鐵酸鉍薄膜阻變效應(yīng)與陷阱電荷現(xiàn)象的研究

鐵酸鉍薄膜阻變效應(yīng)與陷阱電荷現(xiàn)象的研究

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2、EE.;;;v;^J%#啊拆"一-.w訪心.產(chǎn)iw‘'nm^—'--m',imn論文題目鐵酸祕薄膜阻變效應(yīng)與陷阱電荷現(xiàn)象的妍究-I專業(yè)學(xué)位類別工程碩±‘學(xué)號201322030403作者姓名nm指營教師曾慧中副教授'''''、"'-;--■';■.\.''-1^J分類號密級注1UDC學(xué)位論文鐵酸鉍薄膜阻變效應(yīng)與陷阱電荷現(xiàn)象的研究(題名和副題名)雷瑤(作者姓名)指導(dǎo)教師曾慧中副教授電

3、子科技大學(xué)成都(姓名、職稱、單位名稱)申請學(xué)位級別碩士專業(yè)學(xué)位類別工程碩士工程領(lǐng)域名稱材料工程提交論文日期2016.03.18論文答辯日期2016.05.09學(xué)位授予單位和日期電子科技大學(xué)2016年06月答辯委員會主席評閱人注1:注明《國際十進(jìn)分類法UDC》的類號。TheResistiveSwitchingEffectandChargeTrappingPhenomenaofBiFeO3ThinFilmsAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTec

4、hnologyofChinaMajor:MasterofEngineeringAuthor:YaoLeiSupervisor:AssociateProfessorHuizhongZengSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究王作及取得的研究成果。據(jù)我所知,除了文中特別加W標(biāo)注和致謝的地方夕h論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果,也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教

5、育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并表示謝意。作者簽名;日期:矣》居年^/月>日_論文使用授權(quán)本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定,有權(quán)保留并向國家有關(guān)部口或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤,允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可レッ將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索,可W采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。(保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定)作者簽名

6、、;富誠導(dǎo)師簽名:._日期:年乙月3日摘要摘要基于電致阻變效應(yīng)的隨機(jī)存儲器由于操作電壓低、讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn)備受關(guān)注,是極具前景的新一代非易失性存儲器。目前,阻變的物理機(jī)理、存儲機(jī)理等問題依然是研究熱點(diǎn)。BiFeO3(BFO)是一種室溫下典型的多鐵性材料,在其塊材和薄膜中均發(fā)現(xiàn)了電致阻變效應(yīng)。本論文以BFO薄膜為主要研究對象,使用脈沖激光沉積技術(shù)(PLD)分別制備了外延和多晶結(jié)構(gòu)的BFO薄膜。使用X射線衍射儀、原子力顯微鏡(AFM)研究外延和多晶薄膜的微觀結(jié)構(gòu),探討導(dǎo)電原子力顯微鏡(CAFM)和壓電響應(yīng)力顯

7、微鏡(PFM)的同步成像方法。構(gòu)造金屬/BFO/金屬阻變結(jié)構(gòu),利用變溫、變頻、脈沖序列等測試方法對外延和多晶BFO薄膜的低溫電致阻變效應(yīng)和陷阱電荷現(xiàn)象進(jìn)行研究。探索了石墨烯作BFO薄膜上電極的電致阻變效應(yīng)。主要內(nèi)容如下:1.利用PLD技術(shù)在不同基板上制備出外延和多晶的BFO薄膜。利用XRD、AFM分析樣品的微結(jié)構(gòu)信息,外延薄膜具有c軸取向,薄膜表面具有原子級的平整度;多晶薄膜具有(100)、(110)等多重取向,平均晶粒尺寸約為300~500nm。薄膜的鐵電性能由PFM證實(shí),外延和多晶的薄膜原始電疇均隨機(jī)分布且在外場作

8、用下可以實(shí)現(xiàn)極化翻轉(zhuǎn)。同步的PFM和CAFM測試表明外延BFO薄膜的極化和導(dǎo)電狀態(tài)在空間上是關(guān)聯(lián)的;多晶BFO薄膜的極化取向與導(dǎo)電狀態(tài)在空間上沒有直接關(guān)聯(lián)。2.研究了BFO/SRO外延結(jié)構(gòu)的低溫阻變效應(yīng)和缺陷電荷現(xiàn)象。實(shí)驗發(fā)現(xiàn)Au/BFO/SRO在室溫下具有穩(wěn)定的整流效應(yīng)和電致阻變行為,在104次疲勞特性測試后器件室溫下開關(guān)比仍然

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