IC測試原理和設(shè)備教程

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1、第1章認識半導體和測試設(shè)備更多..1947年，第一只晶體管的誕生標志著半導體工業(yè)的開始，從那時起，半導體生產(chǎn)和制造技術(shù)變得越來越重要...第1節(jié)晶圓、晶片和封裝第3節(jié)半導體技術(shù)第5節(jié)測試系統(tǒng)的種類第7節(jié)探針卡（ProbeCard）第2節(jié)自動測試設(shè)備第4節(jié)數(shù)字和模擬電路第6節(jié)測試負載板（LoadBoard）...第2章半導體測試基礎(chǔ)更多..半導體測試程序的目的是控制測試系統(tǒng)硬件以一定的方式保證被測器件達到或超越它的那些被具體定義在器件規(guī)格書里的設(shè)計指標...第1節(jié)基礎(chǔ)術(shù)語第3節(jié)測試系統(tǒng)第5節(jié)管腳電路第2節(jié)正確的

2、測試方法第4節(jié)PMU第6節(jié)測試開發(fā)基本規(guī)則第3章基于PMU的開短路測試更多..Open-ShortTest也稱為ContinuityTest或ContactTest，用以確認在器件測試時所有的信號引腳都與測試系統(tǒng)相應的通道在電性能上完成了連接，并且沒有信號引腳與其他信號引腳、電源或地發(fā)生短路...第1節(jié)測試目的第2節(jié)測試方法第4章DC參數(shù)測試更多..測試程序流程中的各個測試項之間的關(guān)系對DC測試來說是重要的，很多DC測試要求前提條件...第1節(jié)基本術(shù)語第3節(jié)VOL/IOL第5節(jié)StaticIDD第7節(jié)IIL/

3、IIH第11節(jié)HighImpedanceCurren...第2節(jié)VOH/IOH第4節(jié)GrossIDD第6節(jié)IDDQ&DynamicIDD第8節(jié)ResistiveInput&Outpu...第12節(jié)IOStest第5章功能測試更多..功能測試是驗證DUT是否能正確實現(xiàn)所設(shè)計的邏輯功能，為此，需生成測試向量或真值表以檢測DUT中的錯誤，真值表檢測錯誤的能力可用故障覆蓋率衡量，測試向量和測試時序組成功能測試的核心...第1節(jié)基礎(chǔ)術(shù)語第3節(jié)輸出數(shù)據(jù)第5節(jié)VectorData第7節(jié)GrossFunctionalTest

4、an...第9節(jié)標準功能測試第2節(jié)測試周期及輸入數(shù)據(jù)第4節(jié)OutputLoadingforACTe...第6節(jié)FunctionalSpecification...第8節(jié)FunctionallyTestingaD...第6章AC參數(shù)測試更多..第1節(jié)測試類型第1節(jié)晶圓、晶片和封裝1947年，第一只晶體管的誕生標志著半導體工業(yè)的開始，從那時起，半導體生產(chǎn)和制造技術(shù)變得越來越重要。以前許多單個的晶體管現(xiàn)在可以互聯(lián)加工成一種復雜的集成的電路形式，這就是半導體工業(yè)目前正在制造的稱之為"超大規(guī)模（"VLSI，VeryLa

5、rgeScaleIntegration）的集成電路，通常包含上百萬甚至上千萬門晶體管。半導體電路最初是以晶圓形式制造出來的。晶圓是一個圓形的硅片，在這個半導體的基礎(chǔ)之上，建立了許多獨立的單個的電路；一片晶圓上這種單個的電路被稱為die（我前面翻譯成"晶片"，不一定準確，大家還是稱之為die好了），它的復數(shù)形式是dice.每個die都是一個完整的電路，和其他的dice沒有電路上的聯(lián)系。當制造過程完成，每個die都必須經(jīng)過測試。測試一片晶圓稱為"Circuitprobing"（即我們常說的CP測試）、"Wafer

6、porbing"或者"Diesort"。在這個過程中，每個die都被測試以確保它能基本滿足器件的特征或設(shè)計規(guī)格書（Specification），通常包括電壓、電流、時序和功能的驗證。如果某個die不符合規(guī)格書，那么它會被測試過程判為失效（fail），通常會用墨點將其標示出來（當然現(xiàn)在也可以通過Maping圖來區(qū)分）。在所有的die都被探測（Probed）之后，晶圓被切割成獨立的dice，這就是常說的晶圓鋸解，所有被標示為失效的die都報廢（扔掉）。圖2顯示的是一個從晶圓上鋸解下來沒有被標黑點的die，它即將被

7、封裝成我們通?？吹降男酒问健Ｗⅲ罕緲祟}系列連載內(nèi)容及圖片均出自《TheFundamentalsOfDigitalSemiconductorTesting》在一個Die封裝之后，需要經(jīng)過生產(chǎn)流程中的再次測試。這次測試稱為“Finaltest”（即我們常說的FT測試）或“Packagetest”。在電路的特性要求界限方面，F(xiàn)T測試通常執(zhí)行比CP測試更為嚴格的標準。芯片也許會在多組溫度條件下進行多次測試以確保那些對溫度敏感的特征參數(shù)。商業(yè)用途（民品）芯片通常會經(jīng)過0℃、25℃和75℃條件下的測試，而軍事用途（軍品

8、）芯片則需要經(jīng)過-55℃、25℃和125℃。芯片可以封裝成不同的封裝形式，圖4顯示了其中的一些樣例。一些常用的封裝形式如下表：DIP：DualInlinePackage(dualindicatesthepackagehaspinsontwosides)CerDIP：CeramicDualInlinePackagePDIP：PlasticDualInlinePackagePGA：PinGridArra