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《五重軸硅團(tuán)簇的量子受限》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、第18卷第3期原子與分子物理學(xué)報Vol.18,(.3)**1年+月,-./0102345/6738693:.,6/;:370,4765<-=1.,12>l.,)**1文章編號:1***?*3@(A)**1)*3?*)B+?*A五重軸硅團(tuán)簇的量子受限*段沛(湖南師范大學(xué)物理系,長沙A1**1))摘要:用自洽場多重散射C方法計算了具有五重對稱軸的硅團(tuán)簇的電子能級,并在這種硅團(tuán)簇表面分別與α氫、氧原子穩(wěn)定結(jié)合情況下,得到了1DE-鍵和1DE3鍵的長度、能隙寬度和偶極躍遷激發(fā)能。計算結(jié)果表明,這種硅團(tuán)簇表面
2、結(jié)合原子是影響團(tuán)簇電子能級、能隙和躍遷激發(fā)能的重要因素。關(guān)鍵詞:硅團(tuán)族;五重對稱軸;多重散射C方法;量子受限α中圖分類號:3F@1.),3A13文獻(xiàn)標(biāo)識碼:61引言穩(wěn)定態(tài)時,偶極躍遷的激發(fā)能。由于量子尺寸效應(yīng)這種模型的計算數(shù)據(jù),雖然與五重軸納米硅的實際近年來,多孔硅膜和納米硅中可見光致發(fā)光的值存在差距,但可為這種材料的發(fā)光性質(zhì)的研究提發(fā)現(xiàn)[1,)],顯示了發(fā)展一類新型光器件的潛在勢頭,供一種定性理論依據(jù)。因而引起了廣泛的關(guān)注和研究[3GF]。但目前對納米硅中的這種光致發(fā)光蘭移現(xiàn)象機理的認(rèn)識,尚不完)
3、計算模型及有關(guān)參量全一致,許多研究者認(rèn)為[1,3],這主要是納米硅的量子受限效應(yīng)所致。當(dāng)大塊晶體硅減小到納米尺寸本文以五角十面雙錐體作為五重軸硅團(tuán)簇的基時,原有的平移對稱性消失,準(zhǔn)連續(xù)能帶變?yōu)榉至⒛芗?,能隙加寬,由原來的間接能隙躍遷轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯幽芟盾S遷。;HllHI等人[A,@]用密度泛函理論計算了多孔硅膜的帶隙與納米尺寸的關(guān)系。但JoDK等人[+]認(rèn)為其中近表面電子態(tài)可能起了主要作用。與多孔硅膜等的制備方法不同,1>LDo.DMDLN[8]用硅蒸汽凝結(jié)方法制得了尺寸小于)**OL的納米硅。他在部分這
4、種硅微粒的高分辨電鏡的晶格象中,清晰觀察到五重對稱軸[B]。在約AOL的核心區(qū)內(nèi),晶格具有直到1*P的彈性應(yīng)變,以填補由五個硅四面體堆成時產(chǎn)生的約+.FQ的失配角。這種具有五重對稱軸的納米硅,除具有結(jié)晶學(xué)理論研究意義外,也可能同其他納米硅一樣成為微型光器件的新材料。本文以五重軸硅團(tuán)簇作為這種納米硅的初級本計算模型,它是由五個硅四面體共同一棱構(gòu)成。模型,用自洽場多重散射Cα方法(1,8?:1?Cα)計算為彌補形成時約+.FQ的失配角,在共底正五邊中,各了這種硅團(tuán)簇的電子能級;并分別用氫和氧原子在邊伸長
5、1.8P,本文稱這種模型為1D+體系。為模擬表面與五重軸硅團(tuán)簇相結(jié)合,得到較大的偶極躍遷氫、氧原子對1D+體系的影響,在1D+體系中,于各1D能隙。同時,應(yīng)用1lNRHS過渡態(tài)理論[1*],結(jié)合1,8?原子所在位置的對稱軸向外方向上,取一定長度的:1?Cα方法,計算了這種硅團(tuán)簇分別與氫、氧結(jié)合成位置C。當(dāng)-原子或3原子處在C位置時,分別稱*收稿日期:)**1?*3?1A298原子與分子物理學(xué)報2001年為Si7H7體系和Si7O7體系,如圖1所示,它們具有原子S(i1)、S(i2)與底邊正五角形頂角
6、硅原子間的Dsh點群對稱。由于S(i1)、S(i2)原子與其余5個硅距離,取大塊硅晶體中最近鄰原子間距:0.2350原子所處環(huán)境的差異,它們與X處原子間的鍵長也nm;考慮到約1.8%的彈性伸長,正五邊形各頂角硅不相同,并分別用d1、d2表示。顯然,當(dāng)X處分別原子間距離取0.2393nm。填以H原子和O原子時,它們各自的d1、d2也不相在使用SCF-MS-Xα計算程序中,自洽過程單電同。所有這些d、d的恰當(dāng)長度,將通過計算確定。子能量閾值取為10-5Ryd;對于價軌道計算,能量12實際測量表明,與大塊
7、硅晶體相比較,納米硅不存在步長為0.001Ryd。原子球半徑由基于重迭球計算可覺察的晶格收縮[5]。因此在模型中,錐體兩頂角模式的Norman[11]規(guī)則給出。其他有關(guān)參量列于表1。表1Si7及穩(wěn)態(tài)Si7H7、Si7O7體系有關(guān)計算參量對稱性不原子球半徑R/nm-1交換關(guān)聯(lián)常數(shù)α最大角量子數(shù)等價原子Si7Si7H7Si7O7Si7Si7H7Si7O7Lmax外球3.24024.09404.36330.727510.737460.737694S(i1)1.23061.18841.09250.72751
8、0.727510.727512S(i3)1.31091.24251.09980.7275100.727510.727512H(1)0.79140.777251H(3)0.77240.777251O(1)0.94850.74472O(3)0.93380.74472計算體系的價態(tài)軌道,由Si原子的3s及3p電子,H原子的1s電子和O原子的2s及2p電子所3計算結(jié)果貢獻(xiàn)。對于Si7體系,除內(nèi)層軌道外,其價軌道和空軌道總數(shù)為21。Si7H7和Si7O7體系的價軌道和空為計算S