《故障測試》PPT課件

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1、第4章微機(jī)系統(tǒng)測試算法概述微機(jī)系統(tǒng)測試的基本特點(diǎn)及測試方法概述第4.1節(jié)存儲器測試算法RAM測試ROM測試第4.2節(jié)微機(jī)系統(tǒng)測試基本概念CPU算法測試CPU功能測試?yán)脩?yīng)用程序測試電子科大CAT室第4章微機(jī)系統(tǒng)測試算法微機(jī)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)CPUROMRAMI/O總線微機(jī)系統(tǒng)組成：CPU,RAM,ROM,I/O特點(diǎn)：微機(jī)系統(tǒng)是一個(gè)結(jié)構(gòu)和功能都十分復(fù)雜的系統(tǒng)；內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般不可知；測試：不能作結(jié)構(gòu)性測試；只能作運(yùn)行性測試--非完備性測試；分功能塊（CPU,RAM,ROM,I/O）測試；CPUROMRAMI/

2、O內(nèi)部總線電子科大CAT室第4.1節(jié)存儲器測試算法1.在硬件系統(tǒng)出廠前要進(jìn)行產(chǎn)品測試；在嵌入式系統(tǒng)工作之前，一般也要進(jìn)行自檢，其中ROM和RAM檢測必不可少.2.在出廠和使用前應(yīng)該校驗(yàn)這兩種芯片的好壞。測試RAM的方法是寫讀各個(gè)內(nèi)存單元，檢查是否能夠正確寫入測試ROM的方法是累加各存儲單元數(shù)值并與校驗(yàn)和比較。電子科大CAT室第4.1節(jié)存儲器測試算法RAM—隨機(jī)存取存儲器：讀/寫存儲器功能測試存儲器ROM—只讀存儲器：讀功能測試存儲器結(jié)構(gòu)：存儲單元陣列讀寫檢測放大器列地址譯碼及緩存行地址譯碼及緩存

3、I/O地址線地址線讀/寫線電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測試RAM生產(chǎn)可能出現(xiàn)的問題：（1）生產(chǎn)工藝不過關(guān)，過孔打歪了，與臨近信號線距離不滿足線規(guī)甚至打在了線上。（2）由于搭錫引起的信號線粘連。（3）虛焊/漏焊引起的接觸不良（4）不按規(guī)程操作，把手印兒印在了高頻線上。（5）板子臟了也不吹，覆蓋了一層灰塵(內(nèi)含金屬微粒)。電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測試RAM生產(chǎn)可能出現(xiàn)的現(xiàn)象：（1）地址線A0和A1粘連。讀出XXX00、XXX01、XXX10三個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)完全一樣。（2）數(shù)據(jù)線D0

4、和D1粘連。D0和D1只要有一個(gè)為0，那么兩條線都為0。（3）接觸不良。時(shí)好時(shí)壞。（4）器件表面處理不干凈，有助焊劑殘留。低速訪問正常，大負(fù)荷高速訪問頻繁死機(jī)。電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測試1.RAM故障類型：（1）尋址故障地址引線折斷；地址譯碼器壞；I/O晶體管擊穿；（2）存儲單元損壞存儲單元s-a-0/s-a-1故障；（3）響應(yīng)時(shí)間變漫（電容性負(fù)載變大，開關(guān)響應(yīng)變慢）重寫：同一數(shù)據(jù)重復(fù)寫入二個(gè)或三個(gè)存儲單元；重讀：讀一個(gè)存儲單元胡內(nèi)容時(shí)，重復(fù)讀出二或三次；（4）存儲單元間胡寄生耦合

5、數(shù)據(jù)竄漏；對數(shù)據(jù)花樣敏感；（5）刷新故障動態(tài)RAM保持時(shí)間變短，數(shù)據(jù)丟失；電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測試2.測試的基本原則（1）尋址的唯一性---測試地址譯碼器工作是否正常存儲單元的存在性存儲單元的可區(qū)分性（2）可讀/寫性---測試讀/寫功能是否正?？煽繉憯?shù)據(jù)可靠讀數(shù)據(jù)（3）存儲單元相互之間的干擾性---測試數(shù)據(jù)花樣的敏感性相鄰行列干擾全部行列干擾（4）數(shù)據(jù)的保持性----存儲單元對數(shù)據(jù)的保持能力數(shù)據(jù)寫入后正確的讀出能力動態(tài)刷新能力電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測試3.測試方法關(guān)

6、鍵：讀/寫測試測試圖形樣式（1）行進(jìn)法（Marching）先寫入全0讀出第一個(gè)存儲單元，應(yīng)為0寫入1讀出應(yīng)為1重復(fù)上述步驟，直到全部單元測試完，此時(shí)存儲單元應(yīng)全為1讀出第一單元，應(yīng)為1依次寫0，讀0全部單元測試完成，應(yīng)全為000000010000000000001111111111111111111110000電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測試上述測試可用公式表示：式中：Cij第i行第j列存儲單元RCij讀出存儲單元W(1)Cij將1寫入Cij單元W(0)Cij將0寫入Cij單元全部Cij

7、的集合在集合內(nèi)的總和“,”各有序操作之間的分隔符“0”或”1”下標(biāo)，背景為1或0測試復(fù)雜度測試過程的繁瑣程度------讀/寫操作次數(shù)。如果存儲器的單元數(shù)為N，則復(fù)雜度為：N+3N+3N=7N如N=4K個(gè)單元，每次讀或?qū)懖僮髦芷跒?00ns測試時(shí)間T=7X4KX500ns=14ms電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測試改進(jìn)：寫入后，讀1和讀0放到下一循環(huán)中讀，即有：復(fù)雜度變?yōu)椋篘+2N+2N=5N行進(jìn)法可測試的特性有：地址唯一性單元干擾和鄰近干擾數(shù)據(jù)敏感性電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測

8、試（2）走步法（Walking)在全0的背景下，對一個(gè)單元寫入一個(gè)1；讀出全部單元內(nèi)容，其結(jié)果除寫入1的單元外均為0；將0寫入該單元，即又為全0；再對另一單元重復(fù)上述過程，到全部單元走完為止；000000000000000000000000000000001走1全讀1全讀11111111111111110走0全讀公式：電子科大CAT室第4.1.1節(jié)RAM測試改進(jìn)：寫入后，讀1和讀0放到下一循環(huán)中讀，即有：復(fù)雜度變?yōu)椋篘+2N+2N=5N行進(jìn)法可測試的特性有：地址唯一性單元干擾和鄰近干擾數(shù)據(jù)敏感性