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《太陽電池緩沖層cds和cdxzn1-xs薄膜的制備研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學術(shù)論文-天天文庫。
1、分類號UDC論文題目1O12昏一30846004編號研究生：奎漁筮指導(dǎo)教師：堡±基王延塞專業(yè)：塑理堂2011年5月15日內(nèi)蒙古大學碩士學位論文原創(chuàng)性聲明本人聲明：所呈交的學位論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的研究成果．除本文已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得內(nèi)苤直太堂及其他教育機構(gòu)的學位或證書而使用過的材料．與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示謝意．學位論文作者簽名：盔盤堡蘭日期：出f[：笸!星指導(dǎo)教師簽名：書＆磊y．尋妹指導(dǎo)教師簽名：迦＆坐：墨墅垛．日期：2￡碰。五0在學
2、期間研究成果使用承諾書本學位論文作者完全了解學校有關(guān)保留、使用學位論文的規(guī)定，即：內(nèi)蒙古大學有權(quán)將學位論文的全部內(nèi)容或部分保留并向國家有關(guān)機構(gòu)、部門送交學位論文的復(fù)印件和磁盤，允許編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，也可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存、匯編學位論文．為保護學院和導(dǎo)師的知識產(chǎn)權(quán)，作者在學期間取得的研究成果屬于內(nèi)蒙古大學．作者今后使用涉及在學期間主要研究內(nèi)容或研究成果，須征得內(nèi)蒙古大學就讀期間導(dǎo)師的同意；若用于發(fā)表論文，版權(quán)單位必須署名為內(nèi)蒙古大學方可投稿或公開發(fā)表．學位論文作者簽名：日秀舀鍛指導(dǎo)教師簽名：太陽電池緩沖層CdS和CdxZnl．xS薄N白,0N備研究
3、摘要薄膜太陽電池作為一種新的能源正在得到迅速的發(fā)展和進步。CIS(CulnSe2，CulnS2等)系薄膜太陽電池因其較高的轉(zhuǎn)換效率、較低的成本，現(xiàn)在越來越受到人們的關(guān)注。CdS薄膜作為CIS系薄膜太陽電池的緩沖層，其質(zhì)量直接影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。本文在玻璃襯底上采用化學水浴沉積法制備CdS和CdxZnl．xS薄膜，研究工藝參數(shù)對薄膜的影響規(guī)律。以CdS04為鎘源，SC(NH2)2為硫源，用氨水作為絡(luò)合劑，(NH4)2S04為緩沖劑，采用水浴法制備CdS薄膜，探討了沉積時間、沉積溫度和反應(yīng)物的濃度比(硫脲濃度與硫酸鎘濃度比)對薄膜形貌、厚度、透光率及光學帶隙的影響，通
4、過嚴格控制反應(yīng)條件，最終在總?cè)芤后w積為100mL，反應(yīng)溫度80。C，沉積時間20min的條件下，保持成膜溶液中CdS04、SC(NH2)2與(NH4)2S04的摩爾比為1：2．5：2．5，pH在11---12之間，成功制備出了表面光滑平整的CdS薄膜前驅(qū)體。再將制備出來的薄膜前驅(qū)體在N2氣氛下、400。C密閉石英管中熱處理30min后，最終在玻璃襯底表面獲得了平整性和透光率較好的、Cd與S原子比接近化學計量比1：1的均勻致密的薄膜。退火后的CdS薄膜為純凈的立方相結(jié)構(gòu)，光學帶隙為2．367eV。以CdS04為鎘源，ZnS04為鋅源，SC(NH2)2為硫源，用氨水和檸檬
5、酸三鈉作為絡(luò)合劑，采用水浴法制備了CdxZnl．xS薄膜。通過改變CdS04和ZnS04溶液濃度的配比，嚴格控制反應(yīng)條件，最終在總?cè)芤后w積為100mL，反應(yīng)內(nèi)蒙古大學碩l：學位論文溫度80。C，沉積時間90min的條件下，成功制備出了不同Cd、Zn原子比的CdxZnl．xS緩沖層薄膜前驅(qū)體。再將制備出來的薄膜前驅(qū)體在N2氣氛下、400。C密閉石英管中熱處理30min后，最終在玻璃襯底表面獲得了表面形貌和透光率較好的CdxZnl．xS薄膜。關(guān)鍵詞：CIS薄膜太陽電池，化學水浴沉積法(CBD)，CdS，CdxZnl．xS內(nèi)蒙古人學碩上學位論文THEPREPARATIONO
6、FCDSANDCDxZNI．xSBUFFERLAYERFORTHINFILMSOLARCELLSABSTRACTThethinfilmsolarcellsasanewkindofenergyhavegotarapiddevelopment．TheseriesofCIS(CulnSe2，CulnS2andSOon)thinfilmsolarcellshaveattractedmoreandmoreattentionfortheirhightransmissionefficiency，relativelowcost．TheCdSthinfilmsinCISsolarcel
7、ls，thequalityofthinfilmsdepositedwilllimittheefficiencyofsolarcells．ThispaperaimstoprepareCdSandCdxZnl．xSbufferlayerthinfilmsbychemicalbathdepositiononcommonglasssubstrate，andwestudiedparameterstotheimpactoflawonthefilm．CdSthinfilmwaspreparedbyCBDusingCdS04assourceofCdandSCfNH2
