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1、河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)多晶硅鑄錠石英坩堝和氮化硅涂層的研究摘要在多晶硅生產(chǎn)工藝中作為多晶硅鑄錠關(guān)鍵的輔助材料石英坩堝和氮化硅，輔材內(nèi)的雜質(zhì)含量不僅影響著多晶硅的少子壽命，而且會(huì)影響著硅錠的脫模效果。原則上講，使用純度越高的輔材其鑄錠質(zhì)量就越好，但在實(shí)際生產(chǎn)中過(guò)高追求質(zhì)量往往會(huì)增大投入，企業(yè)真正追求的是投入產(chǎn)出比。本文主要研究不同輔材對(duì)鑄造多晶硅錠性能的影響，一方面對(duì)鑄錠輔材生產(chǎn)廠家的產(chǎn)品開發(fā)或產(chǎn)品升級(jí)具有一定的指導(dǎo)意義，另一方面提示多晶硅鑄錠廠家應(yīng)根據(jù)不同輔材開發(fā)不同的工藝，有助于生產(chǎn)高質(zhì)量的多晶硅錠，同時(shí)也降低了生產(chǎn)成本，提高企業(yè)生產(chǎn)效益。本工作利用微波光
2、電導(dǎo)衰減儀(μ-PCD)、紅外掃描儀(SIRM)等測(cè)試方法對(duì)鑄造多晶硅中的雜質(zhì)陰影以及少子壽命的分布特征進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。研究發(fā)現(xiàn)，氮化硅顆粒比表面積大，不利于硅錠的順利脫模。使用不同廠家的石英坩堝、氮化硅鑄錠，硅錠的底部紅區(qū)長(zhǎng)度存在明顯不同，硅錠的少子壽命和頂部紅區(qū)長(zhǎng)度也存在明顯差異。這就要求在工藝生產(chǎn)中，根據(jù)產(chǎn)品質(zhì)量及制造成本的要求，針對(duì)不同廠家的石英坩堝和氮化硅，通過(guò)實(shí)驗(yàn)優(yōu)化出投入產(chǎn)出比最小的輔材組合，對(duì)降低鑄錠廠家制造成本，提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力有很大的幫助.關(guān)鍵詞：多晶硅鑄造，雜質(zhì)，石英坩堝，氮化硅，少子壽命24河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)StudyonQuar
3、tzCrucibleandSiliconNitrideCoatingforCastingPolycrystallinesiliconABSTRACTInthepolysiliconproductionprocess,asmuchcrystalingotcastingkeyauxiliarymaterialsquartzcrucibleandSi3N4,thecontentofimpuritiesnotonlyaffectstheminoritycarrierlifetimeofsiliconingot,alsoaffectspatternseffectofsili
4、coningot.Inprinciple,thehigherpurityspeakthecomplementarymaterialusing,thebetterthequalityofitssiliconingots,butinactualproductionhighqualitytendstoincreaseinvestmentpursuit,toenterprisetheinput-outputratio.Thispapermainlystudiesdifferentcomplementarymaterialofcastingpolycrystallinesi
5、liconingots,ontheonehand,theinfluenceontheperformanceofthebubblecomplementarymaterialmanufacturerintheproductdevelopmentorproductupgradeshascertaindirectivesignificance,ontheotherhand,manycrystalingotcastingfactoryshoulddevelopdifferenttechnologyaccordingtodifferentauxiliarymaterials,
6、helpstomanufacturehighqualitypolycrystallinesiliconingot,alsoreducesproductioncost,improvesproductionefficiency.Inthiswork,theshadeofimpuritiesincastingpolycrystallinesiliconaswellastheirimpactsontheminoritycarrierlifetimeinmc-siingotshavebeensystematicallystudiedbymeansofMicrowavepho
7、toConductiveDecay(μ-PCD),ScanningInfraredMicroscopy(SIRM).StudyfoundthatSi3N4particlespecificsurfacearea,goingagainstthesiliconingotsdemouldingsmoothly.Usingthequartzcruciblesandthesiliconnitridefromthedifferentmanufacturer,thelengthofredzoneatthebottomofthesiliconingotsisdifferentobv
8、iousl
