資源描述:
《粉末涂覆法制備cigs光吸收層及其性能研究》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、學(xué)校代碼:10126學(xué)號(hào);31346045分類號(hào)';編號(hào):'馨i備INNERMONGOLIAUNIVERSITY順±擊値繼褒MAST麼較駐1浸浸歷肢TATIOM粉末涂覆法制備CIGS光吸收層及其性能研究學(xué)院:物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院專業(yè):物理電子學(xué)研究方向:i半導(dǎo)體材料i?、-:電:—歲;姓^^名:宋淑婷指導(dǎo)教師:王延來(lái)副教授ir126學(xué)號(hào):31346045學(xué)校代碼:10分類號(hào)二:編號(hào)論女題目粉末涂覆法制備CIGS光吸收層及其性能優(yōu)化學(xué)曉:
2、物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)曉專業(yè):物理電子學(xué)研究方向:半導(dǎo)體材稱姓名:宋淑婷指導(dǎo)教師:王延來(lái)2016年5月5日原創(chuàng)性聲明.本人聲明:所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下進(jìn)行的研巧工作及取得的研巧成果。除本文己經(jīng)注明引用的內(nèi)容外,也不包含為獲得內(nèi)蒙古大學(xué)及,論文中不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使巧過(guò)的材料一同工作的同志對(duì)本研巧所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中。與我作了明確的說(shuō)明并表示謝意。學(xué)位論支作者簽名;義旅分指導(dǎo)教師簽名;曰期:wb.日期:2。/'’.r.;。在學(xué)期間研究成
3、果使用承諾書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定,目P;內(nèi)蒙古大學(xué)有權(quán)將學(xué)位論文的全部?jī)?nèi)容或部分保留并向國(guó)家有關(guān)機(jī)構(gòu),,、部口送交學(xué)位論文的復(fù)印件和磁盤(pán)允許編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索也可W采用影印,、縮印或其他復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。為保護(hù)學(xué)院和導(dǎo)師的知識(shí)產(chǎn)權(quán)作者在學(xué)期間取得的研究成果屬于內(nèi)蒙古大學(xué)。作者今后使用渉及在學(xué)期間主要研究?jī)?nèi)容或研巧成果,須征得內(nèi)蒙古大學(xué)就讀期間導(dǎo)師的同意;若用于發(fā)表論文,版權(quán)單位必須署名為內(nèi)蒙古大挙方可投稿或公開(kāi)發(fā)表。學(xué)位論文作者簽名:余堿4氣指導(dǎo)教師簽名:日期:^日期:^0
4、/6.r.io內(nèi)蒙古大學(xué)碩±學(xué)位論文粉末涂覆法制備CIGS光吸收層及其性能優(yōu)化摘要-CGS一5i銅銅嫁砸(I)是種具有黃銅礦結(jié)構(gòu)、較高的光吸收系數(shù)(含10cm),較寬吸收光譜范圍和高穩(wěn)定性的直接帶隙半導(dǎo)體材料,作為太陽(yáng)能電池的吸收層吸引了世界上許多研究者的廣泛關(guān)注和不斷研究。本論文采用涂覆法研究CIGS薄膜。實(shí)驗(yàn)分為四個(gè)步驟:1.球磨法制備前驅(qū)體料漿;2.旋涂法在襯底上制得前驅(qū)體薄膜;3.通過(guò)壓制工芝對(duì)前驅(qū)體薄膜進(jìn)行壓制;4.將前驅(qū)體薄膜在Ar的保護(hù)氛圍下退火。主要研究了球磨工藝參數(shù)對(duì)前驅(qū)體料漿和薄膜性能的影響
5、規(guī)律,分別采用了激光粒度分析儀、X射線衍射(XRD)、-v掃描電鏡(SEM)、能量色散譜(EDAX)和紫外可見(jiàn)光譜(UVis測(cè)試了料漿粒度、薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌、元素組成和光吸收特性。結(jié)果表明:隨著球磨比增大和球磨時(shí)間的增長(zhǎng),薄膜的雜相逐漸消失,黃銅礦結(jié)構(gòu)的(211)、(400)和(316/332)衍射峰相繼出現(xiàn),且各衍射峰變得越來(lái)越尖銳-二,說(shuō)明薄膜的結(jié)晶性比較好。在此前提下加入分散劑聚乙醇化6ml時(shí),料漿的團(tuán)聚現(xiàn)象隨著靜置時(shí)間的增長(zhǎng)變化并不太明顯,且不影響薄膜性能。’在退火溫度為500C的條件下進(jìn)行退火時(shí)間的研究,退火30m
6、in時(shí)得到的薄膜性能最佳。隨著In/Ga比的不斷增大,主要特征峰較規(guī)則且尖銳,說(shuō)明薄膜的結(jié)晶性越來(lái)越好。將前驅(qū)體薄膜用不同壓力單向壓制后研究薄膜的表面形貌,結(jié)果表明隨著單向壓力的逐漸增大,薄膜表面越來(lái)越平整,致密性越來(lái)越好,最佳的壓強(qiáng)為90Ma。,得到的薄膜光學(xué)性能最優(yōu)p退火溫度為50(TC時(shí)。關(guān)鍵詞:CuIn.GaSe薄膜xx)2;球磨比散劑(i;分;壓制;光吸收特性I內(nèi)蒙古大學(xué)碩±學(xué)位論文PREPARATIONANDPERFORMANCEOFCIGSSOLARCELLSOFABSORPTIONL
7、AYERSPREPAREDBYPOWDERCOATINGMETHODABSTRACTCopperin出urngalliumselenide(CIGS)isakindofdirectbandgapsemiconductormaterialsandhaschalcoritestructureahihabsortioncoeficientpy,gp-5il〇cmawideraneofroadsecrumandhihstabilit.ThewreCIGSattracts,bt
8、fo()gpgy,manresearchersallover