噴霧熱解法制備氟摻雜二氧化錫導(dǎo)電薄膜及其性能研究

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1、噴霧熱解法制備氟摻雜二氧化錫導(dǎo)電薄膜及其性能研究摘要氟摻雜二氧化錫導(dǎo)電薄膜(fluorine.dopedtinoxide,F(xiàn)TO)因具有高透光率和低電阻被廣泛用于太陽能電池和顯示設(shè)備。采用噴霧熱解法,以四氯化錫和氟化銨、1.甲基一3.乙基咪唑三氟乙酸(3.ethyl.1.methylimidazoliumtrifluoroacetate,EMITA)為原料、水和乙醇、異丙醇為溶劑,噴瓶為霧化裝置,在載玻片上制備FTO薄膜。運(yùn)用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、紫外一可見分光光度計(jì)和四探針測試儀分別對FTO薄膜進(jìn)行了表征。研究了噴涂次數(shù)、襯底溫度、四氯化錫濃度、氟化銨(EMITA)濃度、

2、雙氧水濃度和乙醇(異丙醇)與水的體積比對FTO薄膜的透光率和方塊電阻的影響。當(dāng)襯底溫度為500℃,SnCl4濃度為0。81mol/L,NH4F濃度為0.1mol/L,乙醇與水的體積比為8:2,噴涂100次時(shí),所得FTO薄膜在可見光區(qū)的平均透光率為76%,方塊電阻為13Q/口。在噴霧熱解液中加入少量的H202(0.05tool/L)可明顯提高FTO薄膜在可見光區(qū)的透光率,而不影響其方塊電阻;當(dāng)噴霧熱解液組成為O.8mol/LSnCl4,O.1mol/LNH4F,0.05mol/LH202,異丙醇與水的體積比為8:2,襯底溫度為500℃,噴涂100次時(shí),所得FTO薄膜在可見光區(qū)的平均透

3、光率為84%,方塊電阻為15Q/口,且FTO薄膜平整致密、二氧化錫晶粒均勻。當(dāng)襯底溫度為500℃,SnCl4濃度為0.4mol/L,EMITA濃度為O.3mol/L,乙醇與水的體積比為8:2,噴涂100次時(shí),所得FTO薄膜在可見光區(qū)的平均透光率為73%,方塊電阻為173Q/口。關(guān)鍵詞:噴霧熱解;氟摻雜二氧化錫;導(dǎo)電薄膜;溶液組成;1一甲基一3一乙基咪唑三氟乙酸PreparationandCharacterizationofFluorine—-dopedTinDioxideConductiveThinFilmsDepositedbySprayPyrolysisABSTRACTTran

4、sparentconductivethinfilmsofF:Sn02(fluorine—dopedtindioxide,F(xiàn)TO)withhighopticaltransmittanceandlowelectricalresistivityarekeyelementsforthin—filmsolarcellsanddisplaydevices.FTOweredepositedonpreheatedmicroscopicglassslidesusingpentahydratestannicchloride(SnCl4。5H20)andammoniumfluoride(NH4F)or3

5、-ethyl-1一methylimidazoliumtrifluoroacetate(EMITA)assourcesfortinandfluorine,ethanol/isopropanolandwaterassolventsbyanintermittentspraypyrolysismethod.TheFTOthinfilmswerecharacterizedbyX—raydiffractometer,scanningelectronmicroscope,ultraviolet—visiblespectrometryandfour—point—probesetup.Theeffe

6、ctsofspraytimes,substratetemperature,concentrationofSnCl4,NH4F/EMITA,H202andvolumeratioofethanol/isopropanoltowaterontheopticalandelectricalcharacteristicsofFTOthinfilmswereinvestigated.TheresultsshowthatthesheetresistanceandtheaveragetransmittanceoftheFTOthinfilmspreparedwiththesolutionwith0.

7、glmol/LSACl4,0.1mol/LNH4F,atavolumeratioofethanoltowaterof8:2for100timesat500℃are13Q/口and76%,respectively.TheresultsshowthatthetransmittanceoftheFTOthinfilmscanbeimprovedduetoamoderateconcentrationofH202(一O.05tool/L)inthesprayingsolutio

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