本工作還制備了ITO／CdZnTe／CdS／PbSe／Au結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電
7、池，獲得了1．06％的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率。實(shí)驗(yàn)獲得的最大開(kāi)路電壓(V。。)為300mV(2號(hào)樣)，最大短路電流密度(I。。)為21．6mA／cm2(5號(hào)樣)，最大填充因子為25．77％。由此可見(jiàn)，基于PbSe薄膜的太陽(yáng)能電池效率尚有很大提升空間。關(guān)鍵詞：PbSe薄膜，磁控濺射，真空蒸發(fā)，光學(xué)性能，太陽(yáng)能電池lIAbstractPREnU認(rèn)TIoNANDPRoPERTIESCHARACTERIZATIONoFPBSENANoCRYSTALFILMABSTRACTInthispaper,leadselenide(PbSe)filmswerepreparedbyRFmag
8、netronsputte
