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《IC測試原理-IC設(shè)計(jì)必備寶典.pdf》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。
1、第1章認(rèn)識半導(dǎo)體和測試設(shè)備更多..1947年，第一只晶體管的誕生標(biāo)志著半導(dǎo)體工業(yè)的開始，從那時起，半導(dǎo)體生產(chǎn)和制造技術(shù)變得越來越重要...第1節(jié)晶圓、晶片和封裝第3節(jié)半導(dǎo)體技術(shù)第5節(jié)測試系統(tǒng)的種類第7節(jié)探針卡（ProbeCard）第2節(jié)自動測試設(shè)備第4節(jié)數(shù)字和模擬電路第6節(jié)測試負(fù)載板（LoadBoard）...第2章半導(dǎo)體測試基礎(chǔ)更多..半導(dǎo)體測試程序的目的是控制測試系統(tǒng)硬件以一定的方式保證被測器件達(dá)到或超越它的那些被具體定義在器件規(guī)格書里的設(shè)計(jì)指標(biāo)...第1節(jié)基礎(chǔ)術(shù)語第3節(jié)測試系統(tǒng)第5節(jié)管腳電路第2節(jié)正確的測試方法第4節(jié)PMU第6節(jié)測
2、試開發(fā)基本規(guī)則第3章基于PMU的開短路測試更多..Open-ShortTest也稱為ContinuityTest或ContactTest，用以確認(rèn)在器件測試時所有的信號引腳都與測試系統(tǒng)相應(yīng)的通道在電性能上完成了連接，并且沒有信號引腳與其他信號引腳、電源或地發(fā)生短路...第1節(jié)測試目的第2節(jié)測試方法第4章DC參數(shù)測試更多..測試程序流程中的各個測試項(xiàng)之間的關(guān)系對DC測試來說是重要的，很多DC測試要求前提條件...第1節(jié)基本術(shù)語第3節(jié)VOL/IOL第5節(jié)StaticIDD第7節(jié)IIL/IIH第11節(jié)HighImpedanceCurren..
3、.第2節(jié)VOH/IOH第4節(jié)GrossIDD第6節(jié)IDDQ&DynamicIDD第8節(jié)ResistiveInput&Outpu...第12節(jié)IOStest第5章功能測試更多..功能測試是驗(yàn)證DUT是否能正確實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的邏輯功能，為此，需生成測試向量或真值表以檢測DUT中的錯誤，真值表檢測錯誤的能力可用故障覆蓋率衡量，測試向量和測試時序組成功能測試的核心...第1節(jié)基礎(chǔ)術(shù)語第3節(jié)輸出數(shù)據(jù)第5節(jié)VectorData第7節(jié)GrossFunctionalTestan...第9節(jié)標(biāo)準(zhǔn)功能測試第2節(jié)測試周期及輸入數(shù)據(jù)第4節(jié)OutputLoading
4、forACTe...第6節(jié)FunctionalSpecification...第8節(jié)FunctionallyTestingaD...第6章AC參數(shù)測試更多..第1節(jié)測試類型第1節(jié)晶圓、晶片和封裝1947年，第一只晶體管的誕生標(biāo)志著半導(dǎo)體工業(yè)的開始，從那時起，半導(dǎo)體生產(chǎn)和制造技術(shù)變得越來越重要。以前許多單個的晶體管現(xiàn)在可以互聯(lián)加工成一種復(fù)雜的集成的電路形式，這就是半導(dǎo)體工業(yè)目前正在制造的稱之為"超大規(guī)模（"VLSI，VeryLargeScaleIntegration）的集成電路，通常包含上百萬甚至上千萬門晶體管。半導(dǎo)體電路最初是以晶圓形式
5、制造出來的。晶圓是一個圓形的硅片，在這個半導(dǎo)體的基礎(chǔ)之上，建立了許多獨(dú)立的單個的電路；一片晶圓上這種單個的電路被稱為die（我前面翻譯成"晶片"，不一定準(zhǔn)確，大家還是稱之為die好了），它的復(fù)數(shù)形式是dice.每個die都是一個完整的電路，和其他的dice沒有電路上的聯(lián)系。當(dāng)制造過程完成，每個die都必須經(jīng)過測試。測試一片晶圓稱為"Circuitprobing"（即我們常說的CP測試）、"Waferporbing"或者"Diesort"。在這個過程中，每個die都被測試以確保它能基本滿足器件的特征或設(shè)計(jì)規(guī)格書（Specification
6、），通常包括電壓、電流、時序和功能的驗(yàn)證。如果某個die不符合規(guī)格書，那么它會被測試過程判為失效（fail），通常會用墨點(diǎn)將其標(biāo)示出來（當(dāng)然現(xiàn)在也可以通過Maping圖來區(qū)分）。在所有的die都被探測（Probed）之后，晶圓被切割成獨(dú)立的dice，這就是常說的晶圓鋸解，所有被標(biāo)示為失效的die都報(bào)廢（扔掉）。圖2顯示的是一個從晶圓上鋸解下來沒有被標(biāo)黑點(diǎn)的die，它即將被封裝成我們通?？吹降男酒问健Ｗⅲ罕緲?biāo)題系列連載內(nèi)容及圖片均出自《TheFundamentalsOfDigitalSemiconductorTesting》在一個Die
7、封裝之后，需要經(jīng)過生產(chǎn)流程中的再次測試。這次測試稱為“Finaltest”（即我們常說的FT測試）或“Packagetest”。在電路的特性要求界限方面，F(xiàn)T測試通常執(zhí)行比CP測試更為嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。芯片也許會在多組溫度條件下進(jìn)行多次測試以確保那些對溫度敏感的特征參數(shù)。商業(yè)用途（民品）芯片通常會經(jīng)過0℃、25℃和75℃條件下的測試，而軍事用途（軍品）芯片則需要經(jīng)過-55℃、25℃和125℃。芯片可以封裝成不同的封裝形式，圖4顯示了其中的一些樣例。一些常用的封裝形式如下表：DIP：DualInlinePackage(dualindicates
8、thepackagehaspinsontwosides)CerDIP：CeramicDualInlinePackagePDIP：PlasticDualInlinePackagePGA：PinGridArra
