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《太陽(yáng)電池緩沖層cds和cdxzn1-xs薄膜的制備研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、分類號(hào)UDC論文題目1O12昏一30846004編號(hào)研究生：奎漁筮指導(dǎo)教師：堡±基王延塞專業(yè)：塑理堂2011年5月15日內(nèi)蒙古大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人聲明：所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果．除本文已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得內(nèi)苤直太堂及其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料．與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意．學(xué)位論文作者簽名：盔盤堡蘭日期：出f[：笸!星指導(dǎo)教師簽名：書＆磊y．尋妹指導(dǎo)教師簽名：迦＆坐：墨墅垛．日期：2￡碰。五0在學(xué)
2、期間研究成果使用承諾書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：內(nèi)蒙古大學(xué)有權(quán)將學(xué)位論文的全部?jī)?nèi)容或部分保留并向國(guó)家有關(guān)機(jī)構(gòu)、部門送交學(xué)位論文的復(fù)印件和磁盤，允許編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，也可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文．為保護(hù)學(xué)院和導(dǎo)師的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，作者在學(xué)期間取得的研究成果屬于內(nèi)蒙古大學(xué)．作者今后使用涉及在學(xué)期間主要研究?jī)?nèi)容或研究成果，須征得內(nèi)蒙古大學(xué)就讀期間導(dǎo)師的同意；若用于發(fā)表論文，版權(quán)單位必須署名為內(nèi)蒙古大學(xué)方可投稿或公開發(fā)表．學(xué)位論文作者簽名：日秀舀鍛指導(dǎo)教師簽名：太陽(yáng)電池緩沖層CdS和CdxZnl．xS薄N白,0N備研究
3、摘要薄膜太陽(yáng)電池作為一種新的能源正在得到迅速的發(fā)展和進(jìn)步。CIS(CulnSe2，CulnS2等)系薄膜太陽(yáng)電池因其較高的轉(zhuǎn)換效率、較低的成本，現(xiàn)在越來越受到人們的關(guān)注。CdS薄膜作為CIS系薄膜太陽(yáng)電池的緩沖層，其質(zhì)量直接影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。本文在玻璃襯底上采用化學(xué)水浴沉積法制備CdS和CdxZnl．xS薄膜，研究工藝參數(shù)對(duì)薄膜的影響規(guī)律。以CdS04為鎘源，SC(NH2)2為硫源，用氨水作為絡(luò)合劑，(NH4)2S04為緩沖劑，采用水浴法制備CdS薄膜，探討了沉積時(shí)間、沉積溫度和反應(yīng)物的濃度比(硫脲濃度與硫酸鎘濃度比)對(duì)薄膜形貌、厚度、透光率及光學(xué)帶隙的影響，通
4、過嚴(yán)格控制反應(yīng)條件，最終在總?cè)芤后w積為100mL，反應(yīng)溫度80。C，沉積時(shí)間20min的條件下，保持成膜溶液中CdS04、SC(NH2)2與(NH4)2S04的摩爾比為1：2．5：2．5，pH在11---12之間，成功制備出了表面光滑平整的CdS薄膜前驅(qū)體。再將制備出來的薄膜前驅(qū)體在N2氣氛下、400。C密閉石英管中熱處理30min后，最終在玻璃襯底表面獲得了平整性和透光率較好的、Cd與S原子比接近化學(xué)計(jì)量比1：1的均勻致密的薄膜。退火后的CdS薄膜為純凈的立方相結(jié)構(gòu)，光學(xué)帶隙為2．367eV。以CdS04為鎘源，ZnS04為鋅源，SC(NH2)2為硫源，用氨水和檸檬
5、酸三鈉作為絡(luò)合劑，采用水浴法制備了CdxZnl．xS薄膜。通過改變CdS04和ZnS04溶液濃度的配比，嚴(yán)格控制反應(yīng)條件，最終在總?cè)芤后w積為100mL，反應(yīng)內(nèi)蒙古大學(xué)碩l：學(xué)位論文溫度80。C，沉積時(shí)間90min的條件下，成功制備出了不同Cd、Zn原子比的CdxZnl．xS緩沖層薄膜前驅(qū)體。再將制備出來的薄膜前驅(qū)體在N2氣氛下、400。C密閉石英管中熱處理30min后，最終在玻璃襯底表面獲得了表面形貌和透光率較好的CdxZnl．xS薄膜。關(guān)鍵詞：CIS薄膜太陽(yáng)電池，化學(xué)水浴沉積法(CBD)，CdS，CdxZnl．xS內(nèi)蒙古人學(xué)碩上學(xué)位論文THEPREPARATIONO
6、FCDSANDCDxZNI．xSBUFFERLAYERFORTHINFILMSOLARCELLSABSTRACTThethinfilmsolarcellsasanewkindofenergyhavegotarapiddevelopment．TheseriesofCIS(CulnSe2，CulnS2andSOon)thinfilmsolarcellshaveattractedmoreandmoreattentionfortheirhightransmissionefficiency，relativelowcost．TheCdSthinfilmsinCISsolarcel
7、ls，thequalityofthinfilmsdepositedwilllimittheefficiencyofsolarcells．ThispaperaimstoprepareCdSandCdxZnl．xSbufferlayerthinfilmsbychemicalbathdepositiononcommonglasssubstrate，andwestudiedparameterstotheimpactoflawonthefilm．CdSthinfilmwaspreparedbyCBDusingCdS04assourceofCdandSCfNH2
