資源描述：
《cis類薄膜光伏電池吸收層緩沖層材料制備研究分析》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、個人收集整理僅供參考學(xué)習(xí)本文由shevjiang貢獻pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗不佳.建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機查看.ｙ１４０４９３７分類號：ＵＤＣ：ＴＭ６１學(xué)校代號：１０１５０學(xué)號：２００５２１０１密級：峽建交戤摯碩士學(xué)位論文ＣＩＳ類薄膜光伏電池吸收層及緩沖層材料地制備與研究ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄｒｅｓｅａｒｃｈＯＨａｂｓｏｒｐｔｉｏｎｌａｙｅｒａｎｄｂｕｆｆｅｒｌａｙｅｒｍａｔｅｒｉａｌｉｎＣＩＳ－Ｃｌａｓｓｓｏｌａｒｃｅｌｌ學(xué)生姓名：導(dǎo)師及職稱：學(xué)科門類；專業(yè)名稱：研究方向：申請學(xué)位級別：論文答辯日期：
2、學(xué)位授予單位：劉元之薛鈺芝教授工學(xué)材料學(xué)薄膜光伏材料與器件碩士２００８年６月５日大連交通大學(xué)摘要摘要太陽能是“取之不盡，用之不竭＂地清潔和可再生能源.銅銦硒類薄膜太陽能電池具有優(yōu)異地光電轉(zhuǎn)換性能而受到廣泛關(guān)注.ＣｕｌｎＳｅ２（簡稱ｃＩｓ）是一種直接帶隙材料，其光吸收系數(shù)高達１０５數(shù)量級，是目前己知光吸收性最好地半導(dǎo)體薄膜材料之一.ＣＩＳ類薄膜太陽能電池以ＣＩＳ為吸收層、以ＣｄＳ為緩沖層，光電轉(zhuǎn)換效率較高.太陽光地最佳吸收能隙在１．４５ｅＶ，ＣｕＩｎＳｅ２地帶隙為１．０４ｅＶ，為了提高帶隙寬度，通常摻入Ｇａ，形成ＣｕＩｎＧａＳｅ四元化
3、合物.鑒于Ｉｎ和Ｇａ均為昂貴金屬，本文通過在ＣＩＳ中摻入廉價地金屬ｍ形成ＣｕＩｎＡｌＳｅ（Ｃ認Ｓ），改變材料地禁帶寬度，以提高太陽能電池地轉(zhuǎn)換效率.緩沖層ＣｄＳ中地Ｃｄ有毒，本文制備無毒地ＺｎＳ替代ＣｄＳ做為太陽b5E2RGbCAP能電池地緩沖層材料，對環(huán)境保護有利.本文首先在玻璃襯底真空上蒸鍍Ｃｕ．Ｉｎ和Ｃｕ－Ｉｎ－Ａｌ金屬多層膜以及后硒化退火地方法，制得了ＣＩＳ和ＣＩＡＳ薄膜.然后以ＺｎＳ０４?７Ｈ２０和ＣＳ（ＮＨ２）２為原料，以ＮＨ３?Ｈ２０為絡(luò)和劑，用化學(xué)水浴沉積法（ＣＢＤ）制得了ＺｎＳ薄膜.進而，對制得地樣品用Ｘ射91/9
4、1個人收集整理僅供參考學(xué)習(xí)線衍射儀（ＸＲＤ）、掃描電鏡（ＳＥＭ）、能譜儀（ＥＤ）（）、四探針電阻測試儀、分光光度計等進行了檢測，并對結(jié)果進行了分析.吸收層電性能測試結(jié)果顯示，ＣＩＳ薄膜地電阻率在３．６８×１０４Ｑ?ｃｍ與１．８９p1EanqFDPwＱ?ｃｍ之間.當(dāng)Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅ地比例在１：１：２附近時，薄膜樣品地電阻率在１．０Ｑ?ｃｍ數(shù)量級，ＣＩＡＳ薄膜地電阻率較ＣＩＳ薄膜地低，最高為０．６６×１０ｄＱ?鋤.ＳＥＭ觀察發(fā)現(xiàn)ＣＩＳ薄膜樣品地形貌隨各元素比例不同而有差異.在化學(xué)計量比附近，富Ｃｕ地樣品晶粒較大.ＸＲＤ物相分析顯示，在化
5、學(xué)計量比附近能夠獲得單一物相地ＣＩＳ多晶薄膜，砧替代部分Ｉｌｌ后，ＣＩＡＳ保持了黃銅礦型結(jié)構(gòu).分光光度計檢測結(jié)果顯示，兩種薄膜樣品地DXDiTa9E3d透光率在５％以下.ＳＥＭ觀察發(fā)現(xiàn)，ＺｎＳ薄膜表面形貌呈球形，顆粒細小；四探針電阻測試顯示ＺｎＳ薄膜地電阻率大于１．ＯｋＱ?ｃｍ，這樣地電阻率滿足制作太陽能電池地要求.ＸＲＤ物相分析顯示，ＺｎＳ薄膜呈非晶或微晶狀態(tài).分光光度計檢測說明ＺｎＳ薄膜樣品地透光率在可見光波段大都在８０％以上，其性能均顯示了ＺｎＳ薄膜適于做太陽能電池緩沖層材料.關(guān)鍵詞：ＣＩＳ，ＣＩＡＳ，太陽能電池，硒化RTCr
6、pUDGiT大連交通大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文ＡｂｓｔｒａｃｔＥｎｅｒｇｙｃｒｉｓｉｓａｎｄｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌｐｏｌｌｕｔｉｏｎｈａｖｅｗｏｒｌｄｅｃｏｎｏｍｙｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ，ｔｈｅｓｏｌａｒｅｎｅｒｙａｌｗａｙｓａｖａｉｌａｂｌｅｆｏｒ、析ｔｌｌｉｎｔｏ5PCzVD7HxAｃａｎｂｅｃｏｍｔｈｅｐｒｉｎｃｉｐａｌｍａｔｔｅｒｔｏｔｈｅｍｏｄｅｍｂｅｓｅｅｎ勰ｉｎｅｘｈａｕｓｔｉｂｌｅｉｎｓｕｐｐｌｙａｎｄｕｓｅ，ｃｏｍｐａｒｅｄ晰ｔｌｌｆｏｓｓｉｌｆｕｅｌ，ｓｏｌａｒｅｎｅｒｙｈａＳｔｈｅｓｐｅｃｉａｌａｄｖａｎｔａｇｅ
7、ｓｃｌｅａｎａｎｄｒｅｎｅｗａｂｌｅ．ＴｈｅｓｏｌａｒｃｅｌｌｈａＳｂｅｃｏｍｅｔｈｅｆｏｃｏｕｓｆｏｒｉｔｓａｂｉｌｉｔｙｔｏｃｏｎｖｅｒｔｌｉｇｈｔjLBHrnAILgａｅｌｅｃｔｒｏｃｉｔｙ．ＣｕＩｎＳｅｚ（ＣＩＳ）ｉｓｋｉｎｄｏｆｄｉｒｅｃｔｂａｎｄｇａｐｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌ，ｉｔｓａｂｓｏｒｐｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｒｅａｃｈｅｄ１０’，ｉｓｔｈｅｈｉｇｈｉｓｔｉｎｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｓ，ａｎｄｉｔｓｍａｋｅＣＩＳｔｈｉｎｆｉｌｍｓｏｌａｒｃｅｌｌｔｈｅｆｏｃｕｓｐｈｏｔｏ
8、ｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ91/91個人收集整理僅供參考學(xué)習(xí)ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｉｓｈｉ曲ｔｏｏ，ｗｈｉｃｈｉｎｐｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｆｉｅｌｄｓ．ＣＩＳｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓ，ｉｅ．ｓｅｌｅｎｙｌ
