磷摻雜zno納米柱的制備及摻雜機理

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1、碩士學位論文磷摻雜ZnO納米柱的制備及摻雜機理PREPARATIONOFPHOSPHORUSDOPEDZNONANORODSANDTHEDOPINGMECHANISM張思哈爾濱工業(yè)大學2015年7月中圖分類號:TM23學校代碼:10213UDC:31.密級:公開碩士學位論文磷摻雜ZnO納米柱的制備及摻雜機理碩士研究生:張思導師:矯淑杰副教授申請學位:工學碩士學科:材料科學與工程所在單位:材料科學與工程學院答辯日期:2015年6月授予學位單位:哈爾濱工業(yè)大學ClassifiedIndex:TM23U.D.C:31.DissertationfortheMaster

2、DegreeinEngineeringPREPARATIONOFPHOSPHORUSDOPEDZNONANORODSANDTHEDOPINGMECHANISMCandidate:ZhangSiSupervisor:Assoc.Prof.JiaoShujieAcademicDegreeAppliedfor:MasterofEngineeringSpeciality:MaterialsScienceandEngineeringAffiliation:SchoolofMaterialsScienceandEngineeringDateofDefence:June,2

3、015Degree-Conferring-Institution:HarbinInstituteofTechnology哈爾濱工業(yè)大學工學碩士學位論文摘要ZnO是典型的第三代寬帶隙半導體,是II-VI族直接帶隙半導體,其禁帶寬度為3.37eV,室溫下激子束縛能高達60meV,遠大于室溫的熱離化能26meV,因此ZnO是制備室溫紫外激光器的優(yōu)良材料;而由于ZnO材料熱穩(wěn)定性高、外延溫度低、鋅元素價格便宜等特點,使得.ZnO成為了研究者們關注的焦點。雖然ZnO有著諸多優(yōu)點,但是由于未摻雜的ZnO為n型半導體,其摻雜雜質的低固溶度和ZnO本身的自補償效應使得ZnO的

4、p型摻雜十分困難,這也大大的阻礙了ZnO在半導體領域的應用。研究者們對ZnO的p型摻雜進行了大量的研究,但是仍.然有很多問題沒有解決。本文采用水熱法,制備出未摻雜的ZnO納米柱,并在制備本征ZnO納米柱的基礎上,以磷酸二氫銨為磷源制備出了磷摻雜p型ZnO納米柱,利用掃描電子顯微鏡、能譜儀、和光致發(fā)光測試系統(tǒng)對其進行表征,研究了不同水熱條件對磷摻雜ZnO納米柱的影響,并初步的研究了磷摻雜ZnO納米柱的摻雜機理。具體的研究內容如下:1、首先對在襯底上利用溶膠-凝膠提拉法制備ZnO種子層進行改進,減少制備種子層過程中暴露在空氣中的時間,減少制備的ZnO納米柱中的污染

5、雜質;并改進種子層提拉技術,增加種子層提拉次數,并對在提拉后對種子進行退火處理,使得制備的ZnO納米柱尺寸均勻、長徑比均一、有良好的c軸取向。2、以水熱法制備本征ZnO納米柱為基礎,以磷酸二氫銨作為磷源,制備出了磷摻雜ZnO納米柱。用SEM、EDS對制備的磷摻雜ZnO納米柱進行表征,研究了不同的水熱條件,對磷摻雜ZnO納米柱形貌、尺寸、磷含量等的影響。制備出了尺寸均勻、長徑比均一的磷摻雜ZnO納米柱。3、通過對磷摻雜ZnO納米柱進行不同溫度的退火處理,成功制備出了磷摻雜p型ZnO納米柱。通過SEM、EDS等測試方法對p型ZnO納米柱進行表征,對磷摻雜ZnO納米

6、柱的生長及摻雜機理進行了解釋。并通過低溫PL和變溫PL測試對磷摻雜p型ZnO納米柱進行了表征,研究了磷摻雜ZnO中導電類型的轉變及磷元素在ZnO中的摻雜能級,從而證明了制備出的磷摻雜ZnO納米柱為p型半導體。關鍵詞:水熱法;磷摻雜;p型ZnO納米柱;摻雜機理-I-哈爾濱工業(yè)大學工學碩士學位論文AbstractZnO,oneofthetypicalthird-generationsemiconductor,isanII-VIdirectbandgapsemiconductor.It’sbandgapis3.37eVandithasalargeexcitonbin

7、dingenergyof60meV,whichismuchhigherthanroomtemperaturethermalionizationenergyof26meV.BecauseZnOisagoodchoiceforultravioletlaserworkingatroomtemperature,anditspropertiessuchasthermostability,lowgrowthtemperatureandlow-cost,makestheZnOahotareaofresearch.However,ZnOhasseriousself-compe

8、nsationeffect,which

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