一種用于光刻模擬的新光源模型

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1、第6卷第5期江南大學學報(自然科學版)Vol.6No.52007年10月JournalofJiangnanUniversity(NaturalScienceEdition)Oct.2007文章編號:1671-7147(2007)05-0528-04一種用于光刻模擬的新光源模型3李智峰,史崢,陳曄(浙江大學超大規(guī)模集成電路研究所,浙江杭州310027)摘要:討論提出用連續(xù)的光源描述函數(shù)代替0~1分布的光源函數(shù)精確描述光源光強分布,以提高光刻分辨率.在SPLAT的基礎上應用新的光源特征函數(shù),建立新的光源模型,并結合測試模板進行仿真.結果顯示,新的模型在精度上有較為明顯的改善,新光源

2、特征函數(shù)有助于建立更為精確的光刻模型.關鍵詞:光刻仿真;光源;光學臨近校正中圖分類號:TN491文獻標識碼:AANewIlluminationSourceModelforLithographySimulation3LIZhi2feng,SHIZheng,CHENYe(InstituteofVLSIDesign,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027,China)Abstract:AnewmethodformoreaccuraterepresentationoftheilluminationsourceduringOPCsimulationandmod

3、elingwaspresented.Themethodinvolvesusingsmoothfunctionalrepresentationoftheilluminationsourceinsteadof0~1function.ThenewsourcefunctionwasusedtobuildanewlithographymodelbasedonSPLAT.Thetestpatternswereexaminedanditwasshownthatthenewmodelismoreaccurate.Therefore,thesmoothrepresentationoftheill

4、uminationsourceprovideshigheraccuracyinlithographysimulation.Keywords:opticallithography;illuminationsource;opticalproximitycorrection光刻工藝是集成電路制造工藝中的關鍵環(huán)節(jié),光學臨近校正技術(OpticalProximityCorrection,[122]隨著集成電路的最小線寬和最小間距越來越小,當OPC)應用廣泛.建立光刻模型對版圖成像進行曝光線條的特征尺寸接近曝光系統(tǒng)的理論分辨極光刻模擬是光學臨近校正技術中普遍用到的方法,限時,系統(tǒng)所形成的空

5、間圖像將產(chǎn)生十分明顯的畸它主要包含兩個方面:一是模擬光刻機光學系統(tǒng)的變,即發(fā)生光學鄰近效應(OpticalProximity模型,即純光學模型;二是包含了顯影、蝕刻等制造Effect,OPE),導致光刻圖形質量下降.為了減少光工藝的模型,即工藝模型.純光學模型是光刻模型學臨近效應的影響,工業(yè)界提出了光刻分辨率增強的基礎部分.純光學系統(tǒng)包括光刻光源、聚光和成技術(ReticleEnhancementTechnology,RET),其中像透鏡組、掩模板等.收稿日期:2006-02-25;修訂日期:2006-05-20.基金項目:國家自然科學基金項目(60176015).作者簡介:李

6、智峰(1981-),男,湖北蘄春人,電路與系統(tǒng)專業(yè)碩士研究生.3通訊聯(lián)系人:史崢(1967-),男,浙江杭州人,副教授,碩士生導師.主要從事集成電路CAD等研究.Email:shiz@vlsi.zju.edu.cn第5期李智峰等:一種用于光刻模擬的新光源模型529光源是光刻系統(tǒng)中的重要部分,傳統(tǒng)光源的照光刻系統(tǒng)中從掩模到光強分布圖像的傳輸函數(shù)的明方式是圓形的,為了提高光刻系統(tǒng)的分辨率,又準確性,而且采用“高帽形”光強分布會導致工藝模[425]發(fā)展出了環(huán)形照明、雙極形照明(b2pole,dipole)、擬(從掩模到晶圓)中的光學部分模擬不夠精確.四極形照明(Quadrupole,

7、ASMLQuasarQuadrupole)隨著工藝的發(fā)展,k1越來越低,版圖越來越復雜,這[6]等離軸照明技術.目前工業(yè)界應用的光刻系統(tǒng)模型種影響會越來越大,另一方面,使用平滑的光源中,光源的建??紤]得比較簡單,即光源部分的光分布函數(shù)能夠促進對硅片上成像的預測,而這種精強分布主要是采取0~1式的.光強通常被設定為確的預測是基于模型的OPC或是其他分辨率增強[7]一個恒定的歸一化過的值,例如在發(fā)光區(qū)域內(nèi)的點技術(RET)的先決條件,因此建立更為精確的光光強定為1,其余部分的點光強定為0.對理想

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