納米氧化鋅基發(fā)光材料的制備及發(fā)光性能研究

納米氧化鋅基發(fā)光材料的制備及發(fā)光性能研究

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資源描述:

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1、西南科技大學碩士學位論文納米氧化鋅基發(fā)光材料的制備及發(fā)光性能研究姓名:胡文遠申請學位級別:碩士專業(yè):應用化學指導教師:楊定明20080414西南科技大學碩士研究生學位論文第1頁摘要納米氧化鋅是一種新型的直接寬帶隙半導體低壓熒光材料,是制備半導體激光器、發(fā)光二級管的理想材料。為了實現(xiàn)納米氧化鋅在發(fā)光器件方面的應用,需解決其發(fā)光效率和發(fā)光色純度,摻雜和納米化是改善發(fā)光效率和發(fā)光色純度的有效途徑。本文以氧化鋅為基質進行了摻雜和納米化的研究。采用機械力固相化學反應法制備了納米ZnO:Eu3+發(fā)光材料。制備所得的產品呈球狀顆粒,粒度為80

2、nm,分布比較均勻,樣品的發(fā)射主峰為615nm,對應于E一+的高靈敏5D一7F2躍遷。樣品的發(fā)光強度受摻雜量的影響,在一定范圍內發(fā)光強度隨著摻雜濃度的增加呈現(xiàn)增強趨勢,最佳摻雜量為5%。采用機械力固相化學反應法制備了納米級ZnO:Eu3+:Li+發(fā)光材料。產物為比較規(guī)則的球形顆粒,其粒度為50r吼,粒度分布較窄。摻雜納米znO的最大激發(fā)峰為465衄,發(fā)射光譜為Eu的特征發(fā)射,主峰位于615砌,對應于Eu3+的5Do一‘7F2躍遷。共摻雜的Li+離子有效地敏化了E礦+,摻雜比為3:1時發(fā)光強度增幅最大。采用均相沉淀法制備了納米乙l

3、o:Eu3+:“+發(fā)光材料。合成樣品呈球形顆粒狀結構,粒徑為20~40m。樣品的最大激發(fā)峰為463帆,發(fā)射光譜主峰為611姍,較機械力固相化學法所制的樣品峰位有藍移。共摻雜的Li比例對發(fā)光強度的影響與機械力固相化學法制備的樣品一致。采用機械力固相化學反應法合成了摻雜納米ZnO:RE(Nd,Sm,Dy)發(fā)光材料。摻雜的納米znO:I迮微觀結構呈現(xiàn)近球形,分散性較好,粒經介于40~70nm之間。納米Zno:RE發(fā)光材料的最大激發(fā)蜂為378nm,對應基質ZnO的帶邊吸收,發(fā)射光譜有兩部分組成,其一在400~600姍范圍內的寬帶發(fā)射,其

4、二呈現(xiàn)屬于RE離子的特征發(fā)射。寬帶發(fā)射的強度較純納米znO的強度明顯提高,隨著摻雜RE離子濃度的增加,寬帶的發(fā)射與RE離子的特征發(fā)射的強度增加,猝滅濃度分別為4%、5%和4%。關鍵詞:氧化鋅納米摻雜發(fā)光材料西南科技大學碩士研究生學位論文第1I頁AbstractZnOisadirect鋤d、聃deband2apsemiconductorlow.tensionfluoresceIlcema:tcrial、析m鋤energygapof3.37eVatroomtempera_tllre,whichisanidealmate訂alforf

5、.abricat洫gsemiconductorl弱erdeViceoperatin2.InordertorealizeⅡleapplicationofZnOI姍ostrI.Iclcuresinnano—oDtoelectronic?!癷snecess姍rtosolvel_urnillesceme伍ciencyandcolorpuri謗,whileadulterationandnanocrystrallizationareoptimalclloices.TllispaperwasinterestedinI姍o.ZnOdoped.T

6、hen觚ometerZnO:Euj’phosphorSwereobtainedviamech撕calsolidstatechemicalreactio瑪、砌letheaveragesizeofmeparticles、Vf塔about80m、Ⅳitllu】【lif0鋤毋嘶nsize.Thechlracteristicphotol啪irlescenceofEu’+、械略obseⅣed、析tbt11emaXim啪鋤issionpeakat615姍,correspondingto’Do_7F2.Thel啪inescenceinteIls

7、時i11creaLsed晰nltllegro、vthofEuj十concentlation,andtlleEuj十optim2Llconcennt旺ion、^憎略5%.N鋤。一sizedZnO:Euj+:Li十redphosphorshavebeenpreparedbymechanicalsolidsta艙chernicalreactiom.Theaver刁【留esizeofs唧leswasa:bout50nmwithurIifonn嘶ns協(xié).ThemaXh啪excitationpeal【w嬲at465IlIIl,a11dthe

8、emissionSpectraofnamD.SizedZn0:Eu’+:Li十、礬峪cha成比teristicphotol啪inescenceofEu3+withthemaxim啪e面ssionpeakat6l5姍,correspondingt0’Do-÷7F2

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